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初步

请注意：这不是最终规范

有些参数的限制有可能发生变化。

三菱半导体<GaAs MMIC>

MGFC5110

Ka波段3级自偏置低噪声放大器

描述

该MGFC5110是GaAs MMIC芯片

为37.0 40.0 GHz频段而设计

低噪声放大器（ LNA ）。

框图

Vd1

Vd2

Vd3

特点

In

RF频率： 37.0 40.0千兆赫

超低噪声NF = 3.5分贝（ TYP 。）

OUT

照片

绝对最大额定值（Ta = 25℃）

符号

Vd

Id

Vg

针

Ta

漏偏置电压

漏极偏置电流

栅极偏置电压

最大峰值输入功率过载（持续时间1秒< ）

工作温度范围

参数

值

3

30

单位

V

mA

V

DBM

C

-

待定

待定

范围

目标规格（大= 25℃）

符号

FOP

收益

三角洲增益

NF

在VSWR

VSWR OUT

P1dB

输出IP3

Vd

Id

Vg

参数

工作频率

范围

小信号增益

小信号增益平坦度

噪声系数

输入VSWR

输出VSWR

1 dB输出功率

压缩

输出功率在3rd-

阶截取点

漏偏置电压

漏极偏置电流

栅极偏置电压

Freq=30GHz

Vd=2V,Id=20mA

晶圆

测量

37.0

17.0

18.0

1.5

3.5

2.0:1

2.0:1

(5)

待定

(17)

待定

2.5

30

没有必要

DBM

DBM

V

mA

V

截至7月98的

40.0

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

GHz的

dB

dB

dB

三菱

电

初步

请注意：这不是最终规范

有些参数的限制有可能发生变化。

三菱半导体<GaAs MMIC>

MGFC5110

Ka波段3级自偏置低噪声放大器

芯片尺寸和焊盘位置（单位：μm ）

2190

1850

1550

1050

550

Vd1

Vd2

Vd3

GND

GND

RF -OUT

GND

GND

RF-在

GND

110

2300

三菱

电

截至7月98的

初步

请注意：这不是最终规范

有些参数的限制有可能发生变化。

三菱半导体<GaAs MMIC>

MGFC5110

Ka波段3级自偏置低噪声放大器

典型特征

小信号性能

（VD = 2.5 V ，ID = 30毫安，TA = 25℃）

25

20

15

10

VSWR OUT

5

在VSWR

0

36

37

38

39

40

频率[ GHz的]

41

0

2

NF

10

8

6

4

三菱

电

截至7月98的

初步

请注意：这不是最终规范

有些参数的限制有可能发生变化。

三菱半导体<GaAs MMIC>

MGFC5110

Ka波段3级自偏置低噪声放大器

为例测试电路

Cb

Cb

Cb

：贴片电容（ 39pF ）

CB > 100μF

Vd1

Vd2

Vd3

GND

GND

RF-在

GND

GND

RF -OUT

GND

*1

*2

* 1长度接合线的< 200微米

*键合线的2号

≥

3

*1

*2

三菱

电

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Ka波段3级自偏置低噪声放大器

描述

该MGFC5110是GaAs MMIC芯片

为37.0 40.0 GHz频段而设计

低噪声放大器（ LNA ）。

框图

Vd1

Vd2

Vd3

特点

In

RF频率： 37.0 40.0千兆赫

超低噪声NF = 3.5分贝（ TYP 。）

OUT

照片

绝对最大额定值（Ta = 25℃）

符号

Vd

Id

Vg

针

Ta

漏偏置电压

漏极偏置电流

栅极偏置电压

最大峰值输入功率过载（持续时间1秒< ）

工作温度范围

参数

值

3

30

单位

V

mA

V

DBM

C

-

待定

待定

范围

目标规格（大= 25℃）

符号

FOP

收益

三角洲增益

NF

在VSWR

VSWR OUT

P1dB

输出IP3

Vd

Id

Vg

参数

工作频率

范围

小信号增益

小信号增益平坦度

噪声系数

输入VSWR

输出VSWR

1 dB输出功率

压缩

输出功率在3rd-

阶截取点

漏偏置电压

漏极偏置电流

栅极偏置电压

Freq=30GHz

Vd=2V,Id=20mA

晶圆

测量

37.0

17.0

18.0

1.5

3.5

2.0:1

2.0:1

(5)

待定

(17)

待定

2.5

30

没有必要

DBM

DBM

V

mA

V

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40.0

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

GHz的

dB

dB

dB

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三菱半导体<GaAs MMIC>

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Ka波段3级自偏置低噪声放大器

芯片尺寸和焊盘位置（单位：μm ）

2190

1850

1550

1050

550

Vd1

Vd2

Vd3

GND

GND

RF -OUT

GND

GND

RF-在

GND

110

2300

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典型特征

小信号性能

（VD = 2.5 V ，ID = 30毫安，TA = 25℃）

25

20

15

10

VSWR OUT

5

在VSWR

0

36

37

38

39

40

频率[ GHz的]

41

0

2

NF

10

8

6

4

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Ka波段3级自偏置低噪声放大器

为例测试电路

Cb

Cb

Cb

：贴片电容（ 39pF ）

CB > 100μF

Vd1

Vd2

Vd3

GND

GND

RF-在

GND

GND

RF -OUT

GND

*1

*2

* 1长度接合线的< 200微米

*键合线的2号

≥

3

*1

*2

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