摩托罗拉
射频线
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MHL19936 / D
PCS频段
射频线性LDMOS功放
专为超线性放大器应用
50欧姆系统
S IN操作
在PCS频带。硅FET A级设计提供了出色的
线性度和增益。此外，极好的群时延和相位线性
特征非常适合数字调制系统，如TDMA和
CDMA 。
三阶截取： 49.5 dBm的典型值
功率增益：29 dB典型值（ F = 1960兆赫）
出色的相位线性度和群时延特性
理想的前馈基站应用
MHL19936
1900-2000兆赫
12 W ， 29分贝
射频线性LDMOS功放
飞思卡尔半导体公司...
CASE 301AY -01 ，风格1
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
直流电源电压
RF输入功率
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
DD
P
in
T
英镑
T
C
价值
30
+16
-40至+100
-20至100
单位
VDC
DBM
°C
°C
电气特性
(V
DD
= 26伏直流，T
C
= 25°C; 50
系统）
特征
电源电流
功率增益
增益平坦度
功率输出@ 1分贝比较。
输入VSWR
三阶截取
噪声系数
（ F = 1960兆赫）
（ F = 1900-2000兆赫）
（ F = 1950兆赫）
（ F = 1900-2000兆赫）
（F1 = 1950兆赫，
F2 = 1955兆赫）
（ F = 2000兆赫）
符号
I
DD
G
p
G
F
P1dB
VSWR
in
ITO
NF
民
—
28
—
40
—
49
—
典型值
1.4
29
0.2
41
1.2:1
49.5
4.2
最大
1.45
30
0.4
—
1.5:1
—
4.5
DBM
dB
单位
A
dB
dB
DBM
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
MHL19936
1
飞思卡尔半导体公司
典型特征
40
磷的克数，功率增益/ RETURN LOSS（分贝）
30
20
P1dB的ITO（ dBm的）
10
0
IRL
ORL
G
p
65
60
55
50
45
40
35
V
DD
= 26伏直流
T
C
= 25_C
1600
1800
2000
2200
2400
2600
30
25
1600
1700
1800
1900
2000
V
DD
= 26伏直流
T
C
= 25_C
2100
2200
ITO
P1dB
-10
-20
-30
-40
1400
男，频率（MHz）
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图1.功率增益，输入回波损耗，
输出回波损耗与频率
图2的P1dB ， ITO与频率
32
31
磷的克数，功率增益（分贝）
30
29
28
27
26
-40
I
DD
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
1500
1480
1460
IDD （MA ）
ITO（ dBm的）
1440
1420
1400
1380
120
54
52
50
P1dB
48
46
44
42
-40
ITO
44
43
42
41
40
39
G
p
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
-20
0
20
40
60
80
100
38
120
温度（℃）
图3.功率增益，我
DD
与温度的关系
图4. ITO ， P1dB为与温度
-1740
-1755
-1770
第一阶段（
°
)
-1785
相
群时延
3.2
3.1
群延迟（ns ）
3
2.9
2.8
2.7
2.6
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
-20
0
20
40
60
80
100
2.5
2.4
120
1.4
1.2
G F ，增益平坦度（ dB）的
1
1.4
1.2
1
0.8
相位线性度
G
F
0.6
0.4
V
DD
= 26伏直流
F = 1930年至1960年兆赫
T
C
= 25_C
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
0.2
0
120
相位线性度（
°
)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-40
-1800
-1815
-1830
-1845
-1860
-40
温度（℃）
图5.相
(1)
，群时延
(1)
与温度的关系
(1)In
生产测试夹具
图6.增益平坦度，相位线性
与温度的关系
MHL19936
2
欲了解更多有关该产品，
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摩托罗拉RF设备数据
P1dB的（ DBM）
飞思卡尔半导体公司
包装尺寸
A
B
A
G
B
0.51 (0.020)
M
T A
S
M
注意事项：
1.控制尺寸：毫米。
2. INTERPRET尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
3.尺寸F到中心线线索。
MILLIMETERS
民
最大
44.7
45.21
34.8
35.31
6.22
6.73
0.43
0.58
2.03
2.54
2.18 BSC
41.91 BSC
32.77 BSC
6.76
7.11
3.18
4.19
25.15 BSC
7.37 BSC
9.91 BSC
0.2
0.33
3
3.35
13.59
14.1
11.3
11.81
2.29 BSC
英寸
民
最大
1.760
1.780
1.370
1.390
0.245
0.265
0.017
0.023
0.080
0.100
0.086 BSC
1.650 BSC
1.290 BSC
0.266
0.280
0.125
0.165
0.990 BSC
0.290 BSC
0.390 BSC
0.008
0.013
0.118
0.132
0.535
0.555
0.445
0.465
0.090 BSC
R
1
2
3 4
5
S
J
5X
2X
K
L
H
W
M
N
Q
0.2 (0.008)
M
吨s
M
A
M
飞思卡尔半导体公司...
