MP03 XXX 190系列
MP03 XXX 190系列
相位控制双可控硅SCR /二极管模块
取代1998年12月版， DS5099-3.0
2000 DS5099-4.0一月
特点
s
双驱动器模块
s
电气隔离套餐
s
压接施工
s
国际标准的足迹
s
氧化铝（无毒）分离培养基
应用
s
电机控制
s
可控整流桥
s
加热器控制
s
AC相位控制
电压额定值
TYPE
数
重复
PEAK
电压
V
DRM
V
RRM
1200
1000
800
条件
HBN
HBP
CODE
HBT
主要参数
1200V
V
DRM
I
TSM
5500A
I
T（ AV ）
（每组）
190A
2500V
V
ISOL
电路选项
电路
包装外形
MP03 / 190 - 12
MP03 / 190 - 10
MP03 / 190 - 08
T
（ VJ ）
= 125
o
C
I
DRM
= I
RRM
= 30毫安
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。对于部分充分说明
数见第3页上的"Ordering Instructions" 。
模块的外形类型代码： MP03 。
见包详细信息以获取更多信息
电流额定值 - 每个ARM
符号
参数
条件
T
例
= 75
o
C
I
T（ AV ）
意思是通态电流
半波，电阻性负载
T
例
= 85
o
C
T
散热器
= 75
o
C
T
散热器
= 85
o
C
I
T（ RMS ）
有效值
T
例
= 75
o
C
马克斯。
190
158
160
133
300
单位
A
A
A
A
A
1/10
MP03 XXX 190系列
浪涌额定值 - 每个ARM
符号
I
TSM
参数
浪涌（非重复）通态电流
条件
10ms的半正弦;
T
j
= 125
o
C
10ms的半正弦;
T
j
= 125
o
C
V
R
= 0
V
R
= 50% V
RRM
V
R
= 0
V
R
= 50% V
RRM
马克斯。
5500
4200
151000
88200
单位
A
A
A
2
s
A
2
s
I
2
t
I
2
吨融合
热&机械额定值
符号
参数
dc
R
日（J -C ）
热阻 - 结到管壳
每个晶闸管或二极管
半波
3相
R
TH（ C- HS ）
T
vj
T
申通快递
V
ISOL
热电阻 - 案件散热器
每个晶闸管或二极管
虚拟结温
存储温度范围
隔离电压
Commoned终端底板
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
安装扭矩= 5Nm的
与安装复合
条件
马克斯。
0.21
0.22
0.23
0.05
125
-40至125
2.5
单位
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
o
o
C
C
o
kV
动态特性
符号
V
TM
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
V
T（ TO ）
r
T
参数
通态电压
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
条件
在500A ，T
例
= 25
o
- 见注1
在V
RRM
/V
DRM
, T
j
= 125
o
C
60 ％V
DRM
T
j
= 125
o
C
从67 ％V
DRM
以400A
50Hz的重复
门源20V ， 20Ω
上升时间0.5μs的，T
j
=125
o
C
在T
vj
= 125
o
- 见注1
在T
vj
= 125
o
- 见注1
马克斯。
1.30
30
200*
100
单位
V
mA
V / μs的
A / μs的
率通态电流上升
阈值电压
通态斜率电阻
0.88
0.70
V
m
*更高的dV / dt值可用，请联络厂方的特殊要求。
注1：在此数据表中给定的相对于正向电压降中的数据是在电力消耗计算
只有半导体元件。在模块的电源端子测量正向电压降将超过这些
图中，由于从所述终端向所述半导体母线的阻抗。
2/10
MP03 XXX 190系列
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
阳极相对于阴极为正的
条件
V
DRM
= 6V ，T
例
= 25
o
C，R
L
= 6
V
DRM
= 6V ，T
例
= 25
o
C，R
L
= 6
V
D
= V
DRM
, T
j
= 125C
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
3.0
200
0.20
5.0
4
16
3
单位
V
mA
V
V
A
W
W
订购说明
部件号是由如下所示：
示例：
MP03 HBP190 - 08
MP03 HBN190 - 12
MP03 HBT190 - 10
MP03 HBT 190 - 12
MP
03
HBT
190
12
=压力接触模块
=外形类型
=电路配置代码（见"circuit options" - 头版）
=额定平均电流额定值在T
例
= 75
o
C
= V
RRM
/100
注：二极管额定值和特性相媲美可控硅的类型或HBP HBN 。
