MC74HCT4051A,
MC74HCT4052A,
MC74HCT4053A
模拟多路复用器/
多路解复用器与LSTTL
兼容输入
高性能硅栅CMOS
该MC74HCT4051A ， MC74HCT4052A和MC74HCT4053A
利用硅栅CMOS技术来实现快速的传播
延迟，低导通电阻和低截止漏电流。这些
模拟复用器/解复用器控制模拟电压的可能
横跨整个电源范围内变化（从V
CC
到V
EE
).
该HCT4051A ， HCT4052A和HCT4053A是相同的
引出线的金属栅MC14051AB ， MC14052AB和
MC14053AB 。信道选择输入决定的哪一个
模拟输入/输出被连接，通过一个模拟装置
切换到公共输出/输入。当使能引脚为高电平，
所有模拟开关被关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
CMOS和LSTTL输出。
这些装置已经被设计为使得导通电阻（R
on
）是
更线性的输入电压除R
on
的金属栅CMOS模拟
开关。
为一个多路复用器/多路分解器与注入电流保护，
看到HC4851A和HCT4851A 。
特点
16
SOIC -16宽
DW后缀
CASE 751G
1
1
SOIC16
后缀
CASE 751B
16
HCT405xAG
AWLYWW
1
16
16
1
TSSOP16
DT后缀
CASE 948F
1
x
=具体设备守则
A
=大会地点
WL ， L =晶圆地段
YY, Y
=年
WW ，W =工作周
G
= Pb-Free包装
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
HCT40
5xA
ALYWG
G
HCT405xA
AWLYWWG
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记号
图表
16
16
1
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围（V
CC
V
EE
） = 2.0 12.0 V
数字（控制）电源电压范围（V
CC
GND ）= 2.0 6.0 V
改进的线性度和低导通电阻比金属栅
同行
低噪音
符合JEDEC标准号7A的要求
芯片的复杂性： HCT4051A
184场效应管或46个等效门
HCT4052A
168场效应管或42个等效门
HCT4053A
156场效应管或39个等效门
这些无铅器件
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第14页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年1月
第0版
1
出版订单号：
MC74HCT4051A/D
MC74HCT4051A ， MC74HCT4052A ， MC74HCT4053A
功能表
MC74HCT4051A
控制输入
X0
14
X1
15
X2
类似物
12
多路复用器/
输入/ X3
多路解复用器
产出X4
1
5
X5
2
X6
4
X7
11
A
通道
10
B
SELECT
9
输入
C
6
启用
引脚16 = V
CC
引脚7 = V
EE
PIN 8 = GND
13
启用
3
SELECT
C
B
A
L
L
L
L
H
H
H
H
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
无
X =无关
X
常见
输出/
输入
L
L
L
L
L
L
L
L
H
V
CC
16
X2
15
X1
14
X0
13
X3
12
A
11
B
10
C
9
图1.逻辑图
MC74HCT4051A
单极， 8位加共关闭
1
X4
2
X6
3
X
4
X7
5
X5
6
7
8
GND
启用V
EE
图2.引脚说明： MC74HCT4051A
（ TOP VIEW ）
功能表
MC74HCT4052A
控制输入
启用
X0
14
X1
15
X2
11
X3
Y0
Y1
Y2
Y3
A
B
1
5
2
4
10
9
6
12
13
B
L
L
H
H
X
SELECT
A
L
H
L
H
X
在通道
Y0
Y1
Y2
Y3
无
X0
X1
X2
X3
x开关
X
常见
输出/输入
类似物
输入/输出
L
L
L
L
H
X =无关
V
CC
16
X2
15
Y开关
3
Y
X1
14
X
13
X0
12
X3
11
A
10
B
9
信道选择
输入
引脚16 = V
CC
引脚7 = V
EE
PIN 8 = GND
启用
图3.逻辑图
MC74HCT4052A
双杆， 4位加共关闭
1
Y0
2
Y2
3
Y
4
Y3
5
Y1
6
7
启用V
EE
8
GND
图4.引脚： MC74HCT4052A
（ TOP VIEW ）
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2
MC74HCT4051A ， MC74HCT4052A ， MC74HCT4053A
功能表
MC74HCT4053A
控制输入
启用
12
C
L
L
L
L
H
H
H
H
X
SELECT
B
A
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
H
L
H
L
H
L
H
X
在通道
Z0
Z0
Z0
Z0
Z1
Z1
Z1
Z1
Y0
Y0
Y1
Y1
Y0
Y0
Y1
Y1
无
X0
X1
X0
X1
X0
X1
X0
X1
X0
13
X1
Y0
1
Y1
Z0
3
Z1
A
10
信道选择
B
输入
9
C
6
启用
11
5
2
x开关
14
X
类似物
输入/输出
Y开关
15
Y
常见
输出/输入
L
L
L
L
L
L
L
L
H
z开关
4
Z
X =无关
引脚16 = V
CC
引脚7 = V
EE
PIN 8 = GND
V
CC
16
Y
15
X
14
X1
13
X0
12
A
11
B
10
C
9
注：该设备允许每个开关独立控制。
通道选择输入A控制X -开关，输入B控制
Y-开关和输入C控制的Z开关
图5.逻辑图
MC74HCT4053A
三重单极双位加共关闭
1
Y1
2
Y0
3
Z1
4
Z
5
