MC74LVXT8051
模拟多路复用器/
多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该MC74LVXT8051利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟，低导通电阻和低截止
漏电流。该模拟多路转换器/多路分用器控制
模拟电压穿越整个电源范围可能会有所不同
（从V
CC
到GND） 。
该LVXT8051是在引出线的高速HC4051A类似
和金属栅MC14051B 。信道选择输入决定
该模拟输入/输出中的一个是由装置被连接
的一个模拟开关的公共输出/输入。当Enable
引脚为高电平时，所有的模拟开关被关断。
信道选择和使能输入可以兼容
TTL型输入阈值。在这个输入保护电路
装置允许在输入过电压容限，使器件
被用作一个逻辑电平转换为3.0 V CMOS逻辑到5.0V
CMOS逻辑或1.8V CMOS逻辑3.0 V CMOS逻辑，而
工作在较高的电压电源。
该MC74LVXT8051输入结构时提供保护
电压为7.0 V的应用，而不管电源电压。这
允许要使用的MC74LVXT8051接口5.0 V的电路，以
3.0 V的电路。
这种设备已被设计为使得导通电阻（R
on
）是
更线性的输入电压除R
on
的金属栅CMOS模拟
开关。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
SOIC16
后缀
CASE 751B
1
LVXT8051
AWLYWW
16
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
LVXT
8051
ALYW
16
SOEIAJ16
M后缀
CASE 966
1
LVXT8051
ALYW
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0 6.0 V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
- GND ）= 2.0 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比金属栅
同行
低噪音
符合JEDEC标准号7A的要求
无铅包可用*
A
WL或L
Y
WW或W
=
=
=
=
大会地点
晶圆地段
YEAR
工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第3版
出版订单号：
MC74LVXT8051/D
MC74LVXT8051
功能表 - MC74LVXT8051
控制输入
V
CC
16
X2
15
X1
14
X0
13
X3
12
A
11
B
10
C
9
启用
L
L
L
L
L
L
L
L
H
SELECT
C
B
A
L
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
无
1
X4
2
X6
3
X
4
X7
5
X5
6
7
8
GND
NC启用
引脚连接和
标记图
（ TOP VIEW ）
X =无关
X0
14
X1
15
X2
类似物
12
输入/ X3
产出X4
1
5
X5
2
X6
4
X7
11
A
通道
10
B
SELECT
9
输入
C
6
启用
13
3
多路复用器/
多路解复用器
X
常见
输出/
输入
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
图1.逻辑图
单极， 8位加共关闭
订购信息
设备
MC74LVXT8051D
MC74LVXT8051DG
MC74LVXT8051DR2
MC74LVXT8051DR2G
MC74LVXT8051DTR2
MC74LVXT8051M
MC74LVXT8051MG
MC74LVXT8051MEL
MC74LVXT8051MELG
包
SOIC16
SOIC16
（无铅）
SOIC16
SOIC16
（无铅）
TSSOP16*
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
SOEIAJ16
SOEIAJ16
（无铅）
航运
48单位/铁
48单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
2
MC74LVXT8051
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压
模拟输入电压
（参考GND）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
500
450
数字输入电压（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
存储温度范围
mA
P
D
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
_C
T
英镑
T
L
- 65至+ 150
260
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
参数
民
2.0
0.0
最大
6.0
单位
V
V
V
V
正直流电源电压
模拟输入电压
（参考GND）
V
CC
V
CC
1.2
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
GND
V
IO
*
T
A
工作温度范围，所有封装类型
– 55
+ 85
_C
t
r
, t
f
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
V
CC
= 5.0 V
±
0.5 V
NS / V
0
0
100
20
*对于压降开关大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可以是
绘制;即，电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。该
该设备的可靠性将受到影响，除非最大额定值超出。
直流特性 - 数码节
（电压参考GND）
V
CC
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限额
-55 25℃
1.2
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
±
0.1
4
≤85°C
1.2
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
±
1.0
40
≤125°C
1.2
2.0
2.0
0.53
0.8
0.8
±
1.0
160
单位
V
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压，
通道选择或使能输入
最大低电平输入电压，
通道选择或使能输入
最大输入漏电流，
通道选择或使能输入
最大静态电源
电流（每包）
条件
R
on
=每规格
V
IL
R
on
=每规格
V
I
in
I
CC
V
in
= V
CC
或GND
通道选择，并启用
V
IS
= V
CC
或GND ; V
IO
= 0 V
mA
mA
http://onsemi.com
3
QQ：2881677436 复制