类型HBP或HBN也可以用二极管的极性反转，特殊订货供应。
安装建议
足够的散热需要维持基础体温
在75
o
c。如果全额定电流来实现。功耗
可以通过使用Ⅴ的计算
T（ TO ）
和R
T
按照信息
与标准公式。我们可以提供协助
的计算或选择，散热器，如果需要。
散热片的表面必须光滑，平整;的表面光洁度
N6 （ 32μin ） ，并在0.05毫米的平整度（ 0.002" ）是
推荐使用。
之前立即安装，散热片表面应
用细砂，苏格兰布里特或温和的化学轻轻擦洗
蚀刻剂，然后用溶剂清洗，以除去氧化物建立
和异物。应注意确保没有外国
颗粒依然存在。
甚至涂层的热化合物（如： Unial ）的应
同时适用于散热片和模块的安装表面。这
理想情况下应该每面0.05毫米（ 0.002" ） ，以确保最佳
散热性能。
应用热复合后，正视放置模块
在安装孔（或“T”槽）中的散热片。利用
扭力扳手，慢慢拧紧，建议固定螺栓处
每个端部，进而没有在旋转每1/4以上的一次革命
一时间。持续到5Nm的（ 44lb.ins ）所需的扭矩
在两端到达。
这是不能接受的，充分拧紧一个固定螺栓开始之前
拧紧等。这样的行为可能会损坏模块。
3/10
MP03 XXX 190系列
曲线
2500
瞬时通态电流I
T
- (A)
2000
1500
T
j
= 125C
1000
500
0
0
1.0
2.0
3.0
瞬时通态电压V
T
- (V)
4.0
图。 1最大（极限）的通态特性（晶闸管或二极管） - 见注1
50
P
G
M
=
栅极电压V
G
- (V)
10
16
W
T
j
= 25C
T
j
= -40C
T
j
= 125C
1
0.1
0.01
0.1
1
门电流I
G
- (A)
图。 2门极触发特性
10
4/10
MP03 XXX 190系列
0.3
R
日（ J- HS ）
热阻抗 - （ C / W）
R
日（J -C ）
0.2
0.1
0
0.001
0.010
0.100
时间 - （多个）
1.0
10
100
图。 3瞬态热阻抗（ DC ） - （晶闸管或二极管）
峰值半正弦波通态电流 - （ KA）
10
100
90
8
I
2
t
80
70
I
2
吨价 - 一个
2
s ×10
3
6
60
50
4
40
30
2
20
10
0
1
ms
10
1
2 3 45
0
50
周期为50Hz
长短
图。 4浪涌（非重复）通态电流与时间（用50 ％V
RRM
, T
例
= 125C （晶闸管或二极管）
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MP03 XXX 190系列
MP03 XXX 190系列
相位控制双可控硅SCR /二极管模块
取代1998年12月版， DS5099-3.0
2000 DS5099-4.0一月
特点
s
双驱动器模块
s
电气隔离套餐
s
压接施工
s
国际标准的足迹
s
氧化铝（无毒）分离培养基
应用
s
电机控制
s
可控整流桥
s
加热器控制
s
AC相位控制
电压额定值
TYPE
数
重复
PEAK
电压
V
DRM
V
RRM
1200
1000
800
条件
HBN
HBP
CODE
HBT
主要参数
1200V
V
DRM
I
TSM
5500A
I
T（ AV ）
（每组）
190A
2500V
V
ISOL
电路选项
电路
包装外形
MP03 / 190 - 12
MP03 / 190 - 10
MP03 / 190 - 08
T
（ VJ ）
= 125
o
C
I
DRM
= I
RRM
= 30毫安
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。对于部分充分说明
数见第3页上的"Ordering Instructions" 。
模块的外形类型代码： MP03 。
见包详细信息以获取更多信息
电流额定值 - 每个ARM
符号
参数
条件
T
例
= 75
o
C
I
T（ AV ）
意思是通态电流
半波，电阻性负载
T
例
= 85
o
C
T
散热器
= 75
o
C
T
散热器
= 85
o
C
I
T（ RMS ）
有效值
T
例
= 75
o
C
马克斯。
190
158
160
133
300
单位
A
A
A
A
A
1/10
MP03 XXX 190系列
浪涌额定值 - 每个ARM
符号
I
TSM
参数
浪涌（非重复）通态电流
条件
10ms的半正弦;
T
j
= 125
o
C
10ms的半正弦;
T
j
= 125
o
C
V
R
= 0
V
R
= 50% V
RRM
V
R
= 0
V
R
= 50% V
RRM
马克斯。
5500
4200
151000
88200
单位
A
A
A
2
s
A
2
s
I
2
t
I
2
吨融合
热&机械额定值
符号
参数
dc
R
日（J -C ）
热阻 - 结到管壳
每个晶闸管或二极管
半波
3相
R
TH（ C- HS ）
T
vj
T
申通快递
V
ISOL
热电阻 - 案件散热器
每个晶闸管或二极管
虚拟结温
存储温度范围
隔离电压
Commoned终端底板
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
安装扭矩= 5Nm的
