ILCT6/MCT6
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
双通道
特点
电流传输率， 50 ％的典型
A
C
C
A
1
2
3
4
8
E
7 C
6 C
5 E
漏电流， 1.0 nA的典型
两个每包隔离通道
铅（Pb） -free组件
按照以组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
RoHS指令
机构认证
i179016
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
描述
该ILCT6 / MCT6是一个双通道光电耦合器高
密度的应用。每个通道都包括一个光学
耦合对同一个砷化镓红外发光二极管和一个
硅NPN光电晶体管。信号信息，其中包括一
DC电平，可以由该装置，同时保持发送
的输入端之间的电隔离程度高
输出。
该ILCT6 / MCT6是专为驾驶设计
中速的逻辑，在那里它可以被用来消除
麻烦的接地回路和噪音的问题。它也可以是
用来代替继电器，变压器在许多数字
界面的应用程序，以及模拟应用，例如
CRT调制。
订购信息
部分
ILCT6
MCT6
ILCT6-X007
ILCT6-X009
MCT6-X007
MCT6-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR
≥
的20％ ， DIP-8
CTR
≥
的20％ ， DIP-8
CTR
≥
20 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
20 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR
≥
20 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
20 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
文档编号： 83645
修订版1.5 ， 20日-12月07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
ILCT6/MCT6
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
双通道
绝对最大额定值
参数
输入
额定正向电流，直流
峰值正向电流，直流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极电流
集电极发射极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
耦合器
绝缘测试电压
绝缘电阻
爬电距离
间隙距离
总包耗散
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
P
合计
T
英镑
T
AMB
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
1.0 μs的脉冲， 300 PPS
I
FM
P
DISS
60
3.0
100
1.3
30
30
150
2.0
5300
≥
10
12
≥
10
11
≥
7.0
≥
7.0
400
5.33
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mA
A
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
Ω
Ω
mm
mm
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
测试条件
符号
价值
单位
I
C
BV
首席执行官
P
DISS
V
ISO
R
IO
R
IO
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
结电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
耦合器
饱和电压，集电极 - 发射极
电容（输入输出）
渠道之间的电容
带宽
I
C
= 2.0毫安，我
F
= 16毫安
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
I
C
= 2.0毫安， V
CC
= 10 V,
R
L
= 100
Ω
V
CESAT
C
IO
0.5
0.4
150
0.40
V
pF
pF
千赫
I
C
= 1.0 IA ，我
E
= 10 A
I
C
= 10
μA,
I
E
= 10 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 0 V
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
30
7.0
65
10
1.0
8.0
100
V
V
nA
pF
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
j
1.25
0.1
25
1.50
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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ILCT6/MCT6
光电耦合器，光电晶体管输出，
双通道
威世半导体
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
符号
CTR
DC
分钟。
20
典型值。
50
马克斯。
单位
%
开关特性
参数
开关时间，输出晶体管
测试条件
I
C
= 2.0毫安，R
E
= 100
Ω,
V
CE
= 10 V
符号
t
on
, t
关闭
分钟。
典型值。
3.0
马克斯。
单位
s
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
1.3
V
F
- 前进
电压
(V)
NCTR
-
归
CTR
T
AMB
= - 55 °C
1.5
归
要：
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安，T
A
= 25 °C
CTRce （ SAT ）V
CE
= 0.4
V
1.0
T
A
= 50 °C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
T
AMB
=
85
°C
T
AMB
= 25 °C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
0.1
1
10
100
I
F
- LED电流（mA ）
iilct6_01
iilct6_03
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 3 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
1.5
NCTR
-
归
CTR
1.5
NCTR
-
归
CTR
归
要：
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
CTR
CE （ SAT ）
V
CE
= 0.4
V
归
要：
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
1.0
CTR
CE （ SAT ）
V
CE
= 0.4
V
T
AMB
= 70 °C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
0.1
1
10
100
iilct6_04
1.0
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
I
F
- LED电流（mA ）
0.1
1
10
100
I
F
- LED电流（mA ）
iilct6_02
图。 2 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
图。 4 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
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3
ILCT6/MCT6
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
双通道
1.5
归
要：
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安，T
AMB
= 25 °C
CTR
CE （ SAT ）
V
CE
= 0.4
V
1.0
T
AMB
=
85
°C
1000
T
AMB
= 25 ° C，I
F
= 10毫安
V
CC
= 5
V, V
th
= 1.5
V
2.5
NCTR
-
归
CTR
100
t
PHL
2.0
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.1
iilct6_05
10
t
PLH
1
0.1
1.5
0.0
1
10
I
F
- LED电流（mA ）
100
iilct6_08
1
10
1.0
100
R
L
- 集电极负载电阻值（kΩ ）
图。 5 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
图。 8 - 传输延迟与集电极负载电阻
35
I
CE
- 集电极电流（毫安）
30
25
20
15
10
5
0
0
iilct6_06
I
F
50 °C
70 °C
85
°C
V
O
t
PLH
25 °C
t
PHL
t
S
10
20
30
40
50
60
iilct6_09
50
%
I
F
- LED电流（mA ）
t
D
t
R
t
F
图。 6 - 集电极发射极电流与温度和LED电流
图。 9 - 定时开关
10
5
I
首席执行官
- 集电极发射极（ NA）
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
