MIC5022
麦克雷尔
MIC5022
半桥MOSFET驱动器
概述
半桥MOSFET驱动器设计的MIC5022
频率运行在高达100kHz的（ 5kHz的PWM为2％
100 ％的占空比），并且是用于高速的理想选择
应用，如电机控制和SMPS （开关模式
电源） 。
对输入A的上升沿或下降沿中的电流源产生
脉冲或脉冲水槽上的栅极输出。这个输出电流
脉冲可在1μs内大约在2000pF MOSFET的导通。
该MIC5022然后提供一个限制电流（ < 2毫安）中，如果
必要时，保持输出状态。
两个过流比较器的额定电压之旅
为50mV使MIC5022非常适合与电流检测用
的MOSFET。也可使用外部低值电阻器代替
感应MOSFET，以更精确的过流控制。
放置在C可选的外部电容器
TH
和C
TL
引脚
可用于单独地控制电流关断占空比
周期从大约20％到<1 ％。从占空比
20％至约75％是可能的个别拉电阻
从C器
TL
和C
TH
到V
DD
。集电极开路输出
提供时，无论检测输入跳闸故障指示。
该MIC5022采用16引脚SOIC宽和14引脚可用
塑料DIP封装。
在MIC502x系列的其它成员包括MIC5020
低侧驱动器和MIC5021高边驱动器。
特点
12V至36V操作
为600ns上升时间为1000pF的（高压侧）
TTL兼容输入，带内部上拉下拉电阻
输出互锁，防止交叉传导
TTL兼容启用
故障指示输出
个人过流限制
栅极保护
内部电荷泵（高侧）的
电流源驱动方案降低了EMI
应用
电机控制
开关模式电源
订购信息
产品型号
MIC5022BWM
MIC5022BN
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
16引脚宽体SOIC
14引脚塑料DIP
典型用途
+ 12V至+ 36V
1
10F
TTL输入
（PWM信号）
2
3
4
C
TH
5
6
C
TL
7
MIC5022
V
DD
输入
V
BOOST
出门信号h
14
13
12
11
10
9
8
R
S2
R
S1
M
2.7nF
故障检测H-
C
TH
启用
C
TL
GND
感H +
GATE L
L-感
感L +
直流电机控制中的应用
MIC5022
178
1999年9月
MIC5022
麦克雷尔
引脚配置
1 V
DD
2输入
3故障
4 C
TH
5启用
6 C
TL
7 GND
V
BOOST
14
门H 13
感H- 12
感H + 11
门L 10
感L- 9
感L + 8
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DD
NC
输入
NC 16
V
BOOST
15
门H 14
故障检测H- 13
C
TH
感H + 12
门L 11
启用
C
TL
GND
感L- 10
感L + 9
DIP封装
(N)
SOIC封装
（ WM ）
引脚说明
DIP PIN NO 。
1
2
SOIC引脚号
1
3
引脚名称
V
DD
输入
引脚功能
电源： + 12V至+ 36V 。与去耦
≥
10μF电容。
TTL兼容输入：逻辑高电平导通高边MOSFET的外部
和低侧外部MOSFET关断。逻辑低电平变为高边
外部MOSFET关断和在低侧外部MOSFET。内部
下拉返回一个开放的引脚为逻辑低电平。
当任一检测电压超过阈值时，集电极开路输出为开
电路为5μs （T
G（ ON）的
） ，然后拉低吨
G（ OFF）
. t
G（ OFF）
距离可调
C
T
.
重试微调电容器，高压侧：控制关断时间（t
G（ OFF）
）的
过流重试周期。 （占空比调节。 ）
打开=约。 20 ％的占空比。
电容接地=约。 20％至< 1 ％的占空比。
上拉电阻=约。 20％至约75 ％的占空比。
在过流条件地=保持关机。
输出使能：禁止输出驱动器的操作;高电平有效。一
内部下拉返回一个开放的引脚为逻辑低电平。
重试微调电容器，低压侧：功能相同为C
TH
.
