【Spansion闪存数据表TM2003年9月TM该文件规定，现在由两个Advanced Micro 】,IC型号MBM29F800BA-90,MBM29F800BA-90 PDF资料,MBM29F800BA-90经销商,ic,电子元器件-51电子网

Spansion闪存

数据表

2003年9月

该文件规定，现在由两个Advanced Micro Devices公司，并提供Spansion存储产品

富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称，

这些产品将提供给AMD和富士通的客户。

规格连续性

没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果

修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生，。

产品。今后日常的产品

订购零件编号的连续性

AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些

产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。

欲了解更多信息

请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息

的解决方案。

内存

富士通半导体

数据表

DS05-20841-6E

FL灰内存

CMOS

8M (1M

8/512K

16 ）位

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

概述

该MBM29F800TA / BA是一个8M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织成8位每512K或1M的话内存字节

的每个16比特。该MBM29F800TA / BA是在一个48引脚TSOP （ 1 ）和44引脚SOP封装。该装置

被设计成在系统编程与标准体系5.0 VV

供应量。 12.0 V V

不要求

为写或擦除操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。该

标准MBM29LV800TA / BA提供访问时间55 ns到90 ns的高速运转让

微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写

使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。

（续）

产品阵容

产品型号

订货型号

= 5.0 V ± 5 %

= 5.0 V ± 10 %

-55

—

MBM29F800TA/MBM29F800BA

—

-70

—

-90

最大地址访问时间（纳秒）

最大CE访问时间（纳秒）

最大OE访问时间（纳秒）

套餐

48针，塑料TSOP （ 1 ）

侧面标

44引脚塑料SOP

侧面标

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(FPT-44P-M16)

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

（续）

该MBM29F800TA / BA是引脚和指令集兼容JEDEC标准E

PROM中。命令

写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入

到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也

锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的

类似于阅读from12.0 V Flash或EPROM器件。

该MBM29F800TA / BA通过执行程序命令序列编程。这将调用

嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度

并验证正确的电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在小于0.5秒验证。

擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除

算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的

前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和

验证正确的电池余量。

个别部门通常擦除和1.0秒验证（如果已经完全预编程）。

该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和

重新编程，而不会影响其他部门。出厂时MBM29F800TA / BA被删除。

该器件拥有两个读写功能单一的5.0 V电源工作。内部产生

并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V

自动探测器

禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测

通过对DQ的触发位功能

或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直

完成后，设备内部复位到读模式。

富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E

PROM经验，生产的最高水平

的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F800TA / BA内存电擦除整个芯片或

通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个扇区内的所有位。该字节/字编程1

字节/字在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

特点

单5.0 V的读，写和擦除

最大限度地降低系统级功耗要求

兼容JEDEC标准的命令

使用相同的软件命令为E

PROM的

兼容JEDEC标准的世界各地的引脚

48引脚TSOP （ 1 ）（封装后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）

44引脚SOP （包后缀： PF ）

最少100,000次写/擦除周期

高性能

55 ns的最大访问时间

扇区擦除架构

一个16K字节， 2 8K字节，1字节的32K和64K的15字节。

任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。

启动代码部门架构

T =热门行业

B =底界

嵌入式擦除

*算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序

*算法

自动写和在指定地址的数据验证

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

就绪/忙输出（ RY / BY ）

硬件方法检测编程或擦除周期完成

低Vcc的禁止写入

≤

3.2 V

擦除暂停/恢复

暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据

=硬件复位引脚

重置内部状态机读方式

扇区保护

硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合

临时机构解除保护

通过RESET引脚临时机构解除保护。

*：嵌入式擦除

和嵌入式程序

是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

引脚分配

TSOP(1)

北卡罗来纳州

RESET

北卡罗来纳州

RY / BY

SOP

（ TOP VIEW ）

字节

-1

RY / BY

-1

字节

RESET

字节

-1

（标记侧）

MBM29F800TA/MBM29F800BA

正常的弯曲

FPT-48P-M19

RY / BY

北卡罗来纳州

RESET

北卡罗来纳州

（标记侧）

MBM29F800TA/MBM29F800BA

反向弯曲

FPT-44P-M16

FPT-48P-M20

富士通半导体

数据表

DS05-20841-4E

FL灰内存

CMOS

8M (1M

8/512K

16 ）位

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

特点

单5.0 V的读，写和擦除

最大限度地降低系统级功耗要求

兼容JEDEC标准的命令

使用相同的软件命令为E

PROM的

兼容JEDEC标准的世界各地的引脚

48引脚TSOP （ I）（包后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）

44引脚SOP （包后缀： PF ）

最少100,000次写/擦除周期

高性能

55 ns的最大访问时间

扇区擦除架构

一个16K字节， 2 8K字节，1字节的32K和64K的15字节。

任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。

启动代码部门架构

T =热门行业

B =底界

嵌入式擦除

算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序

算法

自动写和在指定地址的数据验证

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

就绪/忙输出（ RY / BY ）

硬件方法检测编程或擦除周期完成

低Vcc的禁止写入

≤

3.2 V

擦除暂停/恢复

暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据

=硬件复位引脚

重置内部状态机读方式

扇区保护

硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合

临时机构解除保护

通过RESET引脚临时机构解除保护。

嵌入式擦除

和嵌入式程序

是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

包

48引脚TSOP （ I）

侧面标

44引脚SOP

侧面标

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(FPT-44P-M16)

