砷化镓雪崩二极管
TM
MI5001 - MI5022
特点
●
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指定的高输出功率
高直流到微波效率
对于脉冲和连续波应用
应用
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振荡器
航空电子系统
电子战系统
智能天线
描述
Microsemi的砷化镓雪崩二极管制造使用
低错位外延生长的掺杂结构和
用高温金属化工艺。该
二极管被设计成具有高的输出功率
当在临界耦合腔的测量
频率操作。在M18的建议
由于其低的包的MSC的雪崩二极管
热电阻和螺柱在阴极处。该
螺柱应安装在大幅散热器。
其他陶瓷封装也可提供。
CW雪崩二极管(规格@ 25°C )
部分
数
MI5022-18
操作
频率
(千兆赫)
9.5–10.2
分钟。
P
O
(瓦特)
3.5
分钟。
V
BR
@ 1毫安
(V)
30
典型值。
C
T
(0 V)
(PF )
20
典型值。
V
OP
(V)
45
典型值。
I
OP
(A)
0.40
典型值。
EFF 。
(%)
20
马克斯。
° C / W
12.0
PKG 。
风格
M18
脉冲雪崩二极管(规格@ 25°C )
部分
数
MI5001-18
MI5003-18
MI5004-18
1
2
操作
频率
(千兆赫)
5.1–5.4
9.1–9.6
9.1–9.5
分钟。
P
O
(瓦特)
10
1
15
1
分钟。
V
BR
@ 1毫安
(V)
70
45
35
典型值。
C
T
(0 V)
(PF )
80
75
42
典型值。
V
OP
(V)
85
60
55
典型值。
I
OP
(A)
1.0
1.7
1.2
典型值。
EFF 。
(%)
12
15
18
马克斯。
° C / W
8.0
9.5
9.5
PKG 。
风格
M15
M18
M18
12
2
脉冲宽度0.5-10
S;
占空比: 0.5-5 % 。
脉冲宽度1-2
S;
占空比: 20%-30% 。
注意事项:
雪崩二极管被指定在工作频带内的客户所指定的固定频率测得的临界耦合腔进行操作。
总电容被指定在1 MHz 。
用于测量热阻测试程序要求提供。
击穿电压规定为1 mA 。
重要提示:
有关最新资料,请咨询我们的网站:
www.Microsemi.com
规格如有变更。咨询工厂的最新信息
.
这些设备ESD敏感,必须使用防静电措施进行处理。
版权
2008
冯: 2009-01-19
这些产品均采用符合RoHS提供
投诉金完成
.
Microsemi的
微波产品
75技术驱动,洛厄尔,MA 。 01851 , 978-442-5600 ,传真: 978-937-3748
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