电路接地
电流检测比较器（ + ）输入，低边：连接到低源
侧MOSFET 。内置的连接R偏移（标称为50mV ）
SENSE
设置负载过流跳闸点。
电流检测比较器（ - ）输入，低边：连接到负
低侧感测电阻器的一侧。
栅极驱动器，低侧：驱动外部功率MOSFET的栅极。还
极限V
GS
至15V最大。防止门源损坏。会下沉并
源电流。
电流检测比较器（ + ）输入，高压侧：连接到高源
侧MOSFET 。内置的连接R偏移（标称为50mV ）
SENSE
设置负载过流跳闸点。
电流检测比较器（ - ）输入，高压侧：连接到负
高侧感测电阻器的一侧。
栅极驱动，高压侧：驱动外部功率MOSFET的栅极。还
极限V
GS
至15V最大。防止门源损坏。会下沉并
源电流。
电荷泵升压电容：从V自举电容器
BOOST
对
MOSFET的源极引脚提供充电，以快速提升外部
MOSFET的栅极。
3
4
故障
4
5
C
TH
5
6
7
8
6
7
8
8
启用
C
TL
GND
感L +
9
10
10
11
感L -
GATE L
11
12
感H +
12
13
13
14
来源 -
出门信号h
14
15
V
BOOST
1999年9月
179
MIC5022
MIC5022
麦克雷尔
框图
6V内部稳压器
I
1
C
INT
2I
1
感H +
H-感
50mV
15V
1.4V
故障
正常
C
TH
V
DD
收费
泵
V
BOOST
Q1
ON
输入
↑
单
↓
镜头
10I
2
I
2
关闭
6V
出门信号h
6V
I
1
C
INT
2I
1
感L +
L-感
50mV
V
DD
15V
1.4V
↑
单
↓
镜头
启用
10I
2
I
2
ON
关闭
故障
C
TL
正常
故障
Q1
6V
GATE L
晶体管数量： 188
绝对最大额定值
电源电压（V
DD
) .................................................. +40V
输入电压................................................ .. -0.5V至15V
感差分电压..........................................
±6.5V
感+或感 - 到GND .......................... -0.5V至+ 36V
故障电压................................................ ............... + 36V
目前进入故障............................................... ........ 50毫安
定时器电压（C
T
) ..................................................... +5.5V
V
BOOST
电容................................................. 0.01μF ...
MIC5022
180
工作额定值
电源电压（V
DD
） .................................... + 12V至+ 36V
温度范围
SOIC ................................................. ..... -40 ° C至+ 85°C
PDIP ................................................. ...... -40 ° C至+ 85°C
1999年9月
MIC5022
麦克雷尔
电气特性
T
A
= 25°C ， GND = 0V ，V
DD
= 12V ，门
L
= 1500pF （ IRF540 MOSFET ） ，除非另有规定土木工程署
符号
参数
直流电源电流
条件
V
DD
= 12V，输入= 0V
V
DD
= 36V ，输入= 0V
V
DD
= 12V，输入= 5V
V
DD
= 36V ，输入= 5V
输入阈值
输入滞后
输入下拉电流
启用阈值
启用滞后
故障输出
饱和电压
故障输出泄漏
电流限制误差阈值，低边
电流限制误差阈值，高边
门上的电压，高边
故障电流= 1.6毫安
注1
故障= 36V
注2
注2
V
DD
= 12V,
注3
V
DD
= 36V,
注3
门上的电压，低边
V
DD
= 12V,
注3
V
DD
= 36V,
注3
t
G（ ON）的
t
G（ OFF）
t
DLH
t
R
t
DHL
t
F
t
DLH
t
R
t
DHL
t
F
注1
注2
注3
注4
注5
注6
注7：
注8
注9
民
典型值
2.5
6.0
2.4
3.0
最大
5
10
5
25
2.0
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
A
V
V
0.8
1.4
0.1
输入= 5V
10
0.8
20
1.4
0.1
0.15
40
2.0
0.4
+1
70
70
21
52
V
A
mV
mV
V
V
V
–1
30
30
16
46
10
14
2
10
0.01
50
50
18
49
11
15
5
20
1.4
0.8
1.2
0.6
1.7
0.7
0.5
1.0
18
10
50
2.0
1.5
2.0
1.5
2.5
1.5
1.0
1.5
V
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
门开启时间，固定
门关闭时间，可调节
栅极导通延时，高边
门上升时间，高边
门关闭延迟，高边
门下降时间，高边
栅极导通延时，低边
门上升时间，低边
门关闭延迟，低边
门下降时间，低端
电压保持为低时的影响为C
T
.
