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初步规格。
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三菱的LSI
MH32D72KLH-75,-10
2415919104位( 33554432 - WORD 72 - BIT)双数据速率同步DRAM模组
描述
该MH32D72KLH是33554432 - 字X 72位双
数据速率( DDR ) SY nchronous DRAM安装模块。
这由9个行业标准32M ×8的DDR
SY nchronous的DRAM的TSOP与SSTL_2 INTERF其王牌
兴实现ES V ERY高速数据传输速率达到133MHz 。
这种插座TY PE存储器M odule适合F或主
存储器中的计算机系统和易于互换或
添加模块。
93pin
1pin
特点
马克斯。
频率
CLK
存取时间
[组件级别]
型号名称
MH32D72KLH-75
MH32D72KLH-10
133MHz
100MHz
+ 0.75ns
+ 0.8ns
- 采用行业标准的32M ×8 DDR同步DRAM
在TSOP封装,行业标准的寄存缓冲器中
TSSOP封装,并采用TSSOP封装行业标准PLL 。
-
VDD = VDDQ = 2.5V ± 0.2V
144pin
145pin
52pin
53pin
- 双数据速率的架构;两个数据互感器器每
时钟CY 乐
- 双向数据选通( DQS )发送/接收地编
随着数据
- 迪夫F erential时钟输入( CK0和/ CK0 )
- 数据和数据屏蔽文献所引用,以DQS的两个边缘
- / CAS延迟 - 2.0 / 2.5 (可编程)
- 突发长度 - 2/4/8 (可编程)
- 自动预充电/所有银行预充电用A10的控制
- 8192参考RESH CY LES / 64ms的
- 自动裁判RESH和自我裁判RESH
- 行地址A0-12 /列地址A0-9
- SSTL_2 INTERF王牌
- 模块1bank的conf igration
- 突发泰PE - 连续/ interleav E(可编程)
- 命令进入每个positiv é CLK边缘
184pin
92pin
应用
对于PC主存储器单元, PC服务器,服务器,W S.
MIT-DS-0391-1.0
三菱电机
24.Nov.2000
1
初步规格。
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三菱的LSI
,
MH32D72KLH-75,-10
2415919104位( 33554432 - WORD 72 - BIT)双数据速率同步DRAM模组
引脚配置
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
名字
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
RESET
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDDQ
NC
NC
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDDQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ28
A7
VDDQ
DQ19
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
VSS
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
关键
DQ32
VDDQ
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
VDDQ
/ WE
DQ41
/ CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
NC
DQ48
DQ49
VSS
NC
NC
VDDQ
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
名字
A1
CB0
CB1
VDD
DQS8
A0
CB2
VSS
CB3
BA1
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
名字
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
NC
SDA
SCL
VSS
DQ4
DQ5
VDDQ
DM0
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
A13
VDDQ
DQ12
DQ13
DM1
VDD
DQ14
DQ15
CKE1
VDDQ
NC
DQ20
A12
VSS
DQ21
A11
DM2
VDD
DQ22
A8
DQ23
VSS
A6
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
关键
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
/ RAS
DQ45
VDDQ
/S0
/S1
DM5
VSS
DQ46
DQ47
NC
VDDQ
DQ52
DQ53
名字
DQ28
DQ29
VDDQ
DM3
A3
DQ30
VSS
DQ31
CB4
CB5
VDDQ
CK0
/CK0
VSS
DM8
A10
CB6
VDDQ
CB7
NC :无连接
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
名字
NC
VDD
DM6
DQ54
DQ55
VDDQ
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7
DQ62
DQ63
VDDQ
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
MIT-DS-0391-1.0
三菱电机
24.Nov.2000
2
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三菱的LSI
MH32D72KLH-75,-10
2415919104位( 33554432 - WORD 72 - BIT)双数据速率同步DRAM模组
框图
/RS0
DQS0
DQS9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DQS10
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DQS11
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DQS12
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS8
DQS17
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DM
/S
的DQ
/S0
BA0-BA1
A0-A12
/ RAS
/ CAS
CKE0
/ WE
PCK
/ PCK
/ RS0 -> SDRAM的D0 -D8
RBA0 - RBA1 -> SDRAM的D0 -D8
RA0 - RA12 -> SDRAM的D0 -D8