5X
D
M
0.51 (0.020)
T B
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
W
T
C
5X
P
M
飞机座位
E
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
案例：
RF输入
VDD1
VDD2
VDD3
RF输出
地
0.51 (0.020)
T B
F
M
CASE 301AY -01
发行
本文档中的信息是专门提供给帮助系统和软件实施者使用摩托罗拉产品。没有任何明示或暗示的版权
所授予的许可证，设计和制造基于本文档中的任何信息的集成电路或集成电路。
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
特别声明，任何和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，其中包括
“典型” ，必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有在其专利的权利，也没有任何许可
他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。
MOTOROLA及风格化M徽标已在美国专利和商标局注册。所有其它产品或服务名称均为其各自的属性
业主。摩托罗拉公司是一个机会均等/肯定行动雇主。
E
摩托罗拉公司2003
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布
P.O.盒5405 ，丹佛，科罗拉多州80217
1-800-521-6274或480-768-2130
日本：
摩托罗拉日本公司; SPS ，技术信息中心，
3-20-1 ，南麻布，港区，东京106-8573 ，日本
81–3–3440–3569
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司;硅港中心，
2大景街，大埔工业村，大埔，新界，香港
852–26668334
主页：
http://motorola.com/semiconductors
MHL19936
4
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摩托罗拉RF设备数据
MHL19936/D
摩托罗拉
射频线
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MHL19936 / D
PCS频段
射频线性LDMOS功放
专为超线性放大器应用
50欧姆系统
S IN操作
在PCS频带。硅FET A级设计提供了出色的
线性度和增益。此外，极好的群时延和相位线性
特征非常适合数字调制系统，如TDMA和
CDMA 。
三阶截取： 49.5 dBm的典型值
功率增益：29 dB典型值（ F = 1960兆赫）
出色的相位线性度和群时延特性
理想的前馈基站应用
MHL19936
1900-2000兆赫
12 W ， 29分贝
射频线性LDMOS功放
飞思卡尔半导体公司...
CASE 301AY -01 ，风格1
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
直流电源电压
RF输入功率
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
DD
P
in
T
英镑
T
C
价值
30
+16
-40至+100
-20至100
单位
VDC
DBM
°C
°C
电气特性
(V
DD
= 26伏直流，T
C
= 25°C; 50
系统）
特征
电源电流
功率增益
增益平坦度
功率输出@ 1分贝比较。
输入VSWR
三阶截取
噪声系数
（ F = 1960兆赫）
（ F = 1900-2000兆赫）
（ F = 1950兆赫）
（ F = 1900-2000兆赫）
（F1 = 1950兆赫，
F2 = 1955兆赫）
（ F = 2000兆赫）
符号
I
DD
G
p
G
F
P1dB
VSWR
in
ITO
NF
民
—
28
—
40
—
49
—
典型值
1.4
29
0.2
41
1.2:1
49.5
4.2
最大
1.45
30
0.4
—
1.5:1
—
4.5
DBM
dB
单位
A
dB
dB
DBM
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
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MHL19936
1
飞思卡尔半导体公司
典型特征
40
磷的克数，功率增益/ RETURN LOSS（分贝）
30
20
P1dB的ITO（ dBm的）
10
0
IRL
ORL
G
p
65
60
55
50
45
40
35
V
DD
= 26伏直流
T
C
= 25_C
1600
1800
2000
2200
2400
2600
30
25
1600
1700
1800
1900
2000
V
DD
= 26伏直流
T
C
= 25_C
2100
2200
ITO
P1dB
-10
-20
-30
-40
1400
男，频率（MHz）
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图1.功率增益，输入回波损耗，
输出回波损耗与频率
图2的P1dB ， ITO与频率
32
31
磷的克数，功率增益（分贝）
30
29
28
27
26
-40
I
DD
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
1500
1480
1460
IDD （MA ）
ITO（ dBm的）
1440
1420
1400
1380
120
54
52
50
P1dB
48
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44
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ITO
44
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42
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G
p
