MBM29PL3200TE/BE
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(续)
该器件可提供真正的高性能非易失性闪存解决方案。该器件提供快速页面
25毫微秒和35毫微秒为70毫微秒和90毫微秒的随机访问时间的访问次数,高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用,该设备有独立的芯片使能( CE ) ,
写使能(WE)和输出使能(OE )控制。页面大小为8个字或4个双字。
该设备命令集与JEDEC标准E兼容
2
PROM中。命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到内部语句
机,它控制了擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
节目
TM
*算法,它是一个内部算法,可以自动倍的程序的脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。典型地,每个扇区可以被编程,并在大约2.2秒验证。抹去
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除
TM
*算法,
这是一个内部算法,可以自动preprograms数组,如果它尚未之前编程
在执行擦除操作。在擦除时,自动装置倍擦除脉冲宽度和验证
正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和4.8秒验证。 (如果已预编程。 )
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程,而不会影响其他部门。从工厂发货时,该设备被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
,输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时已完成,
该装置内部复位到读模式。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验,生产的最高
质量,可靠性和成本效益的水平。该设备的内存电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒 - Nordhiem隧道。该字/双字编程一个字/双字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
*:嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices , Inc.的商标。
s
特点
0.23
米制程技术
单3.0V,读取,编程和擦除
最小化系统级电源要求
高性能页模式
25 ns(最大值)页面访问时间( 70 ns的随机存取时间)
8个字第(
×
16 ) / 4双字(
×
32 )尺寸
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
90引脚SSOP封装(封装后缀: PFV )
84球FBGA (包后缀: PBT )
最低100,000编程/擦除周期
扇区擦除架构
一个16K的字,两个8 K字, 1 96 1k字,并在字模式15 128 K字部门(
×
16)
一个8K的双字,双4K的双字,一是48 双字,和15的64K双字的行业
双字模式(
×
32)
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
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