飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号： MC33397 / D
REV 2.0 ， 03/2003
超前信息
双/六角低边开关与
SPI和并行输入控制
该33397是一个低侧开关这是用户可配置的是以下两种
333毫欧输出（双模式）或6 900毫欧输出（十六进制模式） 。每路输出
在内部电流限制和短路保护。输出故障检测
功能包括“关闭状态”开放载荷和“状态”短到电池
条件。故障为每个输出被锁存到故障寄存器和串行
移出串行通信中。
33397
DUAL / HEX低边开关
飞思卡尔半导体公司...
特点
用户可配置的是以下两种333毫欧输出（双模式）或六
900毫欧输出（十六进制模式）
输出电感能量夹
并行输入（ 3.3 V和5.0 V兼容）或串行外设接口
（SPI）控制
8位SPI控制和故障诊断
短到电池检测和关机与自动重试
OFF态开路检测
可编程的过压关断（V
PWR
针）
欠压关断（V
DD
针）
休眠模式-I
DD
≤
25
A
(1.0
A
典型）
DW后缀
塑料包装
CASE 751E
24引脚SOICW
订购信息
设备
MC33397DW/R2
温度
范围（T
A
)
-40至125℃的
包
24 SOICW
33397简化应用图
EN
V
DD
13
33397
V
PWR
24
A0
23
A1
14
+V
BAT
MICRO-
调节器
与公交车
EN
15
CS
10
SCLK
3
SI
4
CMOS
输入
逻辑
CMOS
串行
移
注册
和
锁存器
产量
开关
和
SENSE
电路
A2
12
A3
11
A4
2
SO
9
A5
1
GND
5-8, 17-20
本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
摩托罗拉公司2003
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飞思卡尔半导体公司
A5
A4
SCLK
SI
GND
GND
GND
GND
SO
CS
A3
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
PWR
A0
P2
P1
GND
GND
GND
GND
P0
EN
A1
V
DD
飞思卡尔半导体公司...
引脚功能说明
针
1, 2, 11, 12,
14, 23
3
4
5–8, 17–20
9
10
13
15
16
21
22
引脚名称
A0–A5
SCLK
SI
GND
SO
CS
V
DD
EN
P0
P1
P2
电源输出
SPI时钟输入
SPI串行输入
电源和信号接地
SPI串行输出
SPI片选
电源输入引脚
启用
在十六进制模式下， P0控制输出A0 。在双模式下， P0控制输出A0 ，A4和A5的同时
在十六进制模式下， P1控制输出A1 。在双模式中， P 2控制输出端A1，A2和A3同时
在十六进制模式下， P2控制输出A2 。 P2也将模式控制管脚。如果0.25 * V
DD
<P2<0.75*V
DD
多
10微秒，在33397将改变为双模式
过压关断阈值监测引脚（而不是电源引脚用于IC ）
描述
24
V
PWR
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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33397
3
飞思卡尔半导体公司
最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。
等级
电源电压
逻辑电源电压
输入引脚电压
ESD电压
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
单脉冲输出钳位能源
V
ESD1
V
ESD2
J
CLAMP1
J
CLAMP1
f
OP
T
英镑
T
J
T
SOLDER
R
θJ -L
±2000
±200
mJ
50
100
3.5
-55到150
-40至150
260
15
兆赫
°C
°C
°C
° C / W
符号
V
PWR
V
DD
V
IN
价值
50
-0.3 7.0
-0.3到V
DD
+0.3
单位
V
V
V
V
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I
O
= 500毫安，T
J
= 150 ° C（十六进制模式）
I
O
= 1.5 A，T
J
= 150 ° C（双模式）
推荐SPI工作频率
储存温度
工作结温
焊接温度（ 10秒）
热阻，结到铅（注3 ）
笔记
按照人体模型进行1 ESD1 （C
ZA
P
= 100 pF的，R
ZAP
=1500
).
2.
3.
ESD2根据机器模型（下进行
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
=0
).
引线5，6， 7，8， 17 ，18，19 ，和20被焊接到散热接地平面。参见图14 。
33397
4
摩托罗拉模拟
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集成电路设备数据
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飞思卡尔半导体公司
静态电气特性
特征条件4.75 V下注意
≤
V
DD
≤
5.25 V ， -40°C
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明。
特征
符号
民
典型值
最大
单位
电源输入
V
PWR
电源电流（所有输出）
V
PWR
睡眠状态下电源电流
V
PWR
= 17 V ， SPI位7 = 1 ，
EN=5.0
V
过压关断
过压关断迟滞
I
PWR （ ON
)
I
PWR （ SS ）
V
P（ OV ）
V
P（ OV ） HYS
I
DD
I
DDSS
V
DD （ LVI ）
–
1.0
50
A
A
–
30
0.3
–
–
2.5
1.0
33
0.5
1.20
1.0
3.0
10
38
1.5
5.0
25
3.5
V
V
mA
A
V
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逻辑电源电流（所有输出打开）
逻辑电源电流（休眠状态：
EN=5.0
V， SPI位7 = 1 ）
逻辑电源欠压门限抑制
输入
输入电压（ P0， P1，P2
EN ，
SI ， SCLK ， CS ）
高
低
双模式阈值（ P2 ）
阈值上限
阈值下限
输入电流
下拉（ P0 ， P1 ） -V
IN
=V
DD
下拉（ P2 ） -V
IN
=V
DD
引体向上（ CS ） -V
IN
=0 V
引体向上（ EN ） -V
IN
=0 V
引体向上（ SCLK ， SI ） -V
IN
=2.5 V
I
INPD
I
INPD
I
INPU
I
INPU
I
INPU
10
5.0
-20
-100
-10
20
10
-10
–
0
30
30
-5.0
-10
10
V
DMH
V
DML
0.7
0.2
0.75
0.25
0.8
0.3
A
V
IH
V
IL
0.8
–
–
–
–
0.2
V
DD
V
DD
产量
输出漏极至源极导通电阻（十六进制模式） （注4 ）
I
O
= 0.35 ，T
J
=-40°C
I
O
= 0.35 ，T
J
=25°C
I
O
= 0.35 ，T
J
=150°C
输出电压钳位
I
DS
= 20 mA时，输出关闭
I
DS
= 200毫安，输出关闭
输出漏电流（十六进制模式）
EN = H，
位7 = 1 ，V
漏
=24 V
输出逻辑电压（ SO ） ，我
负载
= 1.0毫安
高
低
输出三态泄漏（ SO ） ，V
SO
=2.5 V
V
OH
V
OL
I
SOT
I
O（ SS ）
BV
DSS
R
DS （ ON）
0.39
0.51
0.51
0.5
0.7
1.0
1.2
1.2
1.2
V
50
50
55
56
60
60
A
0
–
10
V
DD
0.8
–
-10
–
–
–
–
0.2
10
A
笔记
4.此参数指定为十六进制模式。在双模式中，参数将是小三倍。
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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33397
5
QQ：2881677436 复制