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
-20
0
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80
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温度（℃）
-20
0
20
40
60
80
100
38
120
温度（℃）
图3.功率增益，我
DD
与温度的关系
图4. ITO ， P1dB为与温度
-1740
-1755
-1770
第一阶段（
°
)
-1785
相
群时延
3.2
3.1
群延迟（ns ）
3
2.9
2.8
2.7
2.6
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
-20
0
20
40
60
80
100
2.5
2.4
120
1.4
1.2
G F ，增益平坦度（ dB）的
1
1.4
1.2
1
0.8
相位线性度
G
F
0.6
0.4
V
DD
= 26伏直流
F = 1930年至1960年兆赫
T
C
= 25_C
-20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
0.2
0
120
相位线性度（
°
)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-40
-1800
-1815
-1830
-1845
-1860
-40
温度（℃）
图5.相
(1)
，群时延
(1)
与温度的关系
(1)In
生产测试夹具
图6.增益平坦度，相位线性
与温度的关系
MHL19936
2
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摩托罗拉RF设备数据
P1dB的（ DBM）
飞思卡尔半导体公司
包装尺寸
A
B
A
G
B
0.51 (0.020)
M
T A
S
M
注意事项：
1.控制尺寸：毫米。
2. INTERPRET尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
3.尺寸F到中心线线索。
MILLIMETERS
民
最大
44.7
45.21
34.8
35.31
6.22
6.73
0.43
0.58
2.03
2.54
2.18 BSC
41.91 BSC
32.77 BSC
6.76
7.11
3.18
4.19
25.15 BSC
7.37 BSC
9.91 BSC
0.2
0.33
3
3.35
13.59
14.1
11.3
11.81
2.29 BSC
英寸
民
最大
1.760
1.780
1.370
1.390
0.245
0.265
0.017
0.023
0.080
0.100
0.086 BSC
1.650 BSC
1.290 BSC
0.266
0.280
0.125
0.165
0.990 BSC
0.290 BSC
0.390 BSC
0.008
0.013
0.118
0.132
0.535
0.555
0.445
0.465
0.090 BSC
R
1
2
3 4
5
S
J
5X
2X
K
L
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M
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Q
0.2 (0.008)
M
吨s
M
A
M
飞思卡尔半导体公司...
5X
D
M
0.51 (0.020)
T B
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
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M
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P
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R
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W
T
C
5X
P
M
飞机座位
E
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
案例：
RF输入
VDD1
VDD2
VDD3
RF输出
地
0.51 (0.020)
T B
F
M
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所授予的许可证，设计和制造基于本文档中的任何信息的集成电路或集成电路。
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
特别声明，任何和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，其中包括
“典型” ，必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有在其专利的权利，也没有任何许可
他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。
MOTOROLA及风格化M徽标已在美国专利和商标局注册。所有其它产品或服务名称均为其各自的属性
业主。摩托罗拉公司是一个机会均等/肯定行动雇主。
E
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如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布
P.O.盒5405 ，丹佛，科罗拉多州80217
1-800-521-6274或480-768-2130
日本：
摩托罗拉日本公司; SPS ，技术信息中心，
3-20-1 ，南麻布，港区，东京106-8573 ，日本
81–3–3440–3569
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司;硅港中心，
2大景街，大埔工业村，大埔，新界，香港
852–26668334
主页：
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