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MIG50J101H
东芝智能功率模块硅N沟道IGBT
MIG50J101H
高功率开关应用
电机控制应用
l
集成逆变&控制电路（IGBT驱动单元，保护单元的过流，欠压&
过温）在一个封装中。
l
所述电极从壳体分离。
l
高速型IGBT ： V
CE （SAT）
= 2.5 V （最大值）
t
关闭
= 3.0微秒（最大值）
t
rr
= 0.30微秒（最大值）
l
包装尺寸
l
重量： 520克
：东芝2-110A1A
等效电路
1
2002-10-31
MIG50J101H
最大额定值
(T
j
= 25°C )
舞台
特征
电源电压
集电极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
正向电流
集电极耗散功率
结温
控制电源电压
控制
输入电压
FAULT输出电压
故障输出电流
工作温度
模块
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
AC 1分钟
M5
条件
P -N电源端子
―
TC = 25 ° C， DC
TC = 25 ° C， DC
TC = 25°C
―
V
D
-GND终端
在GND端子
FO - GND （ L）端子
FO吸收电流
―
―
符号
V
CC
V
CES
I
C
I
F
P
C
T
j
V
D
V
IN
V
FO
I
FO
TC
T
英镑
V
ISO
―
评级
450
600
50
50
150
150
20
20
20
14
20
~ +100
40
~ +125
2500
3
单位
V
V
A
A
W
°C
V
V
V
mA
°C
°C
V
Nm
电气特性
(T
j
= 25°C)
a.
倒相级
特征
集电极截止电流
符号
I
CEX
V
CE
= 600V
V
D
= 15 V，I
C
= 50 A
V
IN
= 15 V
→
0 V
I
F
= 50A
V
CC
= 300 V，I
C
= 50 A
V
D
= 15 V, V
IN
= 15 V
0 V
感性负载
（注1 ）
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
2.0
2.0
2.1
0.8
1.2
0.25
0.1
最大
1
20
2.5
―
3.0
2.0
3.0
0.5
0.3
s
单位
mA
集电极 - 发射极饱和电压
正向电压
V
CE （SAT）
V
F
t
on
V
V
开关时间
t
关闭
t
f
t
rr
2
2002-10-31
MIG50J101H
b.
控制级
(T
j
= 25°C)
特征
控制电路
当前
HIGH SIDE
LOW SIDE
符号
I
D（高）
I
D（ L）的
V
IN（上）
V
中（关闭）
I
FO （上）
I
FO （关闭）
OC
V
D
= 15 V
V
D
= 15 V，I
C
= 50毫安
V
D
= 15 V，I
C
= 50毫安
―
测试条件
民
―
―
1.3
2.2
8
―
75
典型值。
8
24
1.5
2.5
10
―
100
最大
―
―
1.7
2.8
12
1
―
单位
mA
V
V
mA
输入上的信号电压
输入关闭信号电压
故障输出
当前
过电流
保护
旅行等级
短路
保护
旅行等级
保护
正常
逆变器
V
D
= 15 V ，T
j
= 125°C
A
逆变器
OC
t
关（ OC ）
OT
OTR
UV
紫外线辐射
t
FO
V
D
= 15 V ，T
j
= 125°C
V
D
= 15 V
外壳温度
110
―
110
―
150
5
118
98
12.0
12.5
2
―
―
125
―
12.5
―
3
A
s
°C
过电流截止时间
过度
温度
保护
控制电源
欠压
保护
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
―
V
D
= 15 V
11.0
―
1
V
ms
故障输出脉冲宽度
3
2002-10-31
MIG50J101H
c.
热阻
(T
j
= 25°C)
特征
结到外壳热阻
案例鳍热阻
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
逆变器IGBT阶段
逆变器FRD阶段
化合物被施加
民
―
―
―
典型值。
―
―
0.05
最大
0.833
2.000
―
单位
C / W
C / W
注1 ：开关时间测试电路&时序图
智能功率模块
TLP559
V
D
0.1
mF
15千瓦
OUT
IN
15 V
33
mF
GND
I
F
=
16毫安
0.1
mF
PG
15 V
66
mF
GND
15千瓦
OUT
IN
V
S
GND
E2
V
D
V
S
GND
U（ V， W）
V
CC
P
4
2002-10-31
MIG50J101H
5
2002-10-31
MIG50J101H
东芝智能功率模块硅N沟道IGBT
MIG50J101H
高功率开关应用
电机控制应用
l
集成逆变&控制电路（IGBT驱动单元，保护单元的过流，欠压&
过温）在一个封装中。
l
所述电极从壳体分离。
l
高速型IGBT ： V
CE （SAT）
= 2.5 V （最大值）
t
关闭
= 3.0微秒（最大值）
t
rr
= 0.30微秒（最大值）
l
包装尺寸
l
重量： 520克
：东芝2-110A1A
等效电路
1
2002-10-31
MIG50J101H
最大额定值
(T
j
= 25°C )
舞台
特征
电源电压
集电极 - 发射极电压
逆变器
集电极电流
正向电流
集电极耗散功率
结温
控制电源电压
控制
输入电压
FAULT输出电压
故障输出电流
工作温度
模块
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
AC 1分钟
M5
条件
P -N电源端子
―
TC = 25 ° C， DC
TC = 25 ° C， DC
TC = 25°C
―
V
D
-GND终端
在GND端子
FO - GND （ L）端子
FO吸收电流
―
―
符号
V
CC
V
CES
I
C
I
F
P
C
T
j
V
D
V
IN
V
FO
I
FO
TC
T
英镑
V
ISO
―
评级
450
600
50
50
150
150
20
20
20
14
20
~ +100
40
~ +125
2500
3
单位
V
V
A
A
W
°C
V
V
V
mA
°C
°C
V
Nm
电气特性
(T
j
= 25°C)
a.
