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晶体管
MSG36E41
的SiGe HBT型
对于低噪声射频放大器
■
特点
兼容之间高的击穿电压和高的截止频率
低噪声，高增益放大
两个元素合并到一个封装中（每个晶体管分离）
由一个半减少安装面积和装配成本的
0.12
+0.03
-0.02
6
5
4
单位：mm
0.80
±0.05
1.00
±0.04
0至0.02
MSG33004
+
MSG33001
(0.35) (0.35)
1.00
±0.05
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
Tr1
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
集电极 - 发射极电压
（基地开）
发射极 - 基极电压
（集电极开路）
集电极电流
Tr2
集电极 - 基极电压
（发射极开路）
集电极 - 发射极电压
（基地开）
发射极 - 基极电压
（集电极开路）
集电极电流
整体
总功耗
*
结温
储存温度
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
100
9
6
1
30
125
125
55
to
+125
mA
V
V
V
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
等级
9
6
1
单位
V
V
V
陈列在1号铅
0.10
■
基本型号
1
2
3
0.10
1 ：基地（ Tr1的）
2 ：发射器（ Tr1的）
3 ：基地（ TR2）
0.37
+0.03
-0.02
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：发射器（ TR2）
6 ：收集器（ Tr1的）
SSSMini6 -F1套餐
标记符号： 6D
内部连接
6
Tr1
5
4
Tr2
mA
mW
°C
°C
1
2
3
注）*：铜板的集电极是5.0厘米
2
上基板以10mm
×
12 mm
×
0.8 mm.
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
Tr1
参数
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
跃迁频率
*
正向传输增益
*
噪声系数
*
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
*
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
S
21e
2
NF
C
ob
条件
V
CB
=
9 V，I
E
=
0
V
CE
=
6 V，I
B
=
0
V
EB
=
1 V，I
C
=
0
V
CE
=
3 V，I
C
=
15毫安
V
CE
=
3 V，I
C
=
30毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
30毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
15毫安，女
=
2 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
6.0
100
17
9.0
1.4
0.6
2.0
0.9
民
典型值
最大
1
1
1
220
单位
A
A
A
GHz的
dB
dB
pF
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2.遵守的注意事项来处理。静电敏感器件。
3. * ：验证通过随机抽样
出版日期： 2004年11月
SJC00319BED
(0.10)
1
MSG36E41
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
Tr2
参数
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
跃迁频率
*
正向传输增益
*
噪声系数
*
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
*
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
S
21e
2
NF
C
ob
条件
V
CB
=
9 V，I
E
=
0
V
CE
=
6 V，I
B
=
0
V
EB
=
1 V，I
C
=
0
V
CE
=
3 V，I
C
=
3毫安
V
CE
=
3 V，I
C
=
10毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
10毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
3 V，I
C
=
3毫安，女
=
2 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
9.0
100
19
11.0
1.4
0.3
2.0
0.6
民
典型值
最大
1
1
1
220
单位
A
A
A
GHz的
dB
dB
pF
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2.遵守的注意事项来处理。静电敏感器件。
3. * ：验证通过随机抽样
共同的特征图
P
C
T
a
120
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
100
80
60
40
20
0
0
40
80
120
环境温度T
a
(
°C
)
2
SJC00319BED
MSG36E41
Tr1的特性图
I
C
V
CE
14
I
B
=
10
A
步
80
A
70
A
60
A
8
50
A
6
4
2
0
40
A
30
A
20
A
10
A
0
1
2
3
4
5
6
12
180
V
CE
=
3 V
160
h
FE
I
C
25
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz的
f
T
I
C
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
140
120
100
80
60
40
20
0
10
过渡频率f
T
（千兆赫）
0
0
1
10
100
20
15
10
5
0
1
10
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
1
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
15
G
P
I
C
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz的
14
12
S
21e
2
I
C
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz的
10
正向传输增益
S
21e
（ dB）的
2
功率增益G
P
（ dB）的
10
8
6
5
0
4
2
0
5
0.1
0
2
4
6
8
10
12
10
0.1
1
10
100
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
NF
I
C
7
6
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz的
S
11
, S
22
1.0
0.5
2.0
V
CE
=
3 V
I
C
=
30毫安
噪声系数NF （ dB）的
5
4
S
11
0
0.3
S
22
1.0
3.0
3
∞
2
1
0.5
0
0.1
1
10
100
2.0
1.0
集电极电流I
C
（MA ）
SJC00319BED
3
MSG36E41
S
21e
2
,
S
12e
2
f
50
40
正向传输增益
S
21e
,
2
反向传输增益
S
12e
（ dB）的
30
20
10
0
S
21e
2
2
10
20
30
40
50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
S
12e
2
频率f（ GHz）的
4
SJC00319BED
MSG36E41
Tr2的特性图
I
C
V
CE
14
12
I
B
=
10
A
步
180
V
CE
=
3 V
80
A
70
A
10
8
60
A
50
A
40
A
30
A
4
2
0
20
A
10
A
160
h
FE
I
C
25
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz的
f
T
I
C
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
140
120
100
80
60
40
20
0
0.01
过渡频率f
T
（千兆赫）
0.1
1
10
100
20
15
6
10
5
0
1
2
3
4
5
6
0
1
10
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
0.8
0.7
10
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
10
0.1
f
=
1兆赫
15
G
P
I
C
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz的
14
12
S
21e
2
I
C
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz的
正向传输增益
S
21e
（ dB）的
2
功率增益G
P
（ dB）的
10
8
6
5
0
4
2
0
5
0
1
2
3
4
5
6
1
10
100
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
NF
I
C
7
6
V
CE
=
3 V
f
=
2 GHz的
S
11
, S
22
1.0
0.5
2.0
V
CE
=
3 V
I
C
=
10毫安
噪声系数NF （ dB）的
5
4
0
3
0.3
S
11
1.0
3.0
∞
2
S
22
1
0.5
0
0.1
1
10
100
2.0
1.0
集电极电流I
C
（MA ）
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批号
数量
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单价/备注
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MSG36E41
    -
    -
    -
    -
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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MSG36E41
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23000
SOT-563
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电话：13910052844（微信同步）
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