MGA- 565P8绝对最大额定值
[1]
符号
V
d
P
DISS
P
in
马克斯。
T
CH
T
英镑
θ
ch_b
参数
直流电源电压
总功耗
[2]
RF输入功率（VD = 5V ）
通道温度
储存温度
热阻
[3]
ESD（人体模型）
ESD（机器型号）
单位
V
mW
DBM
°C
°C
° C / W
V
V
绝对
最大
8
448
15
150
-65到150
91
100
30
注意事项：
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.董事会（包肚）温度T
B
为25℃ 。
减免11毫瓦/°C，对于T
B
＆ GT ; 109 ℃。
3.通道至电路板的热阻
使用150℃的液晶测
测量方法。
电气规格
T
A
= 25°C ，频率= 2 GHz的，R
BIAS
= 0Ω （除非另有规定）
符号
P
SAT
I
DSAT
ISL
[1]
收益
I
ds
RL
[1]
参数和测试条件
饱和功率为0 dBm的输入
饱和电流
反向隔离
小信号增益
小信号电流（P
in
= -10 dBm的）
回波损耗
输入
产量
VD = 5V
[1]
VD = 3V
VD = 5V
[1]
VD = 3V
VD = 5V
[1]
VD = 3V
VD = 5V
[1]
VD = 3V
单位
DBM
DBM
mA
mA
dB
dB
mA
dB
dB
分钟。
18.5
58
42
20
33
典型值。
20
17
67
45
50
21.8
20
37
27
-8
-10
马克斯。
20.6
78
23.5
43
注意事项：
从500份样品尺寸确定为3的晶片1的典型值。
2.测量得到的使用在下面的框图来描述生产测试板。电路损耗已解嵌实际
测量。
1000 pF的
R
BIAS
+
_
5V
0欧姆
12 nH的
5
6
2
22 pF的
1 3
4 8
卜FF器
扩音器
22 pF的
7
22 pF的
图1.生产测试电路原理图在2 GHz ..
2
产品的一致性分布图在2 GHz的
[1, 2]
200
CPK = 1.20
标准。开发。 = 0.46
160
160
200
CPK = 1.2
标准。开发。 = 0.2
120
120
80
80
40
40
0
19
20
21
22
23
24
增益（dB ）
0
18
18.5
19
19.5
PSAT （ DBM）
20
20.5
21
图2.增益分布。
LSL = 20.0分贝， USL = 23.5分贝。
160
CPK = 1.12
标准。开发。 = 2.7
图3. PSAT分布。
LSL = 18.5 dBm时， USL = 20.6
240
200
CPK = 1.03
标准。开发。 = 2.0
120
160
80
120
80
40
40
0
58
62
66
70
74
78
Idsat （毫安）
0
42
45
48
51
54
57
隔离度（dB ）
图4. Idsat分布。
LSL = 58.0 dBm时， USL = 78.0 dBm的。
图5.隔离分布。
LSL = 42.0分贝， USL = 56.0分贝。
注意事项：
从500份样品尺寸确定为3的晶片1的统计分布。
分配给本产品2.未来晶片可具有典型的价值在任何地方的最低之间
和最高的技术指标。
3
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