MGA-13316
高增益，高线性度低噪声放大器
数据表
描述
Avago的MGA- 13316是一个两阶段的，易于
使用的GaAs MMIC低噪声放大器（ LNA ） 。 LNA具有
具有良好的输入回波损耗和高线性度低噪声
通过使用Avago Technologies公司propri-的实现
etary 0.25
Pm
GaAs增强模式pHEMT工艺。
所需的输入，输出和最小匹配
级间两LNA之间。
它是专为2.2 GHz的最佳利用到4GHz 。
为了获得最佳性能，在从较低频率
400 MHz到1.5 GHz的， MGA- 13116的建议。为
最佳的性能，在频率从1.5 GHz到
2.5 GHz时， MGA- 13216建议。所有这些3
产品， MGA- 13116 ， MGA- 13216和MGA- 13316股
相同的封装和引脚配置。
特点
x
低噪声系数
x
高增益
x
高线性度性能
x
优良的隔离
x
的GaAs E - pHEMT技术
[1]
x
低成本的小型封装尺寸： 4.0× 4.0× 0.85毫米
3
x
优异的均匀度在产品规格
x
符合MSL1 ，无铅和无卤素
特定网络阳离子
2.5 GHz的; Q1 ： 5 V 53 mA（一般） Q2 ： 5 V 116 mA（一般）
x
x
x
x
x
0.76分贝噪声系数
34.3分贝增益
50.3分贝RFOUT Q1到Q2 RFIN隔离
41.8 dBm的输出IP3
在1分贝增益压缩23.5 dBm的输出功率
引脚配置和封装标识
4.0× 4.0× 0.85毫米
3
16引脚QFN
13
14
15
16
销2
3脚
引脚10
引脚11
引脚13
PIN码16
VBIAS
RFIN Q1
RFOUT Q2
RFOUT Q2
RFIN Q2
RFOUT Q1
安华高
13316
YYWW
XXXX
12
11
10
9
8
7
6
5
GND
1
2
3
4
应用
x
低噪声放大器，用于蜂窝基础设施，包括
GSM，CDMA， TD-LTE ，和W-CDMA 。
x
其他非常低噪声的应用。
所有其他引脚
NC =不连接
简化的原理图
Vdd1
C9b
R4b
R2
R3
L3
C8
C6 R1
C3
13
12
Q1偏置
Q1
Q2
11
顶视图
底部视图
Vdd2
C10
C7
C5a
注意：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“ 13316 ” =产品代码
“ YYWW ” =年和制造工作周
“XXXX” =批号
C4
L1
16
1
2
3
15
14
L2
C2 RFOUT
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号= 90 V
ESD人体模型= 600 V
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
RFIN
L4
C1
10
9
4
5
6
7
8
注：增强模式技术，采用正栅极偏置，
从而消除了与相关联的负栅极电压的需要
传统的耗尽型器件。
MGA- 13316绝对最大额定值
[1]
T
A
= 25° C
符号
Vdd1
Vdd2
Idd1
P
d
P
IN，最大
T
， MAX
T
英镑
热阻
单位
V
V
mA
W
DBM
°C
°C
参数
器件电压
器件电压
Q1漏极电流
功耗
[2]
CW RF输入功率
结温
储存温度
绝对最大
5.5
5.5
90
1.19
20
150
-65到150
热阻
[3]
(V
dd1
= 5.0 V，I
dd1
= 53 mA时， V
dd2
= 5.0 V,
I
dd2
= 116毫安）
T
jc
= 39.59 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
2.这是由最大Vd的和Id的限制。板
温度（T
c
）为25° C。适用于T
c
>103 ℃，
减免设备电源在每摄氏度上升25毫瓦
在相邻的包装板的温度
底部。
使用基础设施测量3.热电阻
红色的显微技术。
电气规格
[1]
RF性能VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ， 2.5千兆赫，T
A
= 25 ° C，演示板上测得。
符号
Idd1
Idd2
NF
收益
OIP3
[2]
OP1dB
IRL
ORL
|S12|
| ISOL
1-2
|
参数和测试条件
目前在Q1
目前在Q2
噪声系数
收益
输出三阶截点
1 dB增益压缩输出功率
输入回波损耗， 50
:
来源
输出回波损耗， 50
:
负载
反向隔离
输出引脚之间的隔离输入引脚
单位
mA
mA
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
分钟。
40
96
–
33
37
22.1
–
–
–
–
典型值。
53
116
0.76
34.3
41.8
23.5
-19.5
-10.5
50
50.3
马克斯。
68
138
1.1
36.3
–
–
–
–
–
–
注意事项：
采用图7表描述组件列表演示板1.输入和输出跟踪丢失不脱嵌获得1测量
从测量。
2. OIP3测试条件：F
tone1
= 2500兆赫，女
tone2
= 2501 MHz的每个音-27 dBm的输入功率。
3.使用合适的偏置，散热器和降额，以确保最大通道温度不超标。见绝对最大额定值和应用
注意更多的细节。
2
产品的一致性分布图表
[1,2]
LSL
USL
LSL
USL
40
50
60
70
90
100
110
120
130
140
图1. IDD1 @ 2.5 GHz的， VDD1 = 5 V ， LSL = 40毫安，额定= 53 mA时，
USL = 68毫安
图2. IDD2 @ 2.5 GHz的， VDD2 = 5 V ， LSL = 96毫安，额定= 116毫安，
USL = 138毫安
USL
LSL
USL
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
33
34
35
36
