MIC2103/04
75V ，同步降压控制器
配备自适应导通时间控制
超速Control家庭
概述
该
麦克雷尔MIC2103 / 04
是恒定频率，
同步降压控制器具有独特的适应性
导通时间控制架构。该MIC2103 / 04工作
的输入电源电压范围为4.5V至75V ，并可以
用于供应输出电流高达15A 。输出
电压是可调低至0.8V有保证
的± 1％的精度。该器件采用可编程
开关频率从200kHz至600kHz的。
麦瑞半导体的Hyper轻负载架构提供了相同的
高效率和超快速瞬态响应的超
中等速度下的控制架构，以沉重的负荷，
而且在轻负载条件下保持高效率
通过转换到可变频率，非连续模式的
操作。
该MIC2103 / 04提供了全套保护功能，
确保在故障条件下保护IC的。这些
包括欠压锁定，以确保正常运行
功率过低的情况下，内部软启动，减少
浪涌电流，折回电流限制， “打嗝”模式短期
短路保护和热关断。
所有支持文档可在麦克雷尔的网站上找到
网址为：
www.micrel.com 。
特点
超速度控制架构使
-
高台达V工作电压（V
IN
= 75V和V
OUT
= 1.2V)
-
任何电容
TM
稳定
4.5V至75V的输入电压
0.8V参考电压，具有± 1 ％的准确度
200kHz至600kHz的可编程开关频率
超级轻负载控制（ MIC2103只）
超高速控制（ MIC2104只）
使能输入，电源就绪输出
内置5V稳压器为单电源供电
可编程电流限制和折回“打嗝”
模式短路保护
5ms的内部软启动，内部补偿和
热关断
支持安全启动至预偏置输出
-40°C至+ 125°C的结温范围
采用16引脚3mm x 3mm的MLF
包
应用
分布式电源系统
网络/电信基础设施
打印机，扫描仪，图形卡和视频卡
_________________________________________________________________________________________________________________________
典型用途
100
90
80
5.0V
3.3V
2.5V
1.8V
1.2V
0.8V
英法fi效率（V
IN
= 48V)
- 输出电流（ MIC2103 ）
效率（％）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
f
SW
= 200kHz的（ CCM ）
9 10 11 12 13 14
输出电流（A ）
超速度控制，超轻载和任何电容都麦克雷尔公司的商标。
MLF和
MicroLeadFrame
注册Amkor技术公司的商标。
麦克雷尔公司 2180财富驱动圣何塞，加利福尼亚95131 USA 电话： +1 （ 408 ） 944-0800 传真：+ 1 （ 408 ） 474-1000
http://www.micrel.com
2012年8月
M9999-080712-A
麦克雷尔INC 。
MIC2103/04
订购信息
产品型号
MIC2103YML
MIC2104YML
开关
频率
在200kHz至600kHz
在200kHz至600kHz
特点
超轻型载
超速度控制
包
16引脚3mm x 3mm的MLF
16引脚3mm x 3mm的MLF
连接点
温度范围
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 125°C
无铅封装
无铅
无铅
引脚配置
16引脚3mm x 3mm的MLF （ ML ）
（ TOP VIEW ）
引脚说明
引脚数
1
2
3
引脚名称
VDD
PVDD
ILIM
引脚功能
内部+ 5V线性稳压器的输出。 VDD是该设备的内部电源总线。一个1μF的陶瓷
电容从VDD到AGND需要脱钩。与VIN< + 5.5V ， VDD的应用
应该连接到VIN至绕过线性稳压器。
5V的电源输入为低侧N-沟道MOSFET驱动器，其可连接到VDD外部。
一个1μF的陶瓷电容PVDD至PGND推荐脱钩。
电流限制设置。连接从西南到ILIM电阻器来设置的过电流阈值的
转换器。
低侧驱动输出。高电流驱动器输出的降压外部低边MOSFET
转换器。该DL驱动电压摆幅从地面到V
DD
。添加DL之间的一个小电阻
销和低侧N-沟道MOSFET的栅极可以减缓导通和关断
高速MOSFET的。
电源地。 PGND是降压转换器功率级的返回路径。保护地线引脚
连接到低侧N沟道外部MOSFET的源，输入的负极端子
电容器和输出电容器的负极端子。为电源地的返回路径
应尽可能地小，并独立于信号地（AGND ）返回路径。
开关频率调节输入。此引脚与VIN为600kHz的操作和放置一个电阻
分压器来降低频率。
