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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1747页 > MCP6404T-E/SL
MCP6401/1R/1U
1 MHz时, 45 μA运算放大器
特点
低静态电流: 45 μA (典型值)
增益带宽积: 1兆赫(典型值)
轨至轨输入和输出
电源电压范围: 1.8V至6.0V
单位增益稳定
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
无相位反转
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6401 / 1R / 1U系列
运算放大器(运放)低静态
电流( 45 μA ,典型值)和轨到轨输入和输出
操作。这家是单位增益稳定,具有
争取在1 MHz (典型值)带宽积。这些
设备的单电源电压下工作的低
1.8V 。这些特性使得运算的家庭以及放大器
适用于单电源,电池供电的应用。
在MCP6401 / 1R / 1U系列设计
Microchip先进的CMOS工艺和所提供
单包。所有器件都可以在
扩展级温度范围,与电源
范围为1.8V至6.0V 。
应用
便携式设备
电池供电系统
医疗器械
数据采集设备
传感器调节
供应电流检测
模拟有源滤波器
封装类型
MCP6401
SC70-5 , SOT- 23-5 ,
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
5 V
DD
MCP6401R
SOT-23-5,
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
5 V
SS
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi
电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器( MAPS )
模拟演示和评估板
应用笔记
MCP6401U
SOT-23-5,
V
IN
+ 1
V
SS
2
V
IN
– 3
4 V
OUT
5 V
DD
典型用途
R
2
D
2
V
IN
R
1
V
OUT
MCP6401
D
1
精密半波整流器
2009年Microchip的科技公司
DS22229A第1页
MCP6401/1R/1U
注意事项:
DS22229A第2页
2009年Microchip的科技公司
MCP6401/1R/1U
1.0
1.1
电气特性
绝对最大额定值
注意:
注意,超出上述绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或任何其他条件超出上述表示
本说明书中的操作列表是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制”
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ....... ± 2毫安
模拟输入(V
IN
+
, V
IN
-
) .......... V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................不断
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温(T
J
).......................... +150°C
ESD保护所有引脚( HBM , MM )
................ ≥
4千伏; 400V
1.2
特定网络阳离子
DC电气规格
表1-1:
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 100 kΩ到V
L
。 (参考
图1-1) 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
I
B
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
V
CMR
CMRR
V
SS
-0.2
V
SS
-0.3
56
63
开环增益
直流开环增益
(大信号)
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 :
V
DD
I
Q
1.8
20
45
6.0
70
V
A
I
O
= 0, V
DD
= 5.0V
V
CM
= 0.2V
DD
V
OL ,
V
OH
I
SC
V
SS
+20
±5
±15
V
DD
–20
mV
mA
mA
V
DD
= 6.0V ,R
L
= 10 kΩ
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 6.0V
A
OL
90
110
dB
V
OUT
- 0.3V至V
DD
-0.3V
V
CM
= V
SS
71
78
V
DD
+0.2
V
DD
+0.3
V
V
dB
dB
V
DD
= 1.8V,
注1
V
DD
= 6.0V,
注1
V
CM
= -0.2V至2.0V ,
V
DD
= 1.8V
V
CM
= -0.3V至6.3V ,
V
DD
= 6.0V
I
OS
Z
CM
Z
差异
±1.0
30
800
±1.0
10
13
||6
10 ||6
13
符号
典型值
最大
单位
条件
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
-4.5
63
±2.0
78
+4.5
100
mV
V
CM
= V
SS
μV / ° (C T)
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
V
CM
= V
SS
图2-11
展示了如何V
CMR
在整个温度变化。
2009年Microchip的科技公司
DS22229A第3页
MCP6401/1R/1U
表1-2:
AC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= +1.8至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的。 (参考
图1-1) 。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
3.6
28
0.6
μVp -P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
1
65
0.5
兆赫
°
V / μs的
G = + 1V / V
符号
典型值
最大
单位
条件
表1-3:
温度参数
参数
符号
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
-40
-65
典型值
220.7
331
最大
+125
+150
单位
°C
°C
° C / W
° C / W
条件
注1
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V和V
SS
= GND 。
温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, SOT- 23-5
热阻, SC70-5
注1 :
内部结温(T
J
)不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.3
测试电路
C
F
6.8 pF的
R
G
100 kΩ
V
P
V
IN +
MCP640x
V
IN-
V
M
R
G
100 kΩ
(V/V)
(V)
(毫伏)
C
F
6.8 pF的
V
L
R
F
100 kΩ
V
OUT
R
L
100 kΩ
C
L
60 pF的
C
B1
100 nF的
R
F
100 kΩ
V
DD
V
DD
/2
用于大多数直流和交流测试的电路示于
图1-1 。
该电路可独立设置V
CM
V
OUT
;看
公式1-1 。
需要注意的是V
CM
是不
电路的共模电压( (V
P
+ V
M
)/ 2) ,而
V
OST
包括V
OS
加的影响(对输入的偏移
错误,V
OST
)的温度, CMRR , PSRR和A
OL
.
