富士通半导体
数据表
DS05-20883-2E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 ）位
MBM29LV160TE/BE
-
70/90/12
s
概述
该MBM29LV160TE / BE是一个16M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个或1M字8位2M字节的内存
的每个16比特。该MBM29LV160TE / BE提供了48针TSOP （ I） ，48引脚南方东英和48球FBGA
包。该设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。 12.0
V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备也可以在重新编程
标准EPROM编程器。
标准MBM29LV160TE / BE报价为70纳秒， 90纳秒到120纳秒存取时间，让高操作
高速微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，
写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29LV160TE / BE是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29LV160TE / BE是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序
TM *
算法，它是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
TM *
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和1.0秒验证。 （如果已预编程。 ）
内通过福勒 - Nordhiem隧道同时扇区。该字节/字编程一个字节/字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29LV160TE/160BE
70
—
70
70
30
—
90
90
90
35
—
12
120
120
50
MBM29LV160TE/BE
-70/90/12
（续）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时MBM29LV160TE / BE被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
comleted ，装置内部复位到读模式。
该MBM29LV160TE / BE也有一个硬件复位引脚。当该引脚驱动任何的EM低，执行
床的程序算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机是那么
复位到读模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果一个系统复位
发生嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法期间，设备会自动为
复位到读模式并具有存储在所述地址位置的错误数据被编程或
删除。这些位置复位后，需要重新书写。复位装置使系统的微处理器的
处理器读取从Flash存储器的引导固件。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29LV160TE / BE内存电擦除所有的位
内通过福勒 - Nordhiem隧道同时扇区。该字节/字编程一个字节/字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
* :
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
48引脚塑料南方东英
48引脚塑料FBGA
(LCC-48P-M03)
(BGA-48P-M11)
2
MBM29LV160TE/BE
-70/90/12
s
特点
0.23
m
工艺技术
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： TN-正常弯曲型， TR-反弯型）
48引脚南方东英（包后缀： PCV ）
48球FBGA （包后缀： PBT ）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
70 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
在字模式之一8K字，二4K字，一是16K字，和31 32K字扇区
一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K和31 64K字节，字节的扇区模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
在指定的地址，自动编程和校验数据
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
扇区保护设置功能通过扩展行业保护命令
通过扩展指令快速编程功能
临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
根据CFI （通用闪存接口）
3
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