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富士通半导体
数据表
DS05-20890-1E
页模式闪存
CMOS
32 M (2 M
×
16/1 M
×
32 )位
MBM29PL3200TE/BE
70/90
s
描述
该MBM29PL3200TE / BE是32位, 3.0 V ,只有页模式的Flash组织成2 M个字的16位内存
每个或1M字的每个32位。该器件采用90引脚SSOP和84球FBGA封装。该装置
被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备还可以在标准EPROM重新编程亲
程序员。
(续)
s
产品线
产品型号
订货型号
V
CC
=
3.3 V
+0.3
V
0.3
V
+0.6
V
V
CC
=
3.0 V
0.3
V
MBM29PL3200TE/BE
70
70
25
70
25
90
90
35
90
35
马克斯。随机地址访问时间(纳秒)
马克斯。页地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
s
套餐
90引脚塑料SSOP
84球FBGA封装胶
(FPT-90P-M01)
(BGA-84P-M01)
MBM29PL3200TE/BE
70/90
(续)
该器件可提供真正的高性能非易失性闪存解决方案。该器件提供快速页面
25毫微秒和35毫微秒为70毫微秒和90毫微秒的随机访问时间的访问次数,高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用,该设备有独立的芯片使能( CE ) ,
写使能(WE)和输出使能(OE )控制。页面大小为8个字或4个双字。
该设备命令集与JEDEC标准E兼容
2
PROM中。命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到内部语句
机,它控制了擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
节目
TM
*算法,它是一个内部算法,可以自动倍的程序的脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。典型地,每个扇区可以被编程,并在大约2.2秒验证。抹去
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除
TM
*算法,
这是一个内部算法,可以自动preprograms数组,如果它尚未之前编程
在执行擦除操作。在擦除时,自动装置倍擦除脉冲宽度和验证
正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和4.8秒验证。 (如果已预编程。 )
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程,而不会影响其他部门。从工厂发货时,该设备被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
,输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时已完成,
该装置内部复位到读模式。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验,生产的最高
质量,可靠性和成本效益的水平。该设备的内存电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒 - Nordhiem隧道。该字/双字编程一个字/双字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
*:嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices , Inc.的商标。
s
特点
0.23
米制程技术
单3.0V,读取,编程和擦除
最小化系统级电源要求
高性能页模式
25 ns(最大值)页面访问时间( 70 ns的随机存取时间)
8个字第(
×
16 ) / 4双字(
×
32 )尺寸
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
90引脚SSOP封装(封装后缀: PFV )
84球FBGA (包后缀: PBT )
最低100,000编程/擦除周期
扇区擦除架构
一个16K的字,两个8 K字, 1 96 1k字,并在字模式15 128 K字部门(
×
16)
一个8K的双字,双4K的双字,一是48 双字,和15的64K双字的行业
双字模式(
×
32)
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
2
MBM29PL3200TE/BE
70/90
引导代码部门架构
T
=
热门行业
B
=
底部部门
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
在指定的地址,自动编程和校验数据
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
自动休眠模式
当地址保持稳定,自动切换自己的低功耗模式
低V
CC
写禁止
2.5 V
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
通过扩展指令快速编程功能
临时机构unprotection的
临时机构解除保护的软件命令
根据CFI (通用闪存接口)
3
MBM29PL3200TE/BE
70/90
s
引脚分配
SSOP
( TOP VIEW )
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
V
CC
DQ
0
DQ
16
DQ
1
DQ
17
V
SS
V
CC
DQ
2
DQ
18
DQ
3
DQ
19
DQ
4
DQ
20
DQ
5
DQ
21
V
SS
V
CC
DQ
6
DQ
22
DQ
7
DQ
23
V
SS
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
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18
19
20
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23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
WP
WE
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
DW / W
OE
CE
V
SS
DQ
31
/A
-1
DQ
15
DQ
30
DQ
14
V
SS
V
CC
DQ
29
DQ
13
DQ
28
DQ
12
DQ
27
DQ
11
DQ
26
DQ
10
V
SS
V
CC
DQ
25
DQ
9
DQ
24
DQ
8
V
CC
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
FPT-90P-M01
(续)
4
MBM29PL3200TE/BE
70/90
(续)
FBGA
( TOP VIEW )
侧面标
B9
DQ
30
A8
CE
A7
北卡罗来纳州
A6
WE
A5
北卡罗来纳州
A4
A
1
A3
A
4
B8
V
SS
B7
DW / W
B6
北卡罗来纳州
B5
B4
A
2
B3
A
5
B2
V
CC
C9
V
CC
C8
DQ
15
C7
OE
C6
D9
DQ
13
D8
DQ
29
D7
DQ
14
D6
E9
DQ
12
E8
DQ
28
E7
V
SS
E6
F9
DQ
27
F8
DQ
11
F7
DQ
10
F6
北卡罗来纳州
F5
北卡罗来纳州
F4
北卡罗来纳州
F3
DQ
5
F2
DQ
4
F1
DQ
20
G9
DQ
26
G8
V
SS
G7
DQ
25
G6
DQ
8
G5
北卡罗来纳州
G4
A
12
G3
DQ
21
G2
DQ
6
G1
V
SS
H9
V
CC
H8
DQ
24
H7
A
18
H6
A
15
H5
北卡罗来纳州
H4
A
11
H3
A
8
H2
DQ
7
H1
V
CC
J9
DQ
9
J8
V
CC
J7
A
17
J6
A
14
J5
北卡罗来纳州
J4
A
9
J3
A
6
J2
DQ
23
J1
DQ
22
K8
A
19
K7
A
16
K6
A
13
K5
北卡罗来纳州
K4
A
10
K3
A
7
K2
V
SS
北卡罗来纳州DQ
31
/A
-1
北卡罗来纳州
C5
WP
C4
A
3
C3
DQ
0
C2
DQ
1
C1
DQ
17
D5
北卡罗来纳州
D4
A
0
D3
DQ
16
D2
V
SS
D1
V
CC
E5
北卡罗来纳州
E4
DQ
2
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DQ
18
E2
DQ
19
E1
DQ
3
BGA-84P-M01
5
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