倒相级
特征
集电极截止电流
符号
I
CEX
V
CE
= 600V
V
D
= 15 V，I
C
= 50 A
V
IN
= 15 V
→
0 V
I
F
= 50A
V
CC
= 300 V，I
C
= 50 A
V
D
= 15 V, V
IN
= 15 V
0 V
感性负载
（注1 ）
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
民
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
2.0
2.0
2.1
0.8
1.2
0.25
0.1
最大
1
20
2.5
―
3.0
2.0
3.0
0.5
0.3
s
单位
mA
集电极 - 发射极饱和电压
正向电压
V
CE （SAT）
V
F
t
on
V
V
开关时间
t
关闭
t
f
t
rr
2
2002-10-31
MIG50J101H
b.
控制级
(T
j
= 25°C)
特征
控制电路
当前
HIGH SIDE
LOW SIDE
符号
I
D（高）
I
D（ L）的
V
IN（上）
V
中（关闭）
I
FO （上）
I
FO （关闭）
OC
V
D
= 15 V
V
D
= 15 V，I
C
= 50毫安
V
D
= 15 V，I
C
= 50毫安
―
测试条件
民
―
―
1.3
2.2
8
―
75
典型值。
8
24
1.5
2.5
10
―
100
最大
―
―
1.7
2.8
12
1
―
单位
mA
V
V
mA
输入上的信号电压
输入关闭信号电压
故障输出
当前
过电流
保护
旅行等级
短路
保护
旅行等级
保护
正常
逆变器
V
D
= 15 V ，T
j
= 125°C
A
逆变器
OC
t
关（ OC ）
OT
OTR
UV
紫外线辐射
t
FO
V
D
= 15 V ，T
j
= 125°C
V
D
= 15 V
外壳温度
110
―
110
―
150
5
118
98
12.0
12.5
2
―
―
125
―
12.5
―
3
A
s
°C
过电流截止时间
过度
温度
保护
控制电源
欠压
保护
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
―
V
D
= 15 V
11.0
―
1
V
ms
故障输出脉冲宽度
3
2002-10-31
MIG50J101H
c.
热阻
(T
j
= 25°C)
特征
结到外壳热阻
案例鳍热阻
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
逆变器IGBT阶段
逆变器FRD阶段
化合物被施加
民
―
―
―
典型值。
―
―
0.05
最大
0.833
2.000
―
单位
C / W
C / W
注1 ：开关时间测试电路&时序图
智能功率模块
TLP559
V
D
0.1
mF
15千瓦
OUT
IN
15 V
33
mF
GND
I
F
=
16毫安
0.1
mF
PG
15 V
66
mF
GND
15千瓦
OUT
IN
V
S
GND
E2
V
D
V
S
GND
U（ V， W）
V
CC
P
4
2002-10-31
MIG50J101H
5
2002-10-31
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M27C800-50XK6TR
M2100
MDT10C55B3S
MI-P6J4-IXA
M6MGB160S4BVP
M28W160ECT85N6E
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MIG50J101H
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
昆山隆诚翔电子有限公司
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电话：0512-82613006
联系人：曾小姐
地址：昆山市朝阳东路99号4楼
MIG50J101H
TOSHIBA
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2433532182 复制

电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
MIG50J101H
TOSHIBA
2010+
396
模块
香港原装现货 3-5天
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制
电话：0755-23915992/23140719
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MIG50J101H
TOSHIBA
24+
2100
MODULE
公司大量全新现货 随时可以发货
深圳市毅创腾电子科技有限公司
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电话：755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道）
联系人：张小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室 （亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
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模块专业供应商，全新原装优势产品，可开17%增值票，敬请来电！
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电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
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深圳市欧立现代科技有限公司
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
MIG50J101H
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联系人：陈泽强
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
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电话：0755- 82556029/82532511
联系人：高小姐/李先生
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
MIG50J101H
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全新原装、公司现货热卖
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电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MIG50J101H
TOSHIBA
24+
2180
MODULE
公司大量全新正品 随时可以发货
瀚佳科技（深圳）有限公司
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电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
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24+
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公司大量现货 随时可以发货
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