与安装复合
条件
马克斯。
0.21
0.22
0.23
0.05
125
-40至125
2.5
单位
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
o
o
C
C
o
kV
动态特性
符号
V
TM
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
V
T（ TO ）
r
T
参数
通态电压
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
条件
在500A ，T
例
= 25
o
- 见注1
在V
RRM
/V
DRM
, T
j
= 125
o
C
60 ％V
DRM
T
j
= 125
o
C
从67 ％V
DRM
以400A
50Hz的重复
门源20V ， 20Ω
上升时间0.5μs的，T
j
=125
o
C
在T
vj
= 125
o
- 见注1
在T
vj
= 125
o
- 见注1
马克斯。
1.30
30
200*
100
单位
V
mA
V / μs的
A / μs的
率通态电流上升
阈值电压
通态斜率电阻
0.88
0.70
V
m
*更高的dV / dt值可用，请联络厂方的特殊要求。
注1：在此数据表中给定的相对于正向电压降中的数据是在电力消耗计算
只有半导体元件。在模块的电源端子测量正向电压降将超过这些
图中，由于从所述终端向所述半导体母线的阻抗。
2/10
MP03 XXX 190系列
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
阳极相对于阴极为正的
条件
V
DRM
= 6V ，T
例
= 25
o
C，R
L
= 6
V
DRM
= 6V ，T
例
= 25
o
C，R
L
= 6
V
D
= V
DRM
, T
j
= 125C
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
3.0
200
0.20
5.0
4
16
3
单位
V
mA
V
V
A
W
W
订购说明
部件号是由如下所示：
示例：
MP03 HBP190 - 08
MP03 HBN190 - 12
MP03 HBT190 - 10
MP03 HBT 190 - 12
MP
03
HBT
190
12
=压力接触模块
=外形类型
=电路配置代码（见"circuit options" - 头版）
=额定平均电流额定值在T
例
= 75
o
C
= V
RRM
/100
注：二极管额定值和特性相媲美可控硅的类型或HBP HBN 。
类型HBP或HBN也可以用二极管的极性反转，特殊订货供应。
安装建议
足够的散热需要维持基础体温
在75
o
c。如果全额定电流来实现。功耗
可以通过使用Ⅴ的计算
T（ TO ）
和R
T
按照信息
与标准公式。我们可以提供协助
的计算或选择，散热器，如果需要。
散热片的表面必须光滑，平整;的表面光洁度
N6 （ 32μin ） ，并在0.05毫米的平整度（ 0.002" ）是
推荐使用。
之前立即安装，散热片表面应
用细砂，苏格兰布里特或温和的化学轻轻擦洗
蚀刻剂，然后用溶剂清洗，以除去氧化物建立
和异物。应注意确保没有外国
颗粒依然存在。
甚至涂层的热化合物（如： Unial ）的应
同时适用于散热片和模块的安装表面。这
理想情况下应该每面0.05毫米（ 0.002" ） ，以确保最佳
散热性能。
应用热复合后，正视放置模块
在安装孔（或“T”槽）中的散热片。利用
扭力扳手，慢慢拧紧，建议固定螺栓处
每个端部，进而没有在旋转每1/4以上的一次革命
一时间。持续到5Nm的（ 44lb.ins ）所需的扭矩
在两端到达。
这是不能接受的，充分拧紧一个固定螺栓开始之前
拧紧等。这样的行为可能会损坏模块。
3/10
MP03 XXX 190系列
曲线
2500
瞬时通态电流I
T
- (A)
2000
1500
T
j
= 125C
1000
500
0
0
1.0
2.0
3.0
瞬时通态电压V
T
- (V)
4.0
图。 1最大（极限）的通态特性（晶闸管或二极管） - 见注1
50
P
G
M
=
栅极电压V
G
- (V)
10
16
W
T
j
= 25C
T
j
= -40C
T
j
= 125C
1
0.1
0.01
0.1
1
门电流I
G
- (A)
图。 2门极触发特性
10
4/10
MP03 XXX 190系列
0.3
R
日（ J- HS ）
热阻抗 - （ C / W）
R
日（J -C ）
0.2
0.1
0
0.001
0.010
0.100
时间 - （多个）
1.0
10
100
图。 3瞬态热阻抗（ DC ） - （晶闸管或二极管）
峰值半正弦波通态电流 - （ KA）
10
100
90
8
I
2
t
80
70
I
2
吨价 - 一个
2
s ×10
3
6
60
50
4
40
30
2
20
10
0
1
ms
10
1
2 3 45
0
50
周期为50Hz
长短
图。 4浪涌（非重复）通态电流与时间（用50 ％V
RRM
, T
例
= 125C （晶闸管或二极管）
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