高边驱动器输出。高电流驱动器输出的降压外部高边MOSFET
转换器。生署驱动电压被浮在开关节点电压（V
SW
） 。添加小
DH销和高侧的N沟道MOSFET的栅极之间的电阻可以减缓
导通和关断MOSFET的速度。
开关节点和电流检测输入。高电流输出驱动器返回。在SW引脚连接
直接向交换节点。由于该引脚上的高速开关， SW引脚应
从敏感的节点走线。 SW引脚也可检测电流，通过监测电压
横跨在OFF时间的低侧MOSFET 。为了感测电流准确，连接
低边MOSFET的漏极使用Kelvin连接SW引脚。
4
DL
5
保护地
6
频率
7
8
DH
SW
2012年8月
2
M9999-080712-A
麦克雷尔INC 。
MIC2103/04
引脚说明（续）
引脚数
9, 11
10
引脚名称
NC
BST
引脚功能
无连接。
电压电源引脚输入为高侧的N沟道MOSFET驱动器，其可以通过一个供电
自举电路连接在VDD和SW之间，采用了肖特基二极管和一个0.1μF
陶瓷电容器。添加一个小电阻在BST引脚可以减缓导通的速度
高边MOSFET 。
信号地的VDD和控制电路，连接到散热垫电子。
信号地返回路径应该是独立于电源接地（地线）返回路径。
反馈输入。输入到控制回路的跨导放大器。 FB引脚是
调节到0.8V 。一个电阻分压器连接反馈到输出用于设定所述
期望的输出电压。
电源良好输出。开漏输出，外接上拉电阻连接到VDD或外部电源
Rails是必需的。
使能输入。的逻辑信号来启用或禁用所述降压转换器的操作。 EN引脚
CMOS兼容。逻辑高电平使能器件，逻辑低停机调节。在
关闭模式下， V
DD
电源电流的装置被最小化，以0.7毫安典型。
电源电压。在VIN工作电压范围为4.5V至75V 。一个1μF的陶瓷电容
从VIN至AGND需要脱钩。
裸露焊盘。连接EPAD至PGND平原上的印刷电路板，以提高热
性能。
12
13
14
15
16
EP
AGND
FB
PG
EN
VIN
EPAD
2012年8月
3
M9999-080712-A
麦克雷尔INC 。
MIC2103/04
绝对最大额定值
(1)
V
IN
.................................................. .............. -0.3V至+ 76V
V
DD
, V
PVDD
.................................................. ...... -0.3V到+ 6V
V
SW
, V
频率
, V
ILIM
, V
EN
............................
0.3V
到（Ⅴ
IN
+0.3V)
V
BST
到V
SW
........................................................
0.3V
至6V
V
BST
................................................................
0.3V
到82V
V
PG
.....................................................
0.3V
到（Ⅴ
DD
+ 0.3V)
V
FB
. ....................................................
0.3V
到（Ⅴ
DD
+ 0.3V)
PGND至AGND ...........................................
0.3V
至+ 0.3V
结温.............................................. 150 ℃，
存储温度（T
S
） .........................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................ 260℃
ESD额定值
(2)
................................................. ESD敏感
工作额定值
(3)
电源电压（V
IN
） .......................................... 4.5V至75V
使能输入（V
EN
） ................................................. 。 0V至V
IN
V
SW
, V
FEQ
, V
ILIM
, V
EN
............................................... 0V至V
IN
结温（T
J
) ........................