意识差>为70mV
意识差>为70mV ，C
T
= 0pF
注4
注5
注6
注7：
注4
注8
注9
注10
当使用感的MOSFET ，它建议R
SENSE
< 50Ω 。较高的值可能会影响感应MOSFET的电流传输比。
直流测量。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门转变为0V至2V 。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门的过渡，从2V至17V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间从20V （栅极电压）门过渡到17V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间门的过渡，从17V至2V 。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门的过渡，从2V到10V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间从15V （栅极电压）门过渡到10V 。
注10
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间门的过渡，从10V至2V 。
1999年9月
181
MIC5022
MIC5022
麦克雷尔
典型特征
电源电流与
电源电压
V
IN
= 0V
20
V
出门信号h
(V)
15
10
5
0
t
ON 4V
(S)
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
栅极至源极电压
- 电源电压
25
2.5
栅极导通延迟 -
电源电压
6.0
5.5
5.0
I
供应
（MA ）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V
门
= V
供应
+ 4V
C
L
= C
H
= 1500pF
C
BOOST
= 0.01F
注：包括传播
DELAY &交叉传导
封锁
V
IN
= 5V
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
5
10
15
20 25 30
V
供应
(V)
35
40
栅极导通延迟 -
电源电压
2.5
2
t
ON 10V
(S)
t
ON
(S)
1.5
1
0.5
0
V
出门信号h
= V
供应
+ 10V
C
L
= C
H
= 1500pF
C
BOOST
= 0.01F
注：包括传播
DELAY &交叉传导
封锁
栅极导通/关延迟 -
栅极电容
5.0
4.5 V
出门信号h
= V
供应
+ 4V
4.0 C
L
= C
H
V
供应
= 12V
3.5
3.0
高边
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
道具。
延迟
注：包括传播
DELAY &交叉传导
封锁
栅极导通/关延迟 -
栅极电容
3.5
V
GATE L
= 4V
3.0 C
L
= C
H
V
供应
= 12V
t
ON
(S)
2.5
低端
2.0
1.5
注：包括
传播
DELAY & CROSS
传导
封锁
道具。
延迟
5
10
15
25 30
V
供应
(V)
20
35
40
0.0
1x10
0
1x10
1
1x10
2
1x10
3
1x10
4
1x10
5
C
门
（PF ）
1.0
1x10
0
1x10
1
1x10
2
1x10
3
1x10
4
1x10
5
C
门
（PF ）
过流重试税
周期与时序电容
25
重试占空比（ ％ ）
20
15
10
5
0
0.1
注意：
t
ON
, t
关闭
时间
独立
V的
供应
1
10
100
C
TH
（PF ）
1000 10000
重试占空比（ ％ ）
t
ON
= 5S
V
供应
= 12V
HIGH SIDE
25.0
20.0
15.0
10.0
过流重试税
周期与时序电容
t
ON
= 5S
V
供应
= 12V
100
80
输入电流 -
输入电压
V
供应
= 12V
I
IN
(A)
LOW SIDE
60
40
20
0
5.0
0.0
0.1
1
10
100
C
TL
（PF ）
1000 10000
0
5
10
15
V
IN
(V)
20
25
感觉阈值与
温度
80
70
电压（毫伏）
60
50
40
30
20