- 1
10
-2
V
CC
= 5
V
V
ce
= 10
V
典型
I
F
= 10毫安
V
O
F = 10 kHz时，
D
F
= 50
%
R
L
= 75
Ω
- 20
0
20
40
60
80
100
iilct6_10
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
iilct6_07
图。 7 - 集电极发射极漏电流vs.Temperature
图。 10 - 开关电路图
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t
PHL
- 传播延迟（微秒）
t
PLH
- 传播（微秒）
ILCT6/MCT6
光电耦合器，光电晶体管输出，
双通道
包装尺寸
以英寸（毫米）
威世半导体
引脚1号
4
0.255 (6.48)
0.268 (6.81)
5
6
7
8
ISO方法A
3
2
1
0.379 (9.63)
0.390 (9.91)
0.030 (0.76)
0.045 (1.14)
4℃典型值。
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
0.050 (1.27)
0.020 (0.51)
0.018 (0.46)
0.022 (0.56)
i178006
0.035 (0.89)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
10°
3 ° 9 °
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.230 (5.84)
0.110 (2.79)
0.130 (3.30)
0.250 (6.35)
0.031 (0.79)
0.300 (7.62)
典型值。
选7
0.300 (7.62)
典型值。
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03)
0.300 (7.62)
REF 。
0.028 (0.7)
分钟。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
0.315 (8.00)
分钟。
0.012 （ 0.30 ）典型值。
15最大。
18494
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ILCT6 / MCT6
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，双通道
特点
电流传输比， 50 ％（典型）
泄漏电流， 1.0 nA的典型
每包两个隔离通道
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
C
A
1
2
3
4
8 E
7 C
6 C
5 E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
i179016
e3
Pb
无铅
也可以用来代替继电器和变压器
在许多数字接口的应用程序，以及模拟
登录应用诸如CRT调制。
订购信息
部分
ILCT6
MCT6
ILCT6-X007
ILCT6-X009
MCT6-X007
MCT6-X009
备注
CTR
≥
的20％ ， DIP-8
CTR
≥
的20％ ， DIP-8
CTR
≥
20 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
20 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR
≥
20 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR
≥
20 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
描述
该ILCT6 / MCT6是一个双通道光电耦合器的
高密度的应用。每个通道由
光学耦合对同一个砷化镓
红外LED和硅NPN光电晶体管。显
纳尔信息，包括一个DC电平，可以被传送
现的设备，同时保持了高度的
输入和输出之间的电隔离。
该ILCT6 / MCT6是专为驾驶设计
中速逻辑，在那里它可以被用来消除
内特麻烦的接地回路和噪音的问题。它
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
额定正向电流，直流
峰值正向电流，直流
功耗
从25° C减免线性
1.0
s
脉冲， 300 PPS
I
FM
P
DISS
测试条件
符号
价值
60
3.0
100
1.3
单位
mA
A
mW
毫瓦/°C的
文档编号83645
修订版1.4 ， 10月26日04
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ILCT6 / MCT6
威世半导体
产量
参数
集电极电流
集电极 - 发射极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
C
BV
首席执行官
P
DISS
价值
30
30
150
2
单位
mA
V
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
爬电距离
净空
总包耗散
从25° C减免线性
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
P
合计
测试条件
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
价值
5300
≥
10
12
≥
10
11
≥
7.0
≥
7.0
400
5.33
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
单位
V
RMS
mm
mm
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
结电容
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
F
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
j
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.50
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 10
A
I
C
= 10
A,
I
E
= 10
A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 0 V
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
30
7.0
典型值。
65
10
1.0
8.0
100
最大
单位
V
V
nA
pf
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2
文档编号83645
修订版1.4 ， 10月26日04
ILCT6 / MCT6
威世半导体
1.5
冰 - 集电极电流 - 毫安
NCTR - 归CTR
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10 mA时， TA = 25℃
ˇ
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
1.0
TA = 50℃
35
30
25
20
15
10
5
0
25°C
85°C
70°C
50°C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
.1
1
10
100
I F - LED电流 - 毫安
0
iilct6_06
10
20
30
40
50
60
iilct6_03
IF - LED电流 - 毫安
图3.归非饱和与饱和CTR与LED
当前
图6.集电极 - 发射极电流与温度和LED
当前
1.5
NCTR - 归CTR
10 5
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10毫安
TA = 25℃
ICEO - 集电极发射极 - NA
10 4
10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1
10 -2
-20
0
20
40
60
80
100
典型
VCE = 10 V
1.0
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
TA = 70℃
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
.1
1
10
100
I F - LED电流 - 毫安
TA - 环境温度 - °C
iilct6_07
iilct6_04
图4.归一化的非饱和的和饱和的点击率与LED
当前
图7.集电极 - 发射极漏电流vs.Temp 。
1.5
NCTR - 归CTR
1000
TPLH - 传播延迟
s
2.5
的TPH1 - 传播延迟
s
1.0
标准化为：
V CE = 10 V ， I F = 10 mA时， TA = 25℃
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
TA = 85°C
TA = 25°C ， IF = 10毫安
VCC = 5 V ， Vth的= 1.5 V
的TPH1
100
2.0
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
10
TPLH
1
.1
1
10
100
RL - 集电极负载电阻 - KΩ
1.5
0.0
1.0
iilct6_05
iilct6_08
图5.归一化的非饱和的和饱和的点击率与LED
当前
图8.传输延迟与集电极负载电阻
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修订版1.4 ， 10月26日04
QQ：2881677436 复制