40C
至+ 125°C
热阻结
采用3mm x 3mm MLF - 16 （
JA
） .................................... 50.8 ° C / W
采用3mm x 3mm MLF - 16 （
JC
） .................................... 25.3 ° C / W
电气特性
(4)
V
IN
= 48V, V
OUT
= 5V, V
BST
– V
SW
= 5V ;牛逼
A
= 25 ° C，除非另有说明。
胆大
值表示
40°C
≤
T
J
≤
+125°C.
参数
电源输入
输入电压范围（V
IN
)
(5)
静态电源电流（ MIC2103 ）
静态电源电流（ MIC2104 ）
关断电源电流
VDD电源
VDD输出电压
VDD UVLO阈值
VDD UVLO迟滞
负载调整率
参考
反馈参考电压
FB偏置电流
使能控制
EN逻辑高电平
EN逻辑低电平
EN迟滞
EN偏置电流
V
EN
= 48V
200
23
40
1.8
0.6
V
V
mV
A
T
J
= 25°C (±1.0%)
-40°C
≤
T
J
≤
125°C (±2%)
V
FB
= 0.8V
0.792
0.784
0.8
0.8
5
0.808
0.816
500
V
nA
I
DD
= 0至40mA
0.6
V
IN
= 7V至75V ，我
DD
= 10毫安
V
DD
升起
4.8
3.8
5.2
4.2
400
2
3.6
5.4
4.6
V
V
mV
%
V
FB
= 1.5V
V
FB
= 1.5V
SW悬空，V
EN
= 0V
4.5
400
2.1
0.1
75
750
3
10
V
A
mA
A
条件
民
典型值
最大
单位
2012年8月
4
M9999-080712-A
麦克雷尔INC 。
MIC2103/04
电气特性
(4)
（续）
V
IN
= 48V, V
OUT
= 5V, V
BST
– V
SW
= 5V ;牛逼
A
= 25 ° C，除非另有说明。
胆大
值表示
40°C
≤
T
J
≤
+125°C.
振荡器
开关频率
最大占空比
最小占空比
最小关断时间
软启动
软启动时间
短路保护
限流门限
短路门限
限流电流源
短路电流源
FET驱动器
DH ， DL输出低电压
DH ， DL输出高电压
DH导通电阻，高国
DH导通电阻，低状态
DL导通电阻，高国
DL导通电阻，低状态
SW ， BST漏电流
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后
电源良好延迟时间
电源良好电压低
热保护
过温关断
过温关断迟滞
注意事项：
1.超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
2.设备是ESD敏感。建议操作注意事项。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
3.该设备是不能保证功能以外的工作范围。
4.特定网络阳离子只包装的产品。
5.应用程序是全功能的低V
DD
（电源控制部的） ，如果外部MOSFET具有低电压V
TH
.
V
频率
= V
IN
V
频率
= 50%V
IN
V
FB
> 0.8V
400
600
300
85
0
750
千赫
%
%
140
200
5
260
ns
ms
V
FB
= 0.79V
V
FB
= 0V
V
FB
= 0.79V
V
FB
= 0V
I
SINK
= 10毫安
-30
-23
60
27
-14
-7
80
36
0
9
100
47
mV
mV
A
A
V
V
0.1
V
PVDD
- 0.1V
Or
V
BST
- 0.1V
2.1
1.8
1.8
1.2
3.3
3.3
3.3
2.3
50
I
来源
= 10毫安
A
%V
OUT
%V
OUT
s
mV
°C
°C
扫V
FB
从低到高
扫V
FB
从高电平变为低电平
扫V
FB
从低到高
V
FB
< 90 ％× V
喃
, I
PG
= 1毫安
T
J
升起
85
90
6
100
70
160
4
95
200
2012年8月
5
M9999-080712-A
QQ：2880707522 复制