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度（℃）
MIC5022
182
1999年9月
MIC5022
麦克雷尔INC 。
MIC5022
半桥MOSFET驱动器
不建议用于新设计
概述
半桥MOSFET驱动器设计的MIC5022
频率运行在高达100kHz的（ 5kHz的PWM为2 ％
至100 ％的占空比），并且是用于高速的理想选择
应用，如电机控制和SMPS （开关模式
电源） 。
对输入A的上升沿或下降沿中的电流源产生
脉冲或脉冲水槽上的栅极输出。这个输出电流
脉冲可在1μs内大约在2000pF MOSFET的导通。
该MIC5022然后提供一个限制电流（ < 2毫安）中，如果
必要时，保持输出状态。
两个过流比较器的额定电压之旅
为50mV使MIC5022非常适合与电流检测用
的MOSFET。也可使用外部低值电阻器代替
感应MOSFET，以更精确的过流控制。
放置在C可选的外部电容器
TH
和C
TL
引脚
可用于单独地控制电流关断占空比
周期从大约20％到<1 ％。从占空比
20％至约75％是可能的个别拉电阻
从C
TL
和C
TH
到V
DD
。集电极开路输出提供
无论何时检测输入跳闸故障指示。
该MIC5022采用16引脚SOIC宽和14引脚可用
塑料DIP封装。
在MIC502x系列的其它成员包括MIC5020
低侧驱动器和MIC5021高边驱动器。
特点
12V至36V操作
为600ns上升时间为1000pF的（高压侧）
TTL兼容输入，带内部上拉下拉电阻
输出互锁，防止交叉传导
TTL兼容启用
故障指示输出
个人过流限制
栅极保护
内部电荷泵（高侧）的
电流源驱动方案降低了EMI
应用
电机控制
开关模式电源
订购信息
产品型号
MIC5022BN
MIC5022BWM
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
16引脚宽体SOIC
14引脚塑料DIP
典型用途
+ 12V至+ 36V
MIC5022
V
B O O S T
出门信号h
H-感
感H +
GATE L
L-感
感L +
TTL输入
（PWM信号）
1
V
DD
10F
2
3
4
14
13
12
11
10
9
8
R
S 2
R
S 1
2.7nF
输入
故障
C
TH
启用
C
TL
GND
C
TH
C
TL
5
6
7
M
直流电机控制中的应用
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 美国电话+ 1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 944-0970 http://www.micrel.com
2005年7月
1
MIC5022
MIC5022
麦克雷尔INC 。
1
V
DD
2
输入
3
故障
4
C
TH
5
启用
6
C
TL
7
GND
V
B O O S T
14
引脚CON组fi guration
1
2
3
4
5
6
7
V
DD
NC
输入
NC
16
V
B O O S T
15
出门信号h
14
出门信号h
13
H-感
12
感H +
11
GATE L
10
L-感
9
感L +
8
故障检测H-
13
C
TH
感H +
12
GATE L
11
启用
C
TL
GND
L-感
10
感L +
9
8
DIP封装
(N)
SOIC封装
（ WM ）
引脚说明
DIP PIN NO 。
1
2
SOIC引脚号
1
3
引脚名称
输入
V
DD
引脚功能
电源： + 12V至+ 36V 。与去耦≥ 10μF电容。
TTL兼容输入：逻辑高电平变为高侧外部MOSFET
上和低侧外部MOSFET关断。逻辑低电平变为高边
外部MOSFET关断和在低侧外部MOSFET。内部
下拉返回一个开放的引脚为逻辑低电平。
当任一检测电压超过阈值时，集电极开路输出为开
电路为5μs （T
G（ ON）的
） ，然后拉低吨
G（ OFF）
. t
G（ OFF）
距离可调
C
T
.
重试微调电容器，高压侧：控制关断时间（t
G（ OFF）
）的
过流重试周期。 （占空比调节。 ）
打开=约。 20 ％的占空比。
电容接地=约。 20％至< 1 ％的占空比。
上拉电阻=约。 20％至约75 ％的占空比。
在过流条件地=保持关机。
输出使能：禁止输出驱动器的操作;高电平有效。一
内部下拉返回一个开放的引脚为逻辑低电平。
电路接地
重试微调电容器，低压侧：功能相同为C
TH
.