图3.噪声系数@ 2.5 GHz的， VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ，额定= 0.76分贝，
USL = 1.1分贝
图4.增益@ 2.5 GHz的， VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ， LSL = 33分贝，
额定= 34.3分贝， USL = 36.3分贝
LSL
LSL
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
22
23
24
25
图5. OIP3 @ 2.5 GHz的， VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ， LSL = 37 dBm时，
额定= 41.8 dBm的
图6的OP1dB @ 2.5 GHz的， VDD1 = 5 V ， VDD2 = 5 V ， LSL = 22.1 dBm时，
额定= 23.5 dBm的
注意事项：
1.数据样本量为3个不同的晶圆取11千件样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
2.测量是在生产测试板，它代表了最佳的增益，NF和OIP3之间的OP1dB权衡作出。电路损耗有
被去嵌入从实际测量值。
3
演示电路板布局
演示电路板原理图
Vdd1
C9b
R4b
R2
R3
L3
C8
C6 R1
C10
C7
Vdd2
C5a
C4
C3
13
12
L1
RFIN
L4
C1
16
1
2
3
4
5
15
14
L2
C2 RFOUT
Q1偏置
Q1
Q2
11
10
9
6
7
8
图7.演示板布局图。
图8.演示板的原理图。
- 推荐的PCB材料是10密耳罗杰斯R04350 。
- 建议的元件值可以根据变化
布局和PCB材料。
表1.元件清单2.5 GHz的匹配
部分
C1
C2
C3
C4
C5a
C5b
C6
C7
C8
C9a
C9b
C10
C11
C12
C13
L1
L2
L3
L4
L5
R1, R2
R3
R4a
R4b
R5
4
SIZE
402
402
402
402
603
不适用
402
402
402
不适用
402
402
不适用
不适用
不适用
402
402
402
402
不适用
402
402
不适用
402
不适用
价值
1.8 pF的（村田制作所）
100 PF（村田制作所）
2.7 pF的（村田制作所）
0.1 uF的（村田制作所）
2.2 uF的（村田制作所）
不适用
1000 PF（村田制作所）
10 PF（村田制作所）
10 PF（村田制作所）
不适用
4.7
PF
（村田制作所）
4.7
PF
（村田制作所）
不适用
不适用
不适用
6.8 NH（ Coilcraft公司）
3.3 NH（桃红）
6.8 NH（桃红）
3.6 NH（ Coilcraft公司）
不适用
0欧姆（兴亚）
49.9欧姆（兴亚）
不适用
3.6千欧（罗门哈斯）
不适用
详细型号
GRM1555C1H1R8CZ01D
GRM1555C1H101JD01E
MCH155A2R7JK
GRM155R61A104KA01D
GRM188R61A225KE34D
不适用
GRM155R71H102KA01E
GRM1555C1H100JZ01E
GRM1555C1H100JZ01E
不适用
GRM155R60E475ME760
GRM155R60E475ME760
不适用
不适用
不适用
0402CS-6N8XJBW
LL1005-FHL3N3S
LL1005-FHL6N8J
0402CS-3N6XJBW
不适用
RK73Z1ELTP
RK73H1ELTP49R9F
不适用
MCR01J362
不适用
笔记
隔直流电容器
隔直流电容器
旁路电容
旁路电容
旁路电容
未使用
隔直流电容器
旁路电容
旁路电容
未使用
旁路电容
旁路电容
未使用
未使用
未使用
输入匹配NF
输出匹配Q2
输出匹配Q1
输入匹配Q1
未使用
桥接电阻器
稳定电阻Q1
未使用
偏置电阻为Q1
未使用
MGA- 13316在演示板为2.5 GHz的典型性能
T
A
= 25 ° C，V
dd1
= 5.0 V, V
dd2
= 5.0 V，I
dd1
= 53 mA时，我
dd2
= 116毫安
1.2
1
增益（dB ）
-40° C
25° C
85° C
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6 2.7 2.8
频率（GHz ）
2.9
3
3.1
0.8
0.6
0.4
0.2
40
35
NF（ dB）的
30
25
-40° C
25° C
85° C
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
3.5
4
20
图9. NF与频率和温度
图10.增益与频率和温度
50
48
46
OIP3 （ dBm的）
44
42
40
38
36
34
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6 2.7 2.8
频率（GHz ）
2.9
3
3.1
-40° C
25° C
85° C
的OP1dB （ dBm的）
25
24.5
24
23.5
23
22.5
22
21.5
21
2.2
2.3
-40° C
25° C
85° C
2.4
2.5
2.6 2.7 2.8
频率（GHz ）
2.9
3
3.1
图11. OIP3与频率和温度
图12的OP1dB与频率和温度
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
IRL ， ORL ，增益，冯ISOL （分贝）
冯ISOL
IRL
ORL
收益
K系数
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10 12
频率（GHz ）
14
16
-40° C
25° C
85° C
18
20
图13.输入回波损耗，输出回波损耗，增益， &反向隔离
与频率
图14. K系数随频率和温度
5
QQ：2880707522 复制