公式1-1:
V
CM
=
(
V
P
+ V
DD
2
)
2
V
OST
= V
IN-
V
IN +
其中:
G
DM
=差模增益
V
CM
=运算放大器的共模
输入电压
V
OST
=运算放大器总输入失调
电压
V
OUT
=
(
V
DD
2
)
+
(
V
P
V
M
)
+ V
OST
(
1 + G
DM
)
G
DM
= R
F
R
G
C
B2
1 F
图1-1:
交流和直流参数测试电路
大多数规范。
DS22229A第4页
2009年Microchip的科技公司
MCP6401/1R/1U
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2,
V
L
= V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的。
0.24
出现次数的百分比
输入失调电压( μV )
0.21
0.18
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0
-5
-4
-3
-2 -1 0
1
2
3
输入失调电压(MV )
4
5
1760样品
V
CM
= V
SS
1200
1000
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-1000
-0.5
V
DD
= 1.8V
部分代表
T
A
=
T
A
=
T
A
=
T
A
=
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
0.5
-0.3
图2-1:
输入失调电压。
图2-4:
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 1.8V.
1000
输入失调电压( μV )
45%
出现次数的百分比
40%
35%
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
-10 -8
-6 -4 -2 0 2 4 6 8
输入失调电压漂移( μV / ° C)
10
1760样品
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
750
500
250
0
-250
-500
-750
-1000
1.0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
输出电压(V)
6.0
0.0
0.5
1.5
部分代表
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 6.0V
图2-2:
输入失调电压漂移。
图2-5:
输出电压。
1000
输入失调电压( μV )
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-0.1
共模输入电压( V)
输入失调电压 -
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
-100
-0.5
输入失调电压( μV )
V
DD
= 6.0V
部分代表
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
部分代表
T
A
=
T
A
=
T
A
=
T
A
=
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
6.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
共模输入电压( V)
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
电源电压(V)的
图2-3:
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 6.0V.
图2-6:
输入失调电压 -
电源电压。
2009年Microchip的科技公司
DS22229A第5页
2.3
0.1
0.3
0.9
1.1
1.3
1.9
2.1
0.7
1.5
1.7
MCP6401/1R/1U/2/4
1 MHz时, 45 μA运算放大器
特点
低静态电流: 45 μA (典型值)
增益带宽积: 1兆赫(典型值)
轨至轨输入和输出
电源电压范围: 1.8V至6.0V
单位增益稳定
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
无相位反转
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6401 / 1R / 1U / 2/4
系列运算放大器(运放)低
静态电流( 45μA ,典型值)和轨到轨输入
和输出操作。这家家庭为单位增益稳定
并具有为1 MHz (典型值)的增益带宽积。
这些器件具有单电源电压工作
低至1.8V 。这些特性使得运算的家庭
放大器非常适合于单电源,电池供电
应用程序。
在MCP6401 / 1R / 1U / 2/4系列的设计与
Microchip先进的CMOS工艺和所提供
单包。所有器件都可以在
扩展级温度范围,与电源
范围为1.8V至6.0V 。
应用
便携式设备
电池供电系统
医疗器械
数据采集设备
传感器调节
供应电流检测
模拟有源滤波器
封装类型
MCP6401
SC70-5 , SOT- 23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+
3
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi
电路设计和仿真
Microchip高级器件选型器( MAPS )
模拟演示和评估板
应用笔记
MCP6401R
SOT-23-5
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+
3
5
V
DD
4
V
IN
5
V
SS
4
V
IN
MCP6402
SOIC
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
5 V
INB
+
MCP6401U
SOT-23-5
V
IN
+
1
V
SS
2
V
IN
3
典型用途
R
2
D
2
V
IN
R
1
V
OUT
MCP6401
D
1
5
V
DD
4
V
OUT
V
SS
4
MCP6402
的2x3 TDFN
V
OUTA
1
V
INA
2
V
INA
+
3
V
SS
4
MCP6404
SOIC , TSSOP
8
V
DD
V
OUTA
1
14 V
OUTD
13 V
IND
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
8 V
OUTC
7
V
OUTB
V
INA
2
EP
9
6
V
INB
5
V
INB
+
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
精密半波整流器
V
INB
– 6
V
OUTB
7
2010 Microchip的技术公司
DS22229B第1页
MCP6401/1R/1U/2/4
注意事项:
DS22229B第2页
2010 Microchip的技术公司
MCP6401/1R/1U/2/4
1.0
1.1
电气特性
绝对最大额定值
注意:
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压限制”
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ....... ± 2毫安
模拟输入(V
IN
+
, V
IN
-
) .......... V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温(T
J
) .......................... +150°C
ESD保护所有引脚( HBM , MM )
............... ≥
4千伏; 300V
DC电气规格
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 100 kΩ到V
L
。 (参考
图1-1) 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
I
B