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

概述

该MBM29F800TA / BA是一个8M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织成8位每512K或1M字节的内存

也就是说，每行16位。该MBM29F800TA / BA是在一个48引脚TSOP （ I）和44引脚SOP封装。这

设备被设计成在系统编程与标准体系5.0 VV

供应量。 12.0 V V

不

在用于写或擦除操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。

标准MBM29LV800TA / BA提供访问时间55 ns到90 ns的高速运转让

微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写

使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。

该MBM29F800TA / BA是引脚和指令集兼容JEDEC标准E

PROM中。命令

写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入

到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也

锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的

类似于阅读from12.0 V Flash或EPROM器件。

该MBM29F800TA / BA通过执行程序命令序列编程。这将调用

嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度

并验证正确的电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在小于0.5秒验证。

擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除

算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的

前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和

验证正确的电池余量。

个别部门通常擦除和1.0秒验证（如果已经完全预编程）。

该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和

重新编程，而不会影响其他部门。出厂时MBM29F800TA / BA被删除。

该器件拥有两个读写功能单一的5.0 V电源工作。内部产生

并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V

自动探测器

禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测

通过对DQ的触发位功能

或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直

完成后，设备内部复位到读模式。

富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E

PROM经验，生产的最高水平

的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F800TA / BA内存电擦除整个芯片或

通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个扇区内的所有位。该字节/字编程1

字节/字在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

灵活的扇区擦除架构

一个16K字节， 2 8K字节，1字节的32K和64K的15字节。

单个部门，多个部门或批量擦除功能。

单个或多个部门的保护是用户自定义的。

(×8)

FFFFFH

16K字节

8K字节

F9FFFH

8K字节

F7FFFH

32K BYTE

64K字节

(×16)

7FFFFH

64K字节

7CFFFH

64K字节

7BFFFH

64K字节

(×8)

(×16)

FFFFFh地址7FFFFH

EFFFFh 77FFFh

DFFFFh 6FFFFh

CFFFFh 67FFFh

BFFFFh 5FFFFh

AFFFFh 57FFFh

64K字节

9FFFFH 4FFFFH

64K字节

8FFFFH 47FFFH

64K字节

7FFFFH 3FFFFH

64K字节

6FFFFh 37FFFh

64K字节

5FFFFh 2FFFFh

64K字节

4FFFFh 27FFFh

64K字节

3FFFFH 1FFFFH

64K字节

2FFFFh 17FFFh

64K字节

1FFFFH地址0FFFFh

64K字节

地址0FFFFh 07FFFh

32K BYTE

07FFFH

8K字节

05FFFH

8K字节

03FFFH

16K字节

00000H

MBM29F800BA部门架构

03FFFH

02FFFH

01FFFH

00000H

FBFFFH 7DFFFH

EFFFFh 77FFFh

DFFFFh 6FFFFh

64K字节

CFFFFh 67FFFh

64K字节

BFFFFh 5FFFFh

64K字节

AFFFFh 57FFFh

64K字节

9FFFFH

64K字节

8FFFFH

64K字节

7FFFFH

64K字节

6FFFFH

64K字节

5FFFFH

64K字节

4FFFFH

64K字节

3FFFFH

64K字节

2FFFFH

64K字节

1FFFFH

64K字节

0FFFFH

64K字节

00000H

MBM29F800TA部门架构

00000H

07FFFH

0FFFFH

17FFFH

1FFFFH

27FFFH

2FFFFH

37FFFH

3FFFFH

47FFFH

4FFFFH

MBM29F800TA

-55/-70/-90

/MBM29F800BA

-55/-70/-90

产品阵容

产品型号

订货型号

= 5.0 V ± 5 %

= 5.0 V ± 10 %

-55

—

MBM29F800TA/MBM29F800BA

—

-70

—

-90

马克斯。地址访问时间（纳秒）

马克斯。 CE访问时间（纳秒）

马克斯。 OE访问时间（纳秒）

框图

RY / BY

卜FF器

到DQ

RY / BY

擦除电压

发电机

输入/输出

缓冲器

字节

RESET

状态

控制

命令

编程电压

发电机

芯片使能

OUTPUT ENABLE

逻辑

机顶盒

数据锁存器

机顶盒

y解码器

Y型GATING

低V

探测器

定时器

编程/擦除

地址

LATCH

X解码器

细胞矩阵

到A

-1