MCR8SD ， MCR8SM ， MCR8SN
首选设备
敏感栅硅
控制整流器
反向阻断晶闸管
主要设计用于半波交流控制应用中，如
马达控制，加热控制和电源;或地方
半波，需要硅栅极控制的设备。
特点
http://onsemi.com
敏感栅允许由微控制器和其他触发
逻辑电路
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的8安培RMS在80℃
高浪涌电流能力 - 80安培
坚固耐用，经济TO- 220AB封装
玻璃钝化结可靠性和一致性
IGT ， VGT和IH指定的最小值和最大值
易于设计
抗dv / dt的 - 5 V /毫秒最低在110℃
无铅包可用*
1
可控硅
8 RMS安培
400通800伏
G
A
K
记号
图
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 110℃ ，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MCR8SD
MCR8SM
MCR8SN
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，T
J
= 110°C)
电路熔断思考（ T = 8.33毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 80°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
C
= 80°C)
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 80°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
8.0
80
26.5
5.0
0.5
2.0
-40至110
-40至150
A
A
A
2
美国证券交易委员会
W
W
A
°C
°C
MCR8SD
MCR8SDG
MCR8SM
MCR8SMG
MCR8SN
MCR8SNG
1
2
3
4
价值
单位
V
2
3
AY WW
MCR8SxG
AKA
TO220AB
CASE 221A -09
方式3
A
Y
WW
x
G
AKA
=大会地点
=年
=工作周
= D，M或N
= Pb-Free包装
=二极管极性
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
设备
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;正栅极电压应不
施加的同时使用在阳极上的负电位。阻断电压
不得与恒流源进行测试，使得电压额定值
该设备被超过。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 第3版
出版订单号：
MCR8S/D
MCR8SD ， MCR8SM ， MCR8SN
热特性
特征
热阻，
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.2
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流（注3 ）
(V
D
=额定V
DRM
和V
RRM
; R
GK
= 1 KW ）
基本特征
正向峰值通态电压（注2 ）
(I
TM
= 16 A)
门极触发电流（连续DC） （注4 ）
(V
D
= 12 V ;
L
= 100
W)
保持电流（注4 ）
(V
D
= 12 V ，门打开，启动电流= 200 mA）的
闩锁电流（注4 ）
(V
D
= 12 V，I
G
= 200
毫安）
门极触发电压（连续DC ） （注4 ）
(V
D
= 12 V ;
L
= 100
W)
GATE非触发电压
(V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
= 67% V
DRM
, R
GK
= 1千瓦，C
GK
= 0.1
MF，
T
J
= 110°C)
通态电流临界上升率
IPK = 50 A， PW = 40
毫秒，
DIG / DT = 1 /毫秒，糖耐量低减= 10毫安
2.指示脉冲测试：脉冲宽度
v
2.0毫秒，占空比
v
2%.
3. R
GK
包括测量= 1000欧姆。
4.不包含R
GK
测量。
dv / dt的
的di / dt
5.0
15
100
V / ms的
A / MS
T
J
= 25°C
T
J
=
*40°C
T
J
= 110°C
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
V
GD
5.0
0.3
0.2
25
0.5
0.6
0.65
1.8
200
6.0
8.0
1.0
1.5
V
mA
mA
mA
V
V
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM
,
I
RRM
mA
10
500
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
MCR8SD ， MCR8SM ， MCR8SN
包装尺寸
TO220AB
CASE 221A -09
ISSUE AA
T
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
阴极
阳极
门
阳极
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
MCR8S/D
QQ：2880707522 复制
