MJ14001 （ PNP ） ，
MJ14002 * （ NPN ）
MJ14003 * （ PNP ）
*首选设备
大电流互补
硅功率晶体管
在高功率的放大器和开关电路，设计用于
应用程序。
特点
http://onsemi.com
高电流能力 - 我
C
连续= 60安培
直流电流增益 - ^ h
FE
= 15100 @ I
C
= 50 ADC
低集电极 - 发射极饱和电压-V
CE （ SAT ）
= 2.5伏（最大）
@ I
C
= 50 ADC
无铅包可用*
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
基极电流 - 连续
发射极电流 - 连续
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
MJ14001
MJ14002/03
MJ14001
MJ14002/03
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
I
E
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
80
60
80
5.0
60
15
75
300
1.71
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
ADC
W
W / ℃，
°C
60安培
其他芯片
功率晶体管
60-80伏， 300瓦
记号
图
MJ1400xG
Ayyww
MEX
的TO- 204 （TO- 3）
CASE 197A
风格1
MJ1400x =器件代码
XX为1 ，2或3
G
= Pb-Free包装
A
=地点代码
YY
=年
WW
=工作周
MEX
=国家的由来
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
360
PD ，功耗（瓦）
330
270
210
150
90
订购信息
设备
MJ14001
MJ14001G
MJ14002
MJ14002G
MJ14003
包
TO3
TO3
（无铅）
TO3
TO3
（无铅）
TO3
TO3
（无铅）
航运
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
100单位/托盘
30
0
MJ14003G
0
40
80
120
160
T
C
，外壳温度（ ° C）
200
240
图1.功率降额
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，请下载安森美半导体焊接和安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年12月 - 修订版6
出版订单号：
MJ14001/D
MJ14001 （ PNP ） ， MJ14002 * （ NPN ） ， MJ14003 * （ PNP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
热特性
特征
符号
R
QJC
最大
单位
热阻，结到外壳
0.584
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 200 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
V
CEO （ SUS ）
VDC
MJ14001
MJ14002 ， MJ14003
MJ14001
MJ14402 ， MJ14003
60
80
I
首席执行官
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5 V)
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
I
CEX
mA
MJ14001
MJ14002 ， MJ14003
I
CBO
mA
MJ14001
MJ14002 ， MJ14003
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
I
EBO
mA
基本特征
直流电流增益（注1 ）
(I
C
= 25个ADC ，V
CE
= 3.0 V)
(I
C
= 50 ADC ，V
CE
= 3.0 V)
(I
C
= 60 ADC ，V
CE
= 3.0 V)
h
FE
30
15
5.0
100
1.0
2.5
3.0
2.0
3.0
4.0
集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 25个ADC ，我
B
= 2.5 ADC）
(I
C
= 50 ADC ，我
B
= 5.0 ADC）
(I
C
= 60 ADC ，我
B
= 12 ADC）
基射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 25个ADC ，我
B
= 2.5 ADC）
(I
C
= 50 ADC ，我
B
= 5.0 ADC）
(I
C
= 60 ADC ，我
B
= 12 ADC）
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
动态特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
C
ob
2000
pF
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
100
70
50
30
20
5.0毫秒
dc
T
C
= 25°C
WIRE BOND LIMIT
热限制
第二击穿极限
1.0毫秒
1.0
ms
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
MJ14001
MJ14002 ， MJ14003
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作：即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图13.在高温情况下，热限制
将减少可处理到的值小于电源
限制施加的二次击穿。
图2.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
2
MJ14001 （ PNP ） ， MJ14002 * （ NPN ） ， MJ14003 * （ PNP ）
典型电气特性
MJ14002 （ NPN ）
300
200
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
30
50
70
V
CE
= 3.0 V
T
J
= 55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
MJ14001 ， MJ14003 （ PNP ）
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.8
2.4
2.0
1.6
I
C
= 25 A
1.2
0.8
0.4
0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
I
C
= 10 A
T
J
= 25°C
2.8
2.4
2.0
1.6
图4.直流电流增益
I
C
= 60 A
T
J
= 25°C
I
C
= 60 A
I
C
= 25 A
1.2
0.8
0.4
0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
B
，基极电流（ AMPS ）
5.0 7.0
10
I
C
= 10 A
I
B
，基极电流（ AMPS ）
图5.集电极饱和区
2.8
2.4
V，电压（V ）
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.7
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
2.0
5.0 7.0 10
20 30
3.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
50
70
0.4
0
0.7
1.0
T
J
= 25°C
V，电压（V ）
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
图6.集电极饱和区
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 3.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
50
70
图7. “开”电压
图8. “开”电压
http://onsemi.com
3
MJ14001 （ PNP ） ， MJ14002 * （ NPN ） ， MJ14003 * （ PNP ）
1.0
0.7
0.5
0.3
T， TIME （
μ
s)
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.7 1.0
MJ14002 （ NPN ）
MJ14001 ， MJ14003 （ PNP ）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
50
70
t
d
t
r
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.04
0.7 1.0
t
f
4.0
3.0
2.0
t
s
MJ14002 （ NPN ）
MJ14001 ， MJ14003 （ PNP ）
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
50
70
图9.导通开关时间
图10.关断开关时间
V
CC
+2.0 V
0
10000
7000
5000
C，电容（pF ）
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
1.0
C
ib
C
ob
T
J
= 25°C
MJ14002 （ NPN ）
MJ14001 ， MJ14003 （ PNP ）
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
V
R
，反向电压（伏）
50
70 100
C
ib
C
ob
0
12 V
t
r
≤
20纳秒
12 V
R
L
R
B
30 V
TO SCOPE
t
r
≤
20纳秒
10至100
ms
占空比
≈
2.0%
+10
V
V
CC
R
L
30 V
R
B
TO SCOPE
t
r
≤
20纳秒
t
r
≤
20纳秒
10至100
ms
V
BB
占空比
≈
2.0%
+7.0 V
针对图曲线3 & 6，R
B
＆放大器;
L
是多种多样的。
输入电平大致如图所示。
适用于NPN电路翻转所有的极性。
图11.电容变化
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
图12.开关测试电路
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.05
0.07
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
吨，时间（ ms）的
20 30
50 70 100
200 300
500 700 1000 2000
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 0.584 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.02 0.03
图13.热响应
http://onsemi.com
4
MJ14001 （ PNP ） ， MJ14002 * （ NPN ） ， MJ14003 * （ PNP ）
包装尺寸
的TO- 204 （TO- 3）
CASE 197A -05
ISSUE
A
N
C
T
E
D
2 PL
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
1.530 REF
0.990 1.050
0.250 0.335
0.057 0.063
0.060 0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440 0.480
0.665 BSC
0.760 0.830
0.151 0.165
1.187 BSC
0.131 0.188
MILLIMETERS
最小最大
38.86 REF
25.15 26.67
6.35
8.51
1.45
1.60
1.53
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18 12.19
16.89 BSC
19.31 21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
K
M
0.30 (0.012)
Q
M
Y
M
U
V
2
L
G
Y
H
B
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
1
Q
0.25 (0.010)
M
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
案例：收藏家
牛逼
M
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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