3
4
故障
4
5
C
TH
5
6
7
8
6
7
8
8
启用
C
TL
GND
感L +
电流检测比较器（ + ）输入，低边：连接到低源
侧MOSFET 。内置的连接R偏移（标称为50mV ）
SENSE
设置负载过流跳闸点。
电流检测比较器（ - ）输入，低边：连接到负
低侧感测电阻器的一侧。
栅极驱动器，低侧：驱动外部功率MOSFET的栅极。还
极限V
GS
至15V最大。防止门源损坏。会下沉并
源电流。
电流检测比较器（ + ）输入，高压侧：连接到高源
侧MOSFET 。内置的连接R偏移（标称为50mV ）
SENSE
设置负载过流跳闸点。
电流检测比较器（ - ）输入，高压侧：连接到负
高侧感测电阻器的一侧。
栅极驱动，高压侧：驱动外部功率MOSFET的栅极。还
极限V
GS
至15V最大。防止门源损坏。会下沉并
源电流。
电荷泵升压电容：从V自举电容器
BOOST
to
MOSFET的源极引脚提供充电，以快速提升外部
MOSFET的栅极。
9
10
10
11
感L -
GATE L
11
12
感H +
12
13
13
14
来源 -
出门信号h
14
15
V
BOOST
MIC5022
2
2005年7月
MIC5022
麦克雷尔INC 。
框图
6V内部稳压器
I
1
C
INT
2I
1
感H +
H-感
50mV
15V
ON
故障
正常
C
TH
V
DD
收费
泵
V
B OOS牛逼
Q1
1.4V
输入
↑
单
↓
SH 牛逼
关闭
6V
10I
2
I
2
出门信号h
6V
I
1
C
INT
2I
1
感L +
L-感
50mV
故障
正常
C
TL
故障
Q1
V
DD
15V
↑
单
↓
SH 牛逼
ON
关闭
1.4V
6V
10I
2
I
2
GATE L
启用
晶体管数量： 188
绝对最大额定值
电源电压（V
DD
)................................................... +40V
输入电压................................................ ...- 0.5V至15V
感差分电压.......................................... ± 6.5V
感+或感 - 到GND ...........................- 0.5V至+ 36V
故障电压................................................ ............... + 36V
目前进入故障............................................... ......... 50毫安
定时器电压（C
T
) ...................................................... +5.5V
V
BOOST
电容................................................. 0.01μF ....
2005年7月
3
工作额定值
电源电压（V
DD
） ..................................... + 12V至+ 36V
温度范围
SOIC ................................................. ..... -40 ° C至+ 85°C
PDIP
....................................................................
-40 ° C至+ 85°C
MIC5022
MIC5022
麦克雷尔INC 。
电气特性
符号
参数
直流电源电流
T
A
= 25°C ， GND = 0V ，V
DD
= 12V ，门
L
= 1500pF （ IRF540 MOSFET ） ，除非另有规定土木工程署
条件
V
DD
= 12V，输入= 0V
V
DD
= 36V ，输入= 0V
V
DD
= 12V，输入= 5V
输入阈值
输入滞后
输入下拉电流
启用阈值
启用滞后
故障输出
饱和电压
故障输出泄漏
电流限制误差阈值，低边
电流限制误差阈值，高边
门上的电压，高边
门上的电压，低边
t
G（ ON）的
t
DLH
t
R
t
F
门开启时间，固定
门关闭时间，可调节
栅极导通延时，高边
门上升时间，高边
门关闭延迟，高边
门下降时间，高边
栅极导通延时，低边
门上升时间，低边
门关闭延迟，低边
门下降时间，低端
电压保持为低时的影响为C
T
.
