飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7P19130H
第0版， 5/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率，从1930年到
1990年兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
在AB类和C类用于PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1250毫安，P
OUT
= 40瓦平均，全频段， 3GPP测试
模型1 ， 64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 30 ％
仪输出信号的PAR - 对CCDF 6分贝@ 0.01 ％概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 36 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ，1960兆赫， 130瓦CW
输出功率
P
OUT
@ 1 dB压缩点
w
130瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MD7P19130HR3
MD7P19130HSR3
1930年 - 1990兆赫， 40瓦AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465M - 01 ，风格1
NI - 780 - 4
MD7P19130HR3
CASE 465H - 02 ，风格1
NI - 780S - 4
MD7P19130HSR3
RF
INA
/V
GSA
3
2 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
1 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 130 W CW
外壳温度75 ° C， 40瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.31
0.36
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(3)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(3)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 316
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1250 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.16 ADC）
动态特性
(3,4)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.2
586
348
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
1.9
0.1
2
2.7
0.2
2.7
3.4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1250毫安，P
OUT
= 40瓦的魅力。 ， F = 1932.5 MHz和F =
1987.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
18.5
27
5.6
—
—
20
30
6
- 36
- 16
21.5
—
—
- 32.5
-7
dB
%
dB
dBc的
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.测量单制作与设备 - 端配置。
4.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 40瓦的魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 130 W CW
平均群时延@ P
OUT
= 130 W CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 130 W CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
P1dB
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
民
—
—
—
—
—
—
—
典型值
130
0.3
0.5
2.3
80
0.016
0.01
最大
—
—
—
—
—
—
—
单位
W
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1250毫安， 1930年 - 1990 MHz带宽
MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
V
BIAS
+
C1
+
C2
C3
C4
R1
C6
Z14
Z11
Z7
RF
输入
Z8
Z9
Z10
Z12
Z19
Z1
Z2
Z3
C5
Z4
Z5
Z6
DUT
C9
Z20
Z21
Z22
Z23
Z13
Z15
Z16
Z17
Z18
C7
+
C8
+
C10
C11
V
供应
C12
Z24
Z25
Z26
RF
产量
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
0.582 “× 0.110 ”微带
0.140 “× 0.284 ”微带
0.066 “× 0.080 ”微带
0.127 “× 0.080 ”微带
0.042 “× 0.237 ”微带
0.095 “× 0.375 ”微带
0.330 “× 0.320 ”微带
0.438 “× 0.530 ”微带
0.311 “× 0.741 ”微带
0.025 “× 0.814 ”微带
0.049 “× 0.254 ”微带
0.078 “× 0.814 ”微带
0.134 “× 0.957 ”微带
0.150 “× 0.276 ”微带
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
Z20
Z21
Z22
Z23
Z24
Z25
Z26
PCB
0.203 “× 0.957 ”微带
0.271 “× 0.930 ”微带
0.010 “× 0.540 ”微带
0.042 “× 0.205 ”微带
0.471 “× 0.080 ”微带
0.024 “× 0.241 ”微带
0.057 “× 0.349 ”微带
0.781 “× 0.311 ”微带
0.271 “× 0.080 ”微带
0.024 “× 0.095 ”微带
0.134 “× 0.190 ”微带
0.511 “× 0.080 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图2. MD7P19130HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MD7P19130HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C12
C5, C9
C6
C7
C8
C10
C11
R1
描述
短式铁氧体磁珠
47
μF,
50 V电解电容
100
μF,
50 V Electrolitic电容器
1.0
μF
贴片电容
0.1
μF
贴片电容
11 pF的贴片电容
13 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
22
μF,
35 V钽电容器
470
μF,
63 V电解电容
10
μF,
50 V贴片电容
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447 ROP50
476KXM063M
T491C105K050AT
ATC100B102JT50XT
CDR33BX104AKYS
ATC100B110JT500XT
ATC100B130JT500XT
ATC100B8R2JT500XT
T491C226K035AT
477KXM063M
GRM55DR61H106KA88B
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
伊利诺伊州第
基美
ATC
基美
ATC
ATC
ATC
基美
伊利诺伊州第
村田
日前，Vishay
MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C2
C10
C3 C4
R1
B1
C6
C7
C12
C11
C1
C8
C5
切出区
C9
MD7P19130H/HS
第2版
图3. MD7P19130HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
单端
l
4
l
4
正交组合
l
4
多尔蒂
l
2
l
2
推 - 拉
图4中。
可能的电路拓扑结构
MD7P19130HR3 MD7P19130HSR3
RF设备数据
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5
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