MF194
860纳米 - 70 MHz的高性能LED
数据表
2004年9月
订购信息
MF194
MF194
MF194
MF194
MF194
ST
SC
SMA
FC
TO- 46封装
ST房屋
SC房
SMA房
房屋FC
-40
°
C至+ 85
°
C
注：额定光纤耦合功率仅适用于TO- 46
包，对于住房的选择光纤耦合功率
典型地小于10％。
特点
860纳米的面发射LED
70 MHz带宽
专为50/125微米光纤
描述
该器件是专为以太网和通用
应用程序，并提供了出色的性能/价格
比具有成本效益的解决方案。它的双透镜的光学
系统会导致权力的最佳耦合到
纤维。
应用
LANS
测试设备
通用
例
阴极
阳极
阴极
阳极
底部视图
二极管芯片从壳体分离。
图1 - 引脚图
图2 - 功能原理图
1
卓联半导体公司
卓联， ZL和卓联半导体公司标识是卓联半导体公司的商标。
版权所有2001-2004 ，卓联半导体公司保留所有权利。
MF194
光学和电学特性 - 外壳温度25
°
C
参数
光纤耦合功率
（图3，图4，图5 ） （表1）
上升和下降时间（ 10-90 ％ ）
带宽（ 3分贝
el
)
峰值波长
谱宽（ FWHM ）
正向电压（图7）
反向电流
电容
注1 ：
数据表
符号
P
纤维
t
r
,t
f
f
c
λ
p
λ
V
F
I
R
C
民
25
典型值
45
5
70
最大
单位
W
测试条件
I
F
± 60毫安
（注1 ）
I
F
± 60毫安
（无偏差）
I
F
± 60毫安
I
F
=60mA
I
F
± 60毫安
I
F
± 60毫安
V
R
=1 V
V
R
-0 V，F = 1兆赫
纤维：
50/125
m
梯度
指数
NA=0.20
7
ns
兆赫
840
860
50
1.7
250
880
1.9
20
nm
nm
V
A
pF
测定在100米的光纤的出射。
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度（降额：图6）
电能损耗（降额：图6）
连续正向电流（ f<10千赫）
峰值正向电流（负载cycle<50 ％ ， f>1兆赫
反向电压
焊接温度（从10秒的情况下为2 mm。 ）
符号
T
英镑
T
op
P
合计
I
F
I
FRM
V
R
T
SLD
极限
-55到+125
°
C
-40至+85
°
C
160毫瓦
80毫安
130毫安
1.5 V
260
°
C
2
卓联半导体公司
MF194
100
数据表
r
80
相对光纤耦合功率（ ％ ）
的R - 最佳
C
= 50
m
z
60
40
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
- 轴向Displacem纤维耳鼻喉科
(m)
)
(m m
图3 - 相对光纤耦合功率与 - 光纤轴向位移
100
r
相对光纤耦合功率（ ％ ）
80
- 最佳
C
= 50
m
z
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
的R - 径向Displacem纤维耳鼻喉科
(m)
(m )
图4 - 相对光纤耦合功率对的R - 纤维径向位移
4
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860纳米 - 70 MHz的高性能LED
数据表
2004年9月
订购信息
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MF194
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MF194
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ST
SC
SMA
FC
TO- 46封装
ST房屋
SC房
SMA房
房屋FC
-40
°
C至+ 85
°
C
注：额定光纤耦合功率仅适用于TO- 46
包，对于住房的选择光纤耦合功率
典型地小于10％。
特点
860纳米的面发射LED
70 MHz带宽
专为50/125微米光纤
描述
该器件是专为以太网和通用
应用程序，并提供了出色的性能/价格
比具有成本效益的解决方案。它的双透镜的光学
系统会导致权力的最佳耦合到
纤维。
应用
LANS
测试设备
通用
例
阴极
阳极
阴极
阳极
底部视图
二极管芯片从壳体分离。
图1 - 引脚图
图2 - 功能原理图
1
卓联半导体公司
卓联， ZL和卓联半导体公司标识是卓联半导体公司的商标。
版权所有2001-2004 ，卓联半导体公司保留所有权利。
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光学和电学特性 - 外壳温度25
°
C
参数
光纤耦合功率
（图3，图4，图5 ） （表1）
上升和下降时间（ 10-90 ％ ）
带宽（ 3分贝
el
)
峰值波长
谱宽（ FWHM ）
正向电压（图7）
反向电流
电容
注1 ：
数据表
符号
P
纤维
t
r
,t
f
f
c
λ
p
λ
V
F
I
R
C
民
25
典型值
45
5
70
最大
单位
W
测试条件
I
F
± 60毫安
（注1 ）
I
F
± 60毫安
（无偏差）
I
F
± 60毫安
I
F
=60mA
I
F
± 60毫安
I
F
± 60毫安
V
R
=1 V
V
R
-0 V，F = 1兆赫
纤维：
50/125
m
梯度
指数
NA=0.20
7
ns
兆赫
840
860
50
1.7
250
880
1.9
20
nm
nm
V
A
pF
测定在100米的光纤的出射。
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度（降额：图6）
电能损耗（降额：图6）
连续正向电流（ f<10千赫）
峰值正向电流（负载cycle<50 ％ ， f>1兆赫
反向电压
焊接温度（从10秒的情况下为2 mm。 ）
符号
T
英镑
T
op
P
合计
I
F
I
FRM
V
R
T
SLD
极限
-55到+125
°
C
-40至+85
°
C
160毫瓦
80毫安
130毫安
1.5 V
260
°
C
2
卓联半导体公司
MF194
100
数据表
r
80
相对光纤耦合功率（ ％ ）
的R - 最佳
C
= 50
m
z
60
40
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
- 轴向Displacem纤维耳鼻喉科
(m)
)
(m m
图3 - 相对光纤耦合功率与 - 光纤轴向位移
100
r
相对光纤耦合功率（ ％ ）
80
- 最佳
C
= 50
m
z
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
的R - 径向Displacem纤维耳鼻喉科
(m)
(m )
图4 - 相对光纤耦合功率对的R - 纤维径向位移
4
卓联半导体公司
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