【MGSF1N02LT1首选设备功率MOSFET750毫安， 20伏N沟道SOT- 23这些微型表面贴】,IC型号MGSF1N02LT1_05,MGSF1N02LT1_05 PDF资料,MGSF1N02LT1

MGSF1N02LT1

首选设备

功率MOSFET

750毫安， 20伏

N沟道SOT- 23

这些微型表面贴装MOSFET的低R

DS （ ON）

保证

最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用

对于空间敏感的电源管理电路使用。典型

应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式

和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA

卡，手机和无绳电话。

特点

http://onsemi.com

750毫安， 20伏

DS （ ON）

= 90毫瓦

N沟道

低R

DS （ ON）

提供更高的效率和延长电池寿命

小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间

无铅包可用

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

- 脉冲漏电流（T

≤

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度范围

热阻，结到环境

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

DSS

, T

英镑

qJA

价值

750

2000

400

- 55 150

300

260

单位

VDC

°C

° C / W

°C

SOT23

CASE 318

21风格

N2 M

门

来源

标记图/

引脚分配

漏

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

=器件代码

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和横线可能会有所不同

根据生产地点。

订购信息

设备

MGSF1N02LT1

MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT3

MGSF1N02LT3G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

SOT- 23万/磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年12月 - 第4版

出版订单号：

MGSF1N02LT1/D

MGSF1N02LT1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0伏，我

= 10

MADC ）

零栅极电压漏极电流

= 20伏，V

= 0伏）

= 20伏，V

= 0伏，T

= 125°C)

门体漏电流（Ⅴ

20伏直流电，V

= 0伏）

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

MADC ）

静态漏 - 源极导通电阻

= 10 VDC ，我

= 1.2 ADC）

= 4.5伏，我

= 1.0 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷（参见图6）

源极 - 漏极二极管的特性

连续电流

脉冲电流

正向电压（注2）

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结温。

0.8

0.6

0.75

= 15 VDC ，我

= 1.0 ADC ，

= 50

D（上）

D（关闭）

2.5

1.0

8.0

6000

= 5.0伏）

国际空间站

OSS

RSS

125

120

GS （ TH）

DS （ ON）

0.075

0.115

0.090

0.130

1.0

1.7

2.4

VDC

（ BR ） DSS

DSS

GSS

1.0

±100

NADC

VDC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

典型电气特性

2.5

I D ，漏极电流（ AMPS ）

1.5

55°C

= 150°C

= 10 V

I D ，漏极电流（ AMPS ）

2.5

= 3.0 V

1.5

0.5

3.5

2.75 V

2.5 V

2.25 V

，漏极至源极电压（伏）

3.5 V

3.25 V

0.5

25°C

1.5

2.5

，栅极至源极电压（伏）

图1.传热特性

图2.区域特征

http://onsemi.com

MGSF1N02LT1

典型电气特性

R DS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

0.2

0.18

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

= 4.5 V

150°C

0.14

0.13

0.12

0.11

0.1

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

25°C

55°C

= 10 V

150°C

25°C

55°C

0.9

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

图4.导通电阻与漏电流

RDS （ ON），漏极 - 源极电阻

（归一化）

VGS ，栅极至源极电压（伏）

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

145

= 4.5 V

= 1 A

= 10 V

= 2 A

= 16 V

= 25°C

= 2.0 A

1000

2000

3000

4000

5000

6000

，结温（ ° C）

，总栅极电荷（ PC）

图5.导通电阻随温度的变化

图6.栅极电荷

I D ，二极管电流（安培）

1000

= 0 V

F = 1 MHz的

= 25°C

国际空间站

100

OSS

RSS

0.1

0.01

0.001

C，电容（pF ）

= 150°C

25°C

55°C

0.2

0.4

0.6

0.8

，二极管的正向电压（伏）

，漏极至源极电压（伏）

图7.体二极管正向电压

图8.电容

http://onsemi.com

MGSF1N02LT1

包装尺寸

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-08

问题一

SEE视图C

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.最大引线厚度INCLUDES

铅涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4. 318-01 THRU -07和-09过时了，

新标准318-08 。

MILLIMETERS

喃

最大

1.00

1.11

0.06

0.10

0.44

0.50

0.13

0.18

2.90

3.04

1.30

1.40

1.90

2.04

0.20

0.30

0.54

0.69

2.40

2.64

英寸

喃

0.040

0.002

0.018

0.005

0.114

0.051

0.075

0.008

0.021

0.094

0.25

视图C

暗淡

民

0.89

0.01

0.37

0.09

2.80

1.20

1.78

0.10

0.35

2.10

民

0.035

0.001

0.015

0.003

0.110

0.047

0.070

0.004

0.014

0.083

最大

0.044

0.004

0.020

0.007

0.120

0.055

0.081

0.012

0.029

0.104

风格21 ：

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

焊接足迹*

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

SCALE 10 ： 1

0.8

0.031

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利

这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任

由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。

这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有

运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可

也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应

买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，

和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害

与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等

机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。

出版物订货信息

文学履行：

安森美半导体文学配送中心

P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA

电话：

480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大

传真：

480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大

电子邮件：

orderlit@onsemi.com

N.美国技术支持：

免费电话800-282-9855

美国/加拿大

日本：

安森美半导体，日本顾客焦点中心

2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051

电话：

81357733850

安森美半导体网站：

http://onsemi.com

为了文学：

http://www.onsemi.com/litorder

有关更多信息，请联系您

当地销售代表。

http://onsemi.com

MGSF1N02LT1/D