摩托罗拉
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通过MCM67A618B / D
超前信息
MCM67A618B
64K ×18位异步/
锁存地址快速静态RAM
该MCM67A618B是1179648位锁存地址的静态随机存取
内存组织为18位65,536字。该器件集成了一个64K ×18
SRAM核心，先进的外围电路，包括地址和数据的IN-
把锁存，低电平有效芯片使能，独立的上下字节写选通，
和快速的输出使能。该装置增加了输出驱动能力，支持
由多个电源引脚移植。
地址，以及片数据使能设置锁存器。当锁存使
（ AL为地址和芯片使和DL中的数据）是高时，地址，数据
中，并且芯片使能锁存器是在透明状态。如果锁存使绑
高的设备可以用作一个异步SRAM中。当锁存使有
低的地址，数据和芯片使能锁存器处于闭锁状态。这
输入锁存简化读取和保证地址和数据的写入周期
保持时间在一个简单的方式。
DQ9
双写使能（ LW和UW ）提供单独允许
DQ10
写字节。 LW控制DQ0 - DQ8 （低位比特），而UW
VCC
控制DQ9 - DQ17 （高位） 。
VSS
六对电源和接地引脚已经使用并放置在
DQ11
包以获得最佳性能。
DQ12
该MCM67A618B将在一个52引脚塑料有引线芯片
DQ13
载体（ PLCC ） 。
DQ14
该器件非常适合于要求宽数据总线系统
VSS
VCC
宽度，高速缓冲存储器，和标签的RAM 。
采用5 V单
±
5 ％的电源
快速访问时间： 15年10月12日ns（最大值）
通过双写字节可写启用
单独的数据输入锁存器用于简化写周期
地址和芯片使能输入锁存器
常见的数据输入和数据输出
输出使能控制三态输出
3.3 V的I / O兼容
高板密度52引脚PLCC封装
DQ15
DQ16
DQ17
FN包装
塑料
CASE 778-02
引脚分配
A6
A7
E
UW
LW
VCC
V SS
DL
AL
G
A8
A9
A10
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
DQ8
DQ7
DQ6
VCC
VSS
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
VSS
VCC
DQ1
DQ0
所有的电源和地引脚必须CON组
已连接的设备的正确操作。
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V SS
V CC
A15
A14
A13
A12
A11
引脚名称
A0 - A15 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
AL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址锁存器
DL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据锁存器
LW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。低字节写使能
UW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。高字节写使能
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
DQ0 - DQ17 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
REV 2
7/16/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM67A618B
1
框图
A0 – A15
16
LATCH
16
存储阵列
64K ×18
18
产量
卜FF器
DQ0 DQ17
18
18
9
9
写AMP
E
LATCH
控制
18
LATCH
AL
LW
UW
G
DL
真值表
E
H
L
L
L
L
L
L
L
L
LW
X
X
X
H
H
L
L
L
H
UW
X
X
X
H
H
L
L
H
L
AL *
X
L
H
X
X
X
X
X
X
DL *
X
X
X
X
X
L
H
X
X
G
X
X
X
L
H
X
X
X
X
模式
取消选择周期
读取或写入使用地址锁存
读取或写入使用虚掩地址
读周期
读周期
写两个字节使用锁存的数据在
写两个字节使用虚掩数据在
写周期，低字节
写周期，低字节
供应
当前
ISB
ICC
ICC
ICC
ICC
ICC
ICC
ICC
I / O
状态
高-Z
—
—
数据输出
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
ICC
高-Z
* E和地址满足规定的建立和保持时间为AL的下降沿。数据在满足指定的安装
*和
保持时间为下降沿DL的边缘。
注：此真值表显示了每个功能的应用程序。这些功能的组合是有效的。
绝对最大额定值
（参考电压到VSS = 0）
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何
销除VCC
输出电流（每个I / O）
功耗
在偏置温度
环境温度
储存温度
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
价值
- 0.5 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
30
1.6
- 10至+ 85
0至+ 70
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静
电压或电场;然而，建议
正常的预防措施，以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压，以这种高阻抗
电路。
该内存的BiCMOS电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示，热平衡后
已经建立。
此装置包含电路，该电路将保证
所述输出设备是在高Z在加电时。
TSTG
- 55至+ 125
°C
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
MCM67A618B
2
摩托罗拉快速SRAM
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
5 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
（电压参考VSS = 0 V）
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.75
2.2
– 0.5
*
最大
5.25
VCC + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
* VIL （分钟） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）为我
≤
20.0毫安。
** VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）为我
≤
20.0毫安。
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（G = VIH ）
交流电源电流（设备选择，所有输出开路，
频率=最大， VCC =最大值）
CMOS待机电流（释放器件，
频率= 0 ， VDD =最大，所有输入的静态CMOS电平
VIN
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VCC - 0.2 V ）
AC待机电流（释放器件，
频率=最大， VDD =最大，所有输入切换，在CMOS电平
VIN
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VCC - 0.2 V ）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
MCM67A618B–10
MCM67A618B–10
MCM67A618B–12
MCM67A618B–15
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
ICCA
民
—
—
—
最大
±
1.0
±
1.0
待定
单位
A
A
mA
ISB2
—
待定
mA
ISB4
—
待定
mA
VOL
VOH
—
2.4
0.4
3.3
V
V
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
特征
输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CI / O
典型值
4
6
最大
5
8
单位
pF
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM67A618B
3
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
5 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3纳秒
输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。图1除非另有说明
异步读周期时序
（见注1和2 ）
MCM67A618B - 10 MCM67A618B - 12 MCM67A618B - 15
参数
读周期时间
访问次数：
地址有效到输出有效
低到输出有效
输出使能低到输出有效
从地址变更输出保持
输出缓冲控制：
低到输出有效
G低到输出有效
高到输出高阻
摹高到输出高阻
电时间
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
tELICCA
—
—
—
4
3
1
2
2
0
10
10
5
—
—
—
5
5
—
—
—
—
4
3
1
2
2
0
12
12
6
—
—
—
6
6
—
—
—
—
4
3
1
2
2
0
15
15
7
—
—
—
7
7
—
ns
ns
ns
5
符号
tAVAV
民
10
最大
—
民
12
最大
—
民
15
最大
—
单位
ns
ns
笔记
3
4
注意事项：
1. AL和DL等于VIH所有异步周期。
2.无论写使能信号（ LW ， UW）等于VIH为所有读周期。
3.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.地址有效之前或重合为E变低。
5.转换测量
±
500毫伏的稳态电压。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。在任何给定的电压和temper-
ATURE ， tEHQZ小于tELQX和tGHQZ小于tGLQX对于给定的设备。
产量
Z0 = 50
RL = 50
VL = 1.5 V
图1. AC测试负载
MCM67A618B
4
摩托罗拉快速SRAM
QQ：2880707522 复制