/ RRAS -> SDRAM的D0 -D8
/ RCAS -> SDRAM的D0 -D8
/ RCKE0 -> SDRAM的D0 -D8
/ RWE -> SDRAM的D0 -D8
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DM
/S
的DQ
DM
/S
的DQ
D0
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
D4
DM
/S
的DQ
DM
/S
的DQ
D1
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
D5
串行PD
SCL
SDA
WP
A0 A1
A2
DQS6
DM6
DM
/S
的DQ
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
SA0 SA1 SA2
DM
/S
的DQ
VDDQ
D0到D8
D0到D8
D0到D8
D0到D8
D2
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
D6
VDD
VREF
VSS
VDDID
VDDID : OPEN -> VDD = VDDQ
VSS -> VDD = VDDQ
DM
/S
的DQ
DM
/S
的DQ
CK0
PCK0 -> SDRAM的D0 -D8 ,
寄存缓冲器
/ PCK0 -> SDRAM的D0 -D8 ,
寄存缓冲器
PLL
/CK0
D3
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
D7
D8
/ RESET
MIT-DS-0391-1.0
三菱电机
24.Nov.2000
3
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三菱的LSI
MH32D72KLH-75,-10
2415919104位( 33554432 - WORD 72 - BIT)双数据速率同步DRAM模组
引脚功能
符号
TYPE
描述
钟: CK0和/ CK0是DIF F erential时钟输入。所有的地址和控制输入
信号被采样CK0速度变化与e的正沿的交叉
中/ CK0边缘。输出(读取)数据被裁判所引用,以CK0的口岸和
/ CK0 (C罗辛的两个方向) 。
时钟使能: CKE0控制SDRAM的内部时钟。当CKE0低,
内部时钟F或歼ollowing CY 乐被停止。 CKE0还用于选择
自动/自参考RESH 。自参考RESH模式被启动后, CKE0变
ASY nchronous输入。只要CKE0是低的自参考RESH被保持。
PHY s的iCal银行选择:当/ S0为高电平时,任何命令意味着任何操作。
CK0,/CK0
输入
CKE0
输入
/S0
/ RAS , / CAS , / WE
输入
输入
的RAS /组合, / CAS , /我们定义了基本的命令。
A0-12注明: 与BA0,1联行/列地址。该行
地址是由A0-12注明:灭蝇灯。列地址由A0-9注明:灭蝇灯。
A10也被用于指示预充电选项。当A10为高,一个读/写
命令,自动预充电是PERF ormed 。当A10为高电平时预充电
命令,所有银行都预充电。
银行地址: BA0,1指定该命令适用四家银行在SDRAM中的一个。 BA0,1
必须以ACT , PRE ,读来设置,写入命令。
A0-12
输入
BA0,1
DQ 0-64
CB 0-7
DQS0-8
DM0-8
VDD , VSS
VDDQ , VSSQ
VDDSPD
VREF
RESET
SDA
SCL
SA0-2
VDDID
输入
输入/输出
输入/输出
输入
电源
电源
电源
输入
输入
数据输入/输出:数据总线
数据选通:输出与读出的数据,输入与写入数据。边沿对齐的读
数据中心中写入数据。用于捕获写数据。
口罩写入数据时的高,同时具有输入数据发出。无论DM和DQ有写
一个时钟一次写入命令的等待时间登记到SDRAM中。
电源,用于在存储器阵列和外围电路。
VDDQ和VSSQ被提供给唯一的输出缓冲器。
电源的防雷器
SSTL_2参考电压。
这个信号是ASY nchronous并DRIV EN低到寄存器,以
保证寄存器输出为低。
这种双向引脚用于TRANSF ER数据移入或移出的SPD EEPROM中。
电阻必须连接f光盘SDA总线连接到VDD作为上拉。
这个信号被用于时钟数据移入和移出吨的他的SPD EEPROM中。电阻
可以连接f光盘将SCL总线时间到VDD以充当上拉。
这些信号被捆绑在系统平面至VSS或VDD到conf igure
串行EEPROM SPD地址范围。
VDD度为100 F滞后
输入/输出
输入
输入
MIT-DS-0391-1.0
三菱电机
24.Nov.2000
4
初步规格。
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三菱的LSI
MH32D72KLH-75,-10
2415919104位( 33554432 - WORD 72 - BIT)双数据速率同步DRAM模组
基本功能
该MH32D72KLH提供了基本的功能,银行(行)激活,突发读取/写入,银行(行)
预充电和自动/自刷新。每一个命令是由/ RAS , / CAS控制信号定义
和/ WE在CLK的上升沿。除了3个信号, / S 0 , CKE0和A10被用作芯片
选择,分别刷新选项,和预充电的选项。要知道的详细定义
命令,请参见命令真值表。
/CK0
CK0
/S0
/ RAS
/ CAS
/ WE
CKE0
A10
芯片选择: L =选择, H =取消
命令
命令
命令
参考RESH选项@ref RESH命令
预充电选@precharge或读/写命令
高清INE基本命令
激活( ACT ) [ / RAS = L , / CAS = / WE = H]
ACT命令激活一排由BA表示闲置银行。
读(READ ) [ / RAS = H , / CAS = L , / WE = H]
READ命令启动突发由BA表示当前银行读取。第一输出数据
后/ CAS延迟出现。当A10 = H在此命令中,该行后停用
突发读取(自动预充电, READA )
写( WRITE) [ / RAS = H, / CAS = / WE = L]
写命令启动突发写入由广管局表示活动的银行。总数据长度为
笔试由突发长度设置。当A10 = H在此命令中,该行后停用
突发写入(自动预充电,
WRITEA ) 。
预充电(PRE ) / RAS = L , / CAS = H, / WE = L]
PRE命令将停用由BA表示活动的银行。该命令还终止
突发读/写操作。当A10 = H在此命令,所有银行都取消
(全部预充电,
PREA ) 。
自动刷新( REFA ) / RAS = / CAS = L , / WE = CKE0 = H〕
REFA命令启动自动刷新周期。刷新地址包括银行地址
内部产生。该命令后,银行会自动预充电。
MIT-DS-0391-1.0
24.Nov.2000
三菱电机
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MH32D72KLH-10
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MH32D72KLH-10
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