M29W160BT
M29W160BB
16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ，引导块）
低压单电源闪存
初步数据
s
单2.7至3.6V电源电压
编程，擦除和读取操作
访问时间： 70ns的
编程时间
- 每字节为10μs /字典型
35内存块
- 1引导块（顶部或底部的位置）
- 2参数和32个主要模块
TSOP48 （ N）
12× 20毫米
1
44
s
s
s
SO44 （M）的
s
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/ Word程序算法
- 嵌入式多块/片擦除算法
- 状态寄存器轮询和切换位
- 就绪/忙输出引脚
LFBGA48 （ZA）
8×6的焊锡球
FBGA
s
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
图1.逻辑图
s
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
临时块解除保护
模式
安全存储器块
低功耗
- 待机和自动待机
A0-A19
W
E
G
RP
M29W160BT
M29W160BB
20
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VCC
s
s
s
s
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 低于1ppm缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 热门器件代码M29W160BT ： 22C4h
- 底设备代码M29W160BB ： 2249h
s
s
VSS
AI00981
注： RB在SO44封装不可用。
2000年2月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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M29W160BT ， M29W160BB
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
工作环境温度（温度范围选项6 ）
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
ID
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压
电源电压
识别电压
-40到85
-50至125
-65到150
-0.6 4
-0.6 4
-0.6至13.5
参数
工作环境温度（温度范围选项1 ）
价值
0到70
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
2.最小电压可能下冲至-2V过渡期间和小于在转换过程中为20ns 。
概要说明
该M29W160B是16兆位（2MB ×8或1Mb的X16 ）
非易失性存储器可以被读，擦除和
重新编程。这些操作可以per-
使用单一的低电压（2.7 3.6V ），形成
供应量。上电时，存储默认其
读取模式，其中它可以被读取以同样的方式
作为ROM或EPROM 。
所述存储器被划分成块，可以是
独立地被擦除，因此，能够维持
而旧的数据被擦除的有效数据。每块可
独立的保护，以防止意外
从修改编程或擦除命令
内存。编程和擦除命令令状
10到存储器的命令接口。一
片上编程/擦除控制器简化了
编程的过程或擦除的存储器
把所有的特殊操作进行护理
需要更新的存储器内容。
编程或擦除操作结束时可以
检测到任何错误情况确定。该
所需的指令集，以控制所述存储器是
符合JEDEC标准相一致。
在存储器中的块是不对称AR-
列，参见表3和表4中，块地址。该
第一个或最后64字节被分成四个
附加块。 16 KB的引导块可以
用于小初始化代码以启动微
处理器，两个8字节参数块可
用于参数存储和剩余
32K是一个小的主座，其中应用程序
可以被存储。
芯片使能，输出使能和写使能显
的NAL控制内存的总线操作。
他们让大多数微处理器的简单连接
处理机，通常无需额外的逻辑。
提供在TSOP48存储器（ 12× 20毫米）
SO44和LFBGA48 （ 0.8mm间距）封装，
它被提供有全部被擦除的位（设置为' 1'） 。
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