直流测量。
民
典型值
2.5
6.0
2.4
3.0
最大
5
10
5
25
2.0
40
2.0
0.4
+1
70
70
21
52
18
10
50
2.0
1.5
2.0
1.5
2.5
1.5
1.0
1.5
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
A
V
V
V
A
mV
mV
V
V
V
V
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DD
= 36V ，输入= 5V
0.8
10
0.8
1.4
0.1
20
1.4
0.1
0.15
输入= 5V
故障电流= 1.6毫安
注1
故障= 36V
注2
注2
V
DD
= 36V,
注3
V
DD
= 36V,
注3
V
DD
= 12V,
注3
–1
30
30
16
46
10
14
2
10
0.01
50
50
18
49
11
15
5
20
1.4
0.8
1.2
0.6
1.7
0.7
0.5
1.0
V
DD
= 12V,
注3
意识差>为70mV
t
G（ OFF）
意识差>为70mV ，C
T
= 0pF
注4
注5
注6
注7：
注4
注8
注9
注10
t
DHL
t
DLH
t
R
t
F
t
DHL
注1
注2
注3
注4
注5
注6
注7：
注8
注9
当使用感的MOSFET ，它建议R
SENSE
< 50Ω 。较高的值可能会影响感应MOSFET的电流传输比。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门转变为0V至2V 。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门的过渡，从2V至17V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间从20V （栅极电压）门过渡到17V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间门的过渡，从17V至2V 。
从0.8V输入转换（ TTL低）至2.0V （ TTL高点） ，时间门的过渡，从2V到10V 。
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间从15V （栅极电压）门过渡到10V 。
注10
从2.0V输入转换（ TTL高点）至0.8V （ TTL低电平） ，时间门的过渡，从10V至2V 。
MIC5022
4
2005年7月
MIC5022
麦克雷尔INC 。
典型特征
电源电流与
电源电压
V
IN
= 0V
V
摹ATE
(V)
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
5
25
20
15
10
5
0
5
栅极至源极电压
- 电源电压
2.5
2.0
t
0：N 4V
(S)
1.5
栅极导通延迟 -
电源电压
I
苏pply
（MA ）
V
IN
= 5V
V
门
= V
供应
+ 4V
C = C
H
= 1500pF
1.0 C
L
BOOST
= 0.01F
0.5
注：包括传播
DELAY &交叉传导
封锁
10 15 20 25 30 35 40
V
供应
(V)
10 15 20 25 30 35 40
V
供应
(V)
0.0
5
10 15 20 25 30 35 40
V
供应
(V)
2.5
2
t
0：N 10V
(S)
栅极导通延迟 -
电源电压
t
0：N
(S)
t
0：N
(S)
1.5
1
0.5
0
5
V
出门信号h
= V
供应
+ 10V
C
L
= C
H
= 1500pF
C
BOOST
= 0.01F
注：包括传播
DELAY &交叉传导
封锁
10 15 20 25 30 35 40
V
供应
(V)
5.0
4.5 V
出门信号h
= V
供应
+ 4V
4.0 C
L
= C
H
V
= 12V
3.5
供应
3.0
高边
2.5
2.0
道具。
1.5
延迟
1.0
注：包括传播
DELAY &交叉传导
0.5
封锁
0.0
1x10
0
1x10
1
1x10
2
1x10
3
1x10
4
1x10
5
C
门
（PF ）
栅极导通/关延迟 -
栅极电容
3.5
栅极导通/关延迟 -
栅极电容
V
GATE L
= 4V
3.0 C
L
= C
H
V
供应
= 12V
2.5
2.0
1.5
低端
注：包括
传播
DELAY & CROSS
传导
封锁
道具。
延迟
1.0
1x10
0
1x10
1
1x10
2
1x10
3
1x10
4
1x10
5
C
门
（PF ）
25
重试占空比（ ％ ）
20
15
过流重试税
周期与时序电容
t
ON
= 5S
V
供应
= 12V
HIGH SIDE
25.0
重试占空比（ ％ ）
20.0
15.0
10.0
5.0
过流重试税
周期与时序电容
t
ON
= 5S
V
供应
= 12V
LOW SIDE
100
80
输入电流 -
输入电压
V
供应
= 12V
I
IN
(A)
60
40
20
10注意：
t
ON
, t
关闭
时间
5独立
V的
供应
0
0.1
1
10 100 1000 10000
C
TH
（PF ）
0.0
0.1
1
10 100 1000 10000
C
TL
（PF ）
0
0
5
10
15
V
IN
(V)
20
25
80
70
电压（毫伏）
60
50
40
30
感觉阈值与
温度
20
-60 -30 0 30 60 90 120 150
温度°C ）
(
2005年7月
5
MIC5022
QQ：2881677436 复制
