摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
订购此文件
通过MGP4N60E / D
绝缘栅双极晶体管
N沟道增强型硅栅
此绝缘栅双极晶体管（IGBT ），采用了先进的
终止方案，以提供更完善，更可靠的高
电压阻断能力。其新的600 V IGBT技术
特别适合用于需要高温度的应用
TURE短路能力和低的VCE（on ） 。它还提供了快速
在高开关在高效运行的特点和效果
频率。这种新的E系列引入了高效节能，
ESD保护，短路坚固耐用的设备。
工业标准TO- 220封装
高速的Eoff = 60
m
焦耳/一个典型的在125°C
高压短路能力 - 10
m
的最低在125℃ ， 400伏
低导通电压2.0 V典型的为3.0 A， 125°C
强大的高压端子
ESD保护栅极 - 射极齐纳二极管
数据表
MGP4N60E
IGBT采用TO- 220
4.0 A @ 90℃
6.0 A @ 25℃
600伏
额定短路
低导通电压
C
G
C
G
E
E
CASE 221A -09
9风格
TO–220AB
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压（ RGE = 1.0 MΩ ）
极 - 发射极电压 - 连续
连续集电极电流 - @ TC = 25°C
- 连续@ TC = 90℃
- 重复脉冲电流（1）
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
短路承受时间
（ VCC = 400 VDC ， VGE = 15V直流电， TJ = 125°C ， RG = 20
)
热阻 - 结到外壳 - IGBT
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
（1）脉冲宽度由最大结点温度的限制。重复评价。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
符号
VCES
VCGR
VGE
IC25
IC90
ICM
PD
TJ ， TSTG
TSC
R
θJC
R
θJA
TL
价值
600
600
±20
6.0
4.0
8.0
62.5
0.51
- 55 150
10
2.0
65
260
10磅
S
在（ 1.13
S
m)
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
m
s
° C / W
°C
设计师的是Motorola，Inc.的商标。
REV 1
摩托罗拉IGBT器件
摩托罗拉1997年公司
数据
1
MGP4N60E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ VGE = 0伏， IC = 250
μAdc ）
温度系数（正）
发射极 - 集电极击穿电压（ VGE = 0伏， IEC = 100 MADC ）
零栅极电压集电极电流
（ VCE = 600伏， VGE = 0伏）
（ VCE = 600伏， VGE = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGE =
±
20伏直流电， VCE = 0伏）
基本特征（ 1 ）
集电极 - 发射极通态电压
（ VGE = 15 VDC ， IC = 1.5 ADC）
（ VGE = 15 VDC ， IC = 1.5 ADC ， TJ = 125°C ）
（ VGE = 15 VDC ， IC = 3.0 ADC）
栅极阈值电压
（ VCE = VGE ， IC = 1.0 MADC ）
阈值温度系数（负）
正向跨导（ VCE = 10 VDC ， IC = 3.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 1 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
栅极电荷
（ VCC = 360伏， IC = 3 0 ADC
VDC
3.0 ADC ，
VGE = 15 VDC ）
内部封装电感
内置发射器电感
（测量从发射极引线0.25“从包到发射极焊盘）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
LE
—
7.5
—
nH
（ VCC = 360伏， IC = 3 0广告
Vd
3.0 ADC ，
VGE = 15 VDC ， L = 300
m
H
Vd
H,
RG = 20
,
TJ = 125°C ）
125 C)
能源损失包括“尾巴”
（ VCC = 360伏， IC = 3 0广告
Vd
3.0 ADC ，
VGE = 15 VDC ， L = 300
m
H
Vd
H,
RG = 20
)
能源损失包括“尾巴”
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
EOFF
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
EOFF
QT
Q1
Q2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
34
30
36
216
0.10
33
32
56
340
0.165
18.1
3.8
7.8
—
—
—
—
0.15
—
—
—
—
—
—
—
—
mJ
nC
mJ
ns
ns
（ VCE = 25伏直流电， VGE = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
—
—
—
342
40
3.0
—
—
—
pF
的VCE（on ）
—
—
—
VGE （ TH）
4.0
—
GFE
—
6.0
10
1.8
8.0
—
—
1.6
1.5
2.0
1.9
—
2.4
VDC
毫伏/°C的
姆欧
VDC
V（ BR ） CES
600
—
V（ BR ） ECS
冰
—
—
IGES
—
—
—
—
10
200
50
15
—
870
—
—
—
—
VDC
毫伏/°C的
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
m
ADC
2
摩托罗拉IGBT器件数据
MGP4N60E
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
风格9 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
门
集热器
辐射源
集热器
CASE 221A -09
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 1-303-675-2140或1-800-441-2447
以客户为中心中心： 1-800-521-6274
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键1-602-244-6609
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
摩托罗拉传真返回系统
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
