MJ15001 （ NPN ）
MJ15002 （ PNP ）
其他芯片
功率晶体管
该MJ15001和MJ15002是EpiBaset功率晶体管
专为高功率音频，磁头定位器和其它线性
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高安全工作区（ 100 ％测试） - 5.0 A @ 40 V
0.5 A @ 100 V
对于低失真互补设计
高直流电流增益 - ^ h
FE
= 25 （分钟） @我
C
= 4个ADC
无铅包可用*
20安培
功率晶体管
其他芯片
140伏， 250瓦
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
I
E
价值
140
140
5
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
基极电流 - 连续
15
5
发射极电流 - 连续
20
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
200
1.14
W
W / ℃，
°C
T
J
, T
英镑
-65到+200
TO- 204AA （TO- 3）
案例1-07
风格1
标记图
MJ1500xG
Ayyww
MEX
热特性
特征
符号
R
QJC
T
L
最大
单位
热阻，结到外壳
0.875
265
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的
从案例的目的1/16“
v
10秒]
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
MJ1500x =器件代码
x = 1或2
G
= Pb-Free包装
A
=地点代码
YY
=年
WW
=工作周
MEX
=国家的由来
订购信息
设备
MJ15001
MJ15001G
MJ15002
MJ15002G
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
包
TO204AA
TO204AA
（无铅）
TO204AA
TO204AA
（无铅）
航运
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 第4版
出版订单号：
MJ15001/D
MJ15001 （ NPN ） ， MJ15002 （ PNP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
， = 200 MADC ，我
B
= 0)
V
CEO （ SUS ）
I
CEX
140
VDC
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 140伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 140伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150°C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 140伏，我
B
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 VDC ，我
C
= 0)
100
2.0
250
100
MADC
MADC
MADC
MADC
I
首席执行官
I
EBO
第二击穿
第二击穿集电极电流与基地正向偏置
(V
CE
= 40 VDC ，T = 1秒（不重复） ）
(V
CE
= 100伏，T = 1秒（不重复） ）
I
S / B
ADC
5.0
0.5
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 4个ADC ，V
CE
= 2 VDC ）
h
FE
25
150
1.0
2.0
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 4个ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
基射极电压ON
(I
C
= 4个ADC ，V
CE
= 2 VDC ）
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
VDC
VDC
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 0.5兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0, f
TEST
= 1兆赫）
f
T
2.0
兆赫
pF
C
ob
1000
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2%.
200
T
C
= 25°C
10
7
5
3
2
1
T
J
= 200°C
键合丝有限公司
热限制要求（单脉冲）
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定V
首席执行官
2
3
5 7 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
200
0.7
0.5
0.3
0.2
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图1中的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。在高温情况下，
的温度下，热限制会降低功率
可以处理到的值小于规定的限制
二次击穿。
图1.活动区安全工作区
http://onsemi.com
2
MJ15001 （ NPN ） ， MJ15002 （ PNP ）
带宽积（兆赫）
典型特征
1000
700
500
C，电容（pF ）
300
200
100
70
50
30
20
10
1.5 2
3
MJ15001 （ NPN ）
MJ15002 （ PNP ）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2 3
I
C
，集电极电流（ AMP ）
5
7
10
MJ15001
（ NPN ）
T
J
= 25°C
V
CE
= 10 V
f
TEST
= 0.5兆赫
MJ15002 （ PNP ）
C
ib
C
ib
C
ob
T
J
= 25°C
5
7 10
20 30
50
V
R
，反向电压（伏）
70
100 150
图2的电容
F T ，电流增益
C
ob
图3.电流增益 - 带宽积
MJ15001
200
100
的hFE ， DC电流增益
70
50
30
20
10
7
5
3
2
0.2 0.3
T
J
= 100°C
25°C
的hFE ， DC电流增益
V
CE
= 2 VDC
200
100
70
50
30
20
10
7
5
MJ15002
T
J
= 100°C
25°C
V
CE
= 2 VDC
0.5 0.7 1
2
3
5
7
I
C
，集电极电流（ AMP ）
10
20
3
2
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7
I
C
，集电极电流（ AMP ）
10
20
图4.直流电流增益
MJ15001
2.0
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.0
MJ15002
1.6
1.2
V
BE
@ V
CE
= 2 VDC
T
J
= 25°C
100°C
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.5 0.7
1
T
J
= 100°C
25°C
2
3
5
7
10
20
1.2
0.8
V
BE
@ V
CE
= 2 VDC
T
J
= 25°C
100°C
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
T
J
= 100°C
25°C
2
3
5
7
10
20
0.8
0.4
0.4
0
0.2 0.3
0
0.2 0.3
0.5 0.7
1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图5.为“ON”电压
http://onsemi.com
3
MJ15001 （ NPN ） ， MJ15002 （ PNP ）
包装尺寸
的TO- 204 （TO- 3）
案例1-07
ISSUE
A
N
C
T
E
D
2 PL
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
K
M
0.13 (0.005)
U
V
2
Q
M
Y
M
L
G
1
Y
H
B
Q
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
EpiBase是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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4
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