超小型
光电断路器
描述
麻省理工学院- 4A11A由砷化镓的IN-
frared发光二极管和NPN硅phototran-
体管，双层模具塑料封装。它是一个
透过微型光电断路器。
1
2
MIT-4A11A
包装尺寸
C
E
3
单位：mm
A
4.2
C
4
5.0
1.5
(1.0
(0.3)
2.0
特点
l
l
l
l
ULTRA- COMPACT
印刷电路板安装型封装
高检测精度（狭缝宽度： 0.3毫米）
光发射器和检测器之间的差距：2毫米
3.9
2.8
5.2
± 1.5 ± 0.1Hold
4-0.5
4-0.15
4.0
分钟。
应用
l
l
l
*2.54
*4.0
相机
软盘驱动器
打印机
记
1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。
2.伯尔的尺寸： 0.15MAX
3. （ ） ：参考尺寸
4.按指示的尺寸*指那些测量
从引线基
绝对最大额定值
参数
连续正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极 - 发射极击穿电压
输出发射极 - 集电极击穿电压
集电极耗散功率
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
符号
I
F
V
R
P
ad
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
P
C
P
合计
T
OPR
T
英镑
T
SOL
最大额定值
50
5
75
30
5
75
100
@T
A
=25
o
C
单位
mA
V
mW
V
V
mW
mW
-25
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 100
o
C
260
o
下3秒
东贝光电科技有限公司
04/01/2002
MIT-4A11A
典型的光 - 电特性曲线
集电极暗电流I
首席执行官
10000
V
CE
=20V
1000
100
10
1
0
25
50
75
100
1000
响应时间（
s)
100
10
1
V
CE
=2V
I
C
=100
A
Ta=25
℃
0.1
0.01
0.1
1
10
100
环境温度T
A
(
℃
)
图7集电极暗电流与
环境温度
100
负载阻抗R
t
(K)
图8响应时间与
负载电阻
相对灵敏度（ ％ ）
Ta=25℃
80
60
40
20
0
700
输入
800
900
1000
1100
1200
输入
产量
响应时间测量电路
t
90 %
10 %
t
tr
tf
IL
VR
产量
V
CC
波长（nm ）
图9光谱灵敏度（检测端）
检测位置特性
（典型值）
X
Y
I
F
=20mA
V
CE
=5V
I
F
=20mA
V
CE
=5V
Ta=25
℃
相对光电流I
L
(%)
100
Ta=25
℃
（光轴中心）
50
X
Y
0
0
-2 -1 0 +1 +2 (mm) -2 -1 0 +1 +2 (mm)
0
+
+
间距d（毫米）
东贝光电科技有限公司
04/01/2002
超小型
光电断路器
描述
麻省理工学院- 4A11A由砷化镓的IN-
frared发光二极管和NPN硅phototran-
体管，双层模具塑料封装。它是一个
透过微型光电断路器。
1
2
MIT-4A11A
包装尺寸
C
E
3
单位：mm
A
4.2
C
4
5.0
1.5
(1.0
(0.3)
2.0
特点
l
l
l
l
ULTRA- COMPACT
印刷电路板安装型封装
高检测精度（狭缝宽度： 0.3毫米）
光发射器和检测器之间的差距：2毫米
3.9
2.8
5.2
± 1.5 ± 0.1Hold
4-0.5
4-0.15
4.0
分钟。
应用
l
l
l
*2.54
*4.0
相机
软盘驱动器
打印机
记
1.公差为±0.25毫米（ 0.010" ），除非另有说明。
2.伯尔的尺寸： 0.15MAX
3. （ ） ：参考尺寸
4.按指示的尺寸*指那些测量
从引线基
绝对最大额定值
参数
连续正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极 - 发射极击穿电压
输出发射极 - 集电极击穿电压
集电极耗散功率
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
符号
I
F
V
R
P
ad
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） ECO
P
C
P
合计
T
OPR
T
英镑
T
SOL
最大额定值
50
5
75
30
5
75
100
@T
A
=25
o
C
单位
mA
V
mW
V
V
mW
mW
-25
o
C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 100
o
C
260
o
下3秒
东贝光电科技有限公司
04/01/2002
MIT-4A11A
典型的光 - 电特性曲线
集电极暗电流I
首席执行官
10000
V
CE
=20V
1000
100
10
1
0
25
50
75
100
1000
响应时间（
s)
100
10
1
V
CE
=2V
I
C
=100
A
Ta=25
℃
0.1
0.01
0.1
1
10
100
环境温度T
A
(
℃
)
图7集电极暗电流与
环境温度
100
负载阻抗R
t
(K)
图8响应时间与
负载电阻
相对灵敏度（ ％ ）
Ta=25℃
80
60
40
20
0
700
输入
800
900
1000
1100
1200
输入
产量
响应时间测量电路
t
90 %
10 %
t
tr
tf
IL
VR
产量
V
CC
波长（nm ）
图9光谱灵敏度（检测端）
检测位置特性
（典型值）
X
Y
I
F
=20mA
V
CE
=5V
I
F
=20mA
V
CE
=5V
Ta=25
℃
相对光电流I
L
(%)
100
Ta=25
℃
（光轴中心）
50
X
Y
0
0
-2 -1 0 +1 +2 (mm) -2 -1 0 +1 +2 (mm)
0
+
+
间距d（毫米）
东贝光电科技有限公司
04/01/2002
QQ：2881677436 复制
