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先进的技术信息
MIO 1200-33E10
IGBT模块
单开关
短路SOA能力
广场RBSOA
C
C'
C
C
I
C80
= 1200 A
= 3300 V
V
CES
V
CE （ sat）的典型值。
= 3.1 V
G
E'
E
E
E
IGBT
符号
V
CES
V
GES
I
C80
I
CM
t
SC
T
C
= 80°C
t
p
= 1毫秒;牛逼
C
= 80°C
V
CC
= 2500 V; V
CEM CHIP
= < 3300伏;
V
GE
< 15 V ;牛逼
VJ
＆ LT ; 125°C
条件
V
GE
= 0 V
最大额定值
3300
±
20
1200
2400
10
V
V
A
A
s
特点
NPT IGBT
- 低损耗
- 平滑切换波形
良好的EMC
行业标准包装
- 高功率密度
- AISiC底板为高功率
骑自行车的能力
- 实现低热阻的AlN衬底
典型应用
AC电源转换器
- 工业驱动器
- 风车
- 牵引
激光脉冲发生器
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3.1
3.8
6
8
V
V
V
V
CE （ SAT ）
①
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
水库
Q
ge
R
thJC
I
C
= 1200 A ; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 240毫安; V
CE
= V
GE
V
CE
= 3300 V; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20V;牛逼
VJ
= 125°C
感性负载;牛逼
VJ
= 125°C;
V
GE
= ±15 V; V
CC
= 1800 V;
I
C
= 1200 A ;
G
= 1.5
;
L
σ
= 100 nH的
120毫安
500 nA的
400
200
1070
440
1890
1950
187
11.6
2.2
12.1
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nF
nF
C
0.0085 K / W
417
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 1200 A ; V
CE
= 1800 V; V
GE
=
±
15 V
①
集电极 - 发射极饱和电压给定的芯片级
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
1-6
先进的技术信息
MIO 1200-33E10
二极管
符号
I
F80
I
FSM
条件
T
C
= 80°C
V
R
= 0 V ;牛逼
VJ
= 125°C ;吨
p
= 10毫秒;半正弦波
最大额定值
1200
11000
A
A
符号
V
F
②
I
RM
t
rr
Q
RR
E
REC
R
thJC
条件
I
F
= 1200 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
2.30
2.35
1350
1450
1280
1530
V
V
A
ns
C
mJ
0.017 K / W
V
CC
= 1800伏;我
C
= 1200 A;
V
GE
= ±15 V ;
G
= 1.5
;
T
VJ
= 125°C
感性负载; L
σ
= 100nH的
②
正向电压被给定在芯片级
模块
符号
T
JM
T
VJ
T
英镑
V
ISOL
M
d
条件
最高结温
工作温度
储存温度
50赫兹
安装力矩
底座散热器， M6螺钉
主终端， M8螺丝
最大额定值
+150
-40...+125
-40...+125
6000
4-6
8 - 10
°C
°C
°C
V~
Nm
Nm
符号
d
A
d
S
L
σ
R
长期芯片
*
)
R
thCH
重量
条件
间隙距离
表面爬电距离
距离
终端基地
终端到终端
终端基地
终端到终端
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
23
19
33
33
10
0.085
0.006
1500
mm
mm
mm
mm
nH
m
K / W
g
模块的寄生电感，C到E终端
阻力终端芯片
每个模块;
λ
脂= 1瓦/米
*
)
V = V
CE （ SAT ）
+ R
长期芯片
· I
C
RESP 。 V = V
F
+ R
长期芯片
· I
F
2-6
版权所有2004 IXYS所有权利。
417
先进的技术信息
MIO 1200-33E10
2400
17 V
2000
15 V
13 V
1600
11 V
2400
17 V
2000
15 V
13 V
1600
11 V
I
C
[A]
I
C
[A]
1200
1200
800
9V
400
800
9V
400
T
vj
= 125 °C
0
0
1
2
V
CE
[V]
3
4
5
0
0
1
2
3
V
F
[V]
4
5
6
7
图。 1典型的输出特性，芯片级
2400
图。 2典型的输出特性，芯片级
2400
V
CE
= 20V
2000
25 °C
1600
125 °C
I
C
[A]
I
C
[A]
1200
2000
1600
1200
800
800
125°C
400
V
GE
= 15 V
0
0
1
2
3
V
CE
[V]
4
5
6
400
25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
