Spansion闪存
数据表
TM
2003年9月
TM
该文件规定，现在由两个Advanced Micro Devices公司，并提供Spansion存储产品
富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称，
这些产品将提供给AMD和富士通的客户。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果
修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生， 。
TM
产品。今后日常的产品
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些
产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
的解决方案。
TM
内存
富士通半导体
数据表
DS05-20846-6E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 ）位
MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
s
概述
该MBM29LV160T / B是16M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个或1M字8位2M字节的内存
的每个16比特。该MBM29LV160T / B是在一个48引脚TSOP提供（ 1 ） ，48引脚南方东英和48球FBGA封装。
该设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和
5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备还可以在标准EPROM重新编程
程序员。
标准MBM29LV160T / B提供了80纳秒到120纳秒访问时间，高速运转使
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29LV160T / B引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29LV160T / B是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29LV160T/160B
-80
—
80
80
30
—
-90
90
90
35
—
-12
120
120
50
MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
（续）
个别部门通常擦除和1.0秒验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时MBM29LV160T / B被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
comleted ，装置内部复位到读模式。
该MBM29LV160T / B也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式
程序算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后重置为
阅读模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法，该装置自动复位到读
模式和将存储在所述地址位置被编程或擦除的错误数据。这些位置
需要重写复位后。复位装置使系统的微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29LV160T / B内存电擦除内所有的位
通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个部门。该字节/字编程一个字节/字在
时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
s
特点
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ 1 ） （包后缀： PFTN -正常弯曲型， PFTR反转弯型）
48引脚南方东英（包后缀： PCV ）
48球FBGA （包后缀： PBT ）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
80 ns最大访问时间
扇区擦除架构
在字模式之一8K字，二4K字，一是16K字，和31 32K字扇区
一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K和31 64K字节，字节的扇区模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*算法
在指定的地址，自动编程和校验数据
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
（续）
2
MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
（续）
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
通过扩展行业保护命令扇区保护设置功能
通过扩展指令快速编程功能
临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
根据CFI （通用闪存接口）
*:
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ 1 ）
侧面标
侧面标
(FPT-48P-M19)
48引脚塑料南方东英
(FPT-48P-M20)
48引脚塑料FBGA
(LCC-48P-M03)
(BGA-48P-M13)
3
QQ：2880707522 复制
