【MTMOS-高科技半导体公司MT4936N沟道增强型网络场效晶体管特点●●●●超级高密度电池设计低R】,IC型号MT4936,MT4936 PDF资料,MT4936经销商,ic,电子元器件-51电子网

MOS-高科技半导体公司

MT4936

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

●

超级高密度电池设计低R

DS （ ON）

坚固可靠

简单

驱动要求

SO- 8封装

产品概述

DSS

25V

5.2A

DS （ ON）

（ MΩ）典型值

55@ V

=10V

60@ V

=4.5V

注： MT4936可

在无铅封装

绝对最大信号额定值（T

= 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流Continuous @ TJ = 125 ℃

- 脉冲

符号

英镑

极限

±20

5.2

1.7

2.5

-55到150

单位

℃

漏源二极管正向Current

最大功率Dissipationa

工作结存储

温度范围

热特性

热阻，结到Ambient

RTH

℃/W

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MT4936

电气特性（T

= 25℃除非另有说明）

参数

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

开特色为

符号

条件

民

典型值

最大

单位

DSS

GSS

=0V,I

=-250A

=20V,V

=0V

=±16V,V

=0V

±100

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向跨导

DAYNAMIC特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

切换CHARACTERISISTICS

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

（ TH ）

DS （ ON）

=-250A

=10V,I

=5A

=4.5V,I

=3.0A

0.8

1.1

2.0

mΩ

=5V,I

=5A

国际空间站

OSS

RSS

=10V,V

=0V

f=1.0MH

586

101

D（上）

D（关闭）

Q S

Q D

=10V

=15 A,

根

=4.5V

=10ohm

根

=10ohm

6.5

32.1

58.4

=10V,I

=1A

=4.5V

1.35

1.5

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MT4936

电气特性的影响（ TA = 25℃除非另有说明）

参数

符号

条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性

二极管的正向电压

=0V,I

=1.25A

0.84

1.2

笔记

一。表面安装在FR4板，T ≦ 10秒

B 。脉冲测试：脉冲宽度≦ 300US ，占空比≦ 2 ％

。通过设计保证，不受生产测试。

，漏电流（ A）

，漏极至源极电压（ V）

图1.输出特性

，漏电流（ A）

，栅 - 源极电压（ V）

图2.Transfer特点

DS （ ON）

，导通电阻（

mΩ)

=10V

=3A

C，电容（pF ）

VGS ，漏极至源极电压

Figure3.Capacitance

4所示。导通电阻变化与

温度

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MT4936

门源阈值电压

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

--50

-25

75 100 125

--50 -25

50 75 100 125

=250uA

排水渠源击穿

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

ID=250uA

TJ ,.结温（ ℃ ）

DSS

归一化

Vth时，归一化

TJ ， .Junction温度（℃ ）

Figure5.Gate阈值变化

随温度

Figure6.Breakdown电压变化

随温度

FS ，跨导（ S）

是，源drian电流（ A）

=5V

0.6

0.8

1.0

1.2

Tj=25℃

1.4

1.6

，漏源电流（A ）

，体二极管正向电压

Figure7.Transconductance变化

与漏极电流

Figure8.Body二极管正向电压

变化与源电流

，门源电压

=10V

=15A

，漏电流（ A）

0.1

0.03

0.1

10 20

，总栅极电荷（ NC）

，漏源电压（V ）

Figure9 。栅极电荷

Figure10.Maximum安全工作区

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