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
V
CMR
CMRR
V
SS
-0.2
V
SS
-0.3
56
63
开环增益
直流开环增益
(大信号)
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 :
V
DD
I
Q
1.8
20
45
6.0
70
V
A
I
O
= 0, V
DD
= 5.0V
V
CM
= 0.2V
DD
V
OL ,
V
OH
I
SC
V
SS
+20
±5
±15
V
DD
–20
mV
mA
mA
V
DD
= 6.0V ,R
L
= 10 kΩ
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 6.0V
A
OL
90
110
dB
V
OUT
- 0.3V至V
DD
-0.3V
V
CM
= V
SS
71
78
V
DD
+0.2
V
DD
+0.3
V
V
dB
dB
V
DD
= 1.8V,
注1
V
DD
= 6.0V,
注1
V
CM
= -0.2V至2.0V ,
V
DD
= 1.8V
V
CM
= -0.3V至6.3V ,
V
DD
= 6.0V
I
OS
Z
CM
Z
差异
±1.0
30
800
±1.0
10
13
||6
10 ||6
13
符号
典型值
最大
单位
条件
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
-4.5
63
±2.0
78
+4.5
100
mV
V
CM
= V
SS
μV / ° (C T)
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
V
CM
= V
SS
图2-11
展示了如何V
CMR
在整个温度变化。
2010 Microchip的技术公司
DS22229B第3页
MCP6401/1R/1U/2/4
AC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= +1.8至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的。 (参考
图1-1) 。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
3.6
28
0.6
μVp -P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
1
65
0.5
兆赫
°
V / μs的
G = + 1V / V
符号
典型值
最大
单位
条件
温度参数
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, 5L- SC70
热阻, 5引脚SOT- 23
热阻,8 - SOIC
热阻,8引脚2x3 TDFN
热阻,14 - SOIC
热阻,14 - TSSOP
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
331
220.7
149.5
41
95.3
100
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
-40
-65
+125
+150
°C
°C
注1
符号
典型值
最大
单位
条件
注1 :
内部结温(T
J
)不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.2
测试电路
C
F
6.8 pF的
R
G
100 kΩ
V
P
V
IN +
MCP640x
V
IN-
V
M
R
G
100 kΩ
(V/V)
(V)
(毫伏)
C
F
6.8 pF的
V
L
R
F
100 kΩ
R
L
100 kΩ
V
OUT
C
L
60 pF的
C
B1
100 nF的
R
F
100 kΩ
V
DD
V
DD
/2
用于大多数直流和交流测试的电路示于
图1-1 。
该电路可独立设置V
CM
V
OUT
;看
公式1-1 。
需要注意的是V
CM
是不
电路的共模电压( (V
P
+ V
M
)/ 2) ,而
V
OST
包括V
OS
加的影响(对输入的偏移
错误,V
OST
)的温度, CMRR , PSRR和A
OL
.
公式1-1:
V
CM
=
(
V
P
+ V
DD
2
)
2
V
OST
= V
IN-
V
IN +
其中:
G
DM
=差模增益
V
CM
=运算放大器的共模
输入电压
V
OST
=运算放大器总输入失调
电压
V
OUT
=
(
V
DD
2
)
+
(
V
P
V
M
)
+ V
OST
(
1 + G
DM
)
G
DM
= R
F
R
G
C
B2
1 F
图1-1:
交流和直流参数测试电路
大多数规范。
2010 Microchip的技术公司
DS22229B第4页
MCP6401/1R/1U/2/4
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2,
V
L
= V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的。
24%
出现次数的百分比
输入失调电压( μV )
1200
1000
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-1000
-0.5
21%
18%
15%
12%
9%
6%
3%
0%
-5
1760样品
V
CM
= V
SS
V
DD
= 1.8V
部分代表
T
A
=
T
A
=
T
A
=
T
A
=
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
0.5
-0.3
-4
-3
-2 -1 0
1
2
3
输入失调电压(MV )
4
5
图2-1:
输入失调电压。
图2-4:
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 1.8V.
1000
输入失调电压( μV )
45%
出现次数的百分比
40%
35%
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
-10 -8
-6 -4 -2 0 2 4 6 8
输入失调电压漂移( μV / ° C)
10
1760样品
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
750
500
250
0
-250
-500
-750
-1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
输出电压(V)
6.0
部分代表
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 6.0V
图2-2:
输入失调电压漂移。
图2-5:
输出电压。
1000
输入失调电压( μV )
-0.1
共模输入电压( V)
输入失调电压 -
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
-100
-0.5
输入失调电压( μV )
V
DD
= 6.0V
部分代表
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
T
A
T
A
T
A
T
A
= +125°C
= +85°C
= +25°C
= -40°C
部分代表
T
A
=
T
A
=
T
A
=
T
A
=
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
6.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
共模输入电压( V)
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
电源电压(V)的
图2-3:
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 6.0V.
图2-6:
输入失调电压 -
电源电压。
2010 Microchip的技术公司
DS22229B第5页
2.3
0.7
1.5
1.7
0.9
1.1
1.3
1.9
2.1
0.1
0.3
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