Z0
6
7
启用V
EE
8
GND
图6.引脚： MC74HCT4053A
（ TOP VIEW ）
最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
in
I
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考GND）
（参考V
EE
)
0.5
到+7.0
0.5
至14.0
7.0
至+5.0
负直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压
V
EE
0.5
V
CC
+ 0.5
数字输入电压（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中，
存储温度范围
0.5
到V
CC
+ 0.5
±25
500
450
mA
SOIC封装
TSSOP封装
mW
°C
T
英镑
65
+150
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
●降额
SOIC封装形式：
7毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/°C， 65 ° C至125°C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
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3
MC74HCT4051A ， MC74HCT4052A ， MC74HCT4053A
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
in
T
A
参数
民
2.0
2.0
最大
单位
V
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考GND）
（参考V
EE
)
6.0
12.0
负直流电源电压，输出（参考
GND ）
模拟输入电压
6.0
V
EE
GND
V
CC
V
CC
1.2
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
GND
V
IO
*
t
r
, t
f
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
55
0
0
0
0
+125
1000
600
500
400
°C
ns
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
*对于压降开关大于1.2 V（开关） ，过度V
CC
电流可以是
绘制;即，电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。该
该设备的可靠性将受到影响，除非最大额定值超出。
推荐工作条件
DC特性
数字部分
（电压参考GND ）V
EE
= GND ，除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
I
in
I
CC
参数
最低高电平输入电压，
通道选择或使能输入
最大低电平输入电压，
通道选择或使能输入
最大输入漏电流，
通道选择或使能输入
最大静态电源
电流（每包）
条件
R
on
=每规格
R
on
=每规格
V
in
= V
CC
或GND ，
V
EE
=
6.0 V
通道选择，并启用
V
IS
= V
CC
或GND ;
V
EE
= GND
V
EE
=
6.0
V
IO
= 0 V
V
CC
V
4.5
5.5
4.5
5.5
6.0
保证限额
55
至25℃
2.0
0.8
±0.1
≤85°C
2.0
0.8
±1.0
≤125°C
2.0
0.8
±1.0
单位
V
V
mA
mA
6.0
6.0
1
4
10
40
20
80
http://onsemi.com
4
MC74HCT4051A ， MC74HCT4052A ， MC74HCT4053A
DC特性
模拟部分
保证限额
符号
R
on
参数
最大“开”电阻
条件
V
in
= V
IL
或V
IH
; V
IS
= V
CC
to
V
EE
; I
S
≤
2.0毫安
（图7,8 ）
V
in
= V
IL
或V
IH
; V
IS
= V
CC
or
V
EE
（终点） ;我
S
≤
2.0毫安
（图7,8 ）
DR
on
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大断道泄漏
当前，任何一个频道
V
in
= V
IL
或V
IH
;
V
IS
= 1/2 (V
CC
V
EE
);
I
S
≤
2.0毫安
V
in
= V
IL
或V
IH
;
V
IO
= V
CC
V
EE
;
开关（图3 ）
V
CC
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
V
EE
0.0
4.5
6.0
0.0
4.5
6.0
0.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
55
至25℃
190
120
100
150
100
80
30
12
10
0.1
0.2
0.1
0.1
0.2
0.1
0.1
≤85°C
240
150
125
190
125
100
35
15
12
0.5
2.0
1.0
1.0
2.0
1.0
1.0
≤125°C
280
170
140
230
140
115
40
18
14
1.0
4.0
2.0
2.0
4.0
2.0
2.0
mA
W
单位
W
I
关闭
mA
最大断通道HCT4051A V
in
= V
IL
或V
IH
;
漏电流，
HCT4052A V
IO
= V
CC
V
EE
;
公共信道
HCT4053A开关关闭（图10 ）
I
on
最大导通通道HCT4051A V
in
= V
IL
或V
IH
;
漏电流，
HCT4052A交换机到交换机=
通道到通道HCT4053A V
CC
V
EE
; （图11）
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