- http://sps.motorola.com/mfax/
主页：
http://motorola.com/sps/
日本：
日本摩托罗拉有限公司： SPD ，战略规划办公室， 141 ，
4-32-1西五反田， Shagawa -ku，东京，日本。 03-5487-8488
摩托罗拉IGBT器件数据
MGP4N60E/D
5
摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
订购此文件
通过MGP4N60E / D
绝缘栅双极晶体管
N沟道增强型硅栅
此绝缘栅双极晶体管（IGBT ），采用了先进的
终止方案，以提供更完善，更可靠的高
电压阻断能力。其新的600 V IGBT技术
特别适合用于需要高温度的应用
TURE短路能力和低的VCE（on ） 。它还提供了快速
在高开关在高效运行的特点和效果
频率。这种新的E系列推出的高效节能，
ESD保护，短路坚固耐用的设备。
工业标准TO- 220封装
高速的Eoff = 55
m
焦耳/一个典型的在125°C
高压短路能力 - 10
m
的最低在125℃ ， 400伏
低导通电压2.0 V典型的为3.0 A， 125°C
强大的高压端子
ESD保护栅极 - 射极齐纳二极管
数据表
MGP4N60E
IGBT采用TO- 220
4.0 A @ 90℃
6.0 A @ 25℃
600伏
额定短路
低导通电压
C
G
C
G
E
CASE 221A -06
TO–220AB
E
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压（ RGE = 1.0 MΩ ）
极 - 发射极电压 - 连续
连续集电极电流 - @ TC = 25°C
- 连续@ TC = 90℃
- 重复脉冲电流（1）
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
短路承受时间
（ VCC = 400 VDC ， VGE = 15V直流电， TJ = 125°C ， RG = 20
)
热阻 - 结到外壳 - IGBT
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从5秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
（1）脉冲宽度由最大结点温度的限制。重复评价。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
符号
VCES
VCGR
VGE
IC25
IC90
ICM
PD
TJ ， TSTG
TSC
R
θJC
R
θJA
TL
价值
600
600
±20
6.0
4.0
8.0
80
0.64
- 55 150
10
2.0
65
260
10磅
S
在（ 1.13
S
m)
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
W / ℃，
°C
m
s
° C / W
°C
设计师的是Motorola，Inc.的商标。
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉1997年公司
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MGP4N60E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ VGE = 0伏， IC = 250
μAdc ）
温度系数（正）
发射极 - 集电极击穿电压（ VGE = 0伏， IEC = 100 MADC ）
零栅极电压集电极电流
（ VCE = 600伏， VGE = 0伏）
（ VCE = 600伏， VGE = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGE =
±
20伏直流电， VCE = 0伏）
基本特征（ 1 ）
集电极 - 发射极通态电压
（ VGE = 15 VDC ， IC = 1.5 ADC）
（ VGE = 15 VDC ， IC = 1.5 ADC ， TJ = 125°C ）
（ VGE = 15 VDC ， IC = 3.0 ADC ， TJ = 125°C ）
栅极阈值电压
（ VCE = VGE ， IC = 1.0 MADC ）
阈值温度系数（负）
正向跨导（ VCE = 10 VDC ， IC = 3.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性（ 1 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关断开关损耗
栅极电荷
（ VCC = 360伏， IC = 3 0 ADC
VDC
3.0 ADC ，
VGE = 15 VDC ）
内部封装电感
内置发射器电感
（测量从发射极引线0.25“从包到发射极焊盘）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
LE
—
7.5
—
nH
（ VCC = 360伏， IC = 3 0广告
Vd
3.0 ADC ，
VGE = 15 VDC ， L = 300
m
H
Vd
H,
RG = 20
,
TJ = 125°C ）
125 C)
能源损失包括“尾巴”
（ VCC = 360伏， IC = 3 0广告
Vd
3.0 ADC ，
VGE = 15 VDC ， L = 300
m
H
Vd
H,
RG = 20
,
TJ = 25℃）
25°C)
能源损失包括“尾巴”
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
EOFF
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
EOFF
QT
Q1
Q2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
34
30
36
216
0.1
33
32
56
340
0.165
18.1
3.8
7.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
mJ
nC
mJ
ns
ns
（ VCE = 25伏直流电， VGE = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
—
—
—
342
40
3.0
—
—
—
pF
的VCE（on ）
—
—
—
VGE （ TH）
4.0
—
GFE
—
6.0
10
1.8
8.0
—
—
1.6
1.5
2.0
1.9
—
2.4
VDC
毫伏/°C的
姆欧
VDC
BVces
600
—
BVECS
冰
—
—
IGES
—
—
—
—
10
200
50
15
—
870
—
—
—
—
VDC
毫伏/°C的
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
m
ADC
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
QQ：2880707522 复制