V
GE
[V]
图。 3典型的通态特性，芯片级
20
V
CC
= 1800
图。 4典型的传输特性，芯片级
1000
C
IES
15
V
CC
= 2500
V
GE
[V]
C [ nF的]
100
V
GE
= 0 V
f
OSC
= 1兆赫
V
OSC
= 50毫伏
10
C
OES
10
5
C
水库
I
C
= 1200 A
T
vj
= 25 °C
0
0
1
2
3
4
5 6 7
Q
g
[C]
8
9
10 11 12
1
0
5
10
15
20
V
CE
[V]
25
30
35
图。 5典型栅极电荷特性
版权所有2004 IXYS所有权利。
3-6
417
图。 6典型电容VS
集电极 - 发射极电压
先进的技术信息
MIO 1200-33E10
6
V
CC
= 1800 V
R
G
= 1.5欧姆
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 100 nH的
9
8
7
E
on
5
V
CC
= 1800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 100 nH的
E
on
4
6
E
on
, E
关闭
[J]
5
4
3
2
E
关闭
E
on
, E
关闭
[J]
3
E
关闭
2
1
1
0
0
500
1000
I
C
[A]
1500
2000
2500
0
0
5
10
R
G
[欧]
15
20
图。每个脉冲7典型开关能量
VS集电极电流
10
t
D（关闭）
图。每个脉冲的8典型开关能量
VS栅极电阻
10
V
CC
= 1800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 100 nH的
t
D（关闭）
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
[s]
t
f
t
D（上）
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
[s]
1
t
D（上）
1
t
r
0.1
t
r
V
CC
= 1800 V
R
G
= 1.5欧姆
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 100 nH的
t
f
0.01
0
500
1000
I
C
[A]
1500
2000
2500
0.1
0
5
10
R
G
[欧]
15
20
图。 9典型的开关时间VS集电极电流
2.5
V
CC
≤
2500 V
图。 10典型的开关时间VS栅极电阻
2400
2000
2
1600
25°C
125°C
1.5
I
Cpulse
/ I
C
I
F
[A]
1200
1
800
0.5
IC，芯片
IC，模块
0
0
500
1000
1500 2000
V
CE
[V]
2500
3000
3500
400
0
0
1
2
V
F
[V]
3
4
图。 11关断安全工作区（ RBSOA ）
4-6
版权所有2004 IXYS所有权利。
417
图。 12典型二极管的正向特性，
芯片级
先进的技术信息
MIO 1200-33E10
2000
1800
1600
E
REC
[兆焦耳] ，我
RM
[A] ，Q
RR
[C]
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
500
1000
1500
I
F
[A]
2000
2500
3000
V
CC
= 1800 V
R
G
= 1.5欧姆
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 100 nH的
I
RM
E
REC
Q
RR
1800
1600
1400
E
REC
[兆焦耳] ，我
RM
[A] ，Q
RR
[C]
1200
1000
800
E
REC
600
400
200
0
0
5
10
R
G
[欧]
15
20
I
RM
V
CC
= 1800 V
I
C
= 1200 A
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 100 nH的
Q
RR
图。 13典型的反向恢复特性
VS正向电流
图。 14典型的反向恢复特性
VS栅极电阻
0.1
Z
日（J -C ）
二极管
Z
号（j -h）中
[ K / W ]的IGBT ，二极管
0.01
Z
日（J -C ）
IGBT
Z
日JC
(t) =
∑
R
i
(1 - e
-t/
τ
i
)
i
=
1
n
i
IGBT
1
5.50
193
11.2
189
2
1.53
31.2
3.73
24.5
3
0.621
8.0
1.30
2.69
4
0.646
1.48
0.42
2.36
日（K /千瓦）
τ
i
（女士）
日（K /千瓦）
τ
i
（女士）
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T [ S]
1
10
图。 15热阻抗与时间
二极管
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5-6
417
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MC33397D
MC9S08GT60
MI-L51-MU
MEH20-60PE1
MC1GU512NBFB-0QC00
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    -
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