MCP606/7/8/9
2.5V至5.5V微功耗CMOS运算放大器
特点
低输入失调电压（最大） 250 μV
轨到轨输出
低输入偏置电流（最大为85°C ） 80 pA的
低静态电流： 25 μA （最大值）
电源电压： 2.5V至5.5V
单位增益稳定
片选（ CS ）功能：
MCP608
工业温度范围： -40 ° C至+ 85°C
无相位反转
提供单，双和四包
描述
该MCP606 / 7 /8/9系列运算放大器（运
安培） ，Microchip的公司是单位增益
稳定的低失调电压（ 250 μV ，最大） 。
性能包括轨至轨输出
摆幅能力和低输入偏置电流（ 80 Pa的
+ 85°C ，最大值） 。这些特性使该系列运
放大器非常适合于单电源，精密，高
阻抗，电池供电的应用。
单MCP606是标准的8引脚
PDIP ， SOIC和TSSOP封装，以及在
SOT- 23-5封装。与芯片的单MCP608
选（CS ）提供标准的8引脚PDIP ， SOIC
和TSSOP封装。双MCP607提供的
标准的8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。
最后，四MCP609是提供在标准
14引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。所有器件
完全从-40 ° C至+ 85°C ，电源
电源范围为2.5V至5.5V 。
典型应用
电池电力仪表
高阻抗的应用
- 光电二极管放大器
- pH探头缓冲放大器
- 红外探测器
- 精密集成商
- 电荷放大器压电
换能器
- 应变计
- 医疗器械
测试设备
封装类型
MCP606
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
DD
V
OUT
NC
MCP606
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
4 V
IN
–
可用工具
SPICE宏模型（从www.microchip.com ）
FilterLab设
软件（从www.microchip.com ）
MCP607
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
V
INA
–
V
INA
+
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP608
PDIP ， SOIC ， TSSOP
8
7
6
5
CS
V
DD
V
OUT
NC
典型用途
I
L
R
G
5 kΩ
2.5V
to
5.5V
R
SEN
10Ω
MCP606
R
F
50 kΩ
加载
(V
LP
)
V
OUT
加载
(V
LM
)
NC 1
V
DD
V
OUTB
V
IN
– 2
V
INB
– V
IN
+ 3
V
INB
+ V
SS
4
MCP609
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
V
INA
–
V
INA
+
V
DD
V
INB
+
V
INB
–
V
OUTB
1
2
3
4
5
6
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
低端电池电流传感器
2005年Microchip的科技公司
DS11177D第1页
MCP606/7/8/9
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
.......................................................................7.0V
所有输入和输出................... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流..................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) ......................... +150°C
................... 2千伏;所有引脚（ MM HBM ） ESD保护; 200V
DC特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/ 2和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
在温度
输入失调电流偏置
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益
（大信号）
直流开环增益
（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
V
OL
, V
OH
V
OL
, V
OH
线性输出电压范围
V
OUT
V
OUT
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
V
DD
I
Q
2.5
—
—
18.7
5.5
25
V
A
I
O
= 0
I
SC
I
SC
V
SS
+ 15
V
SS
+ 45
V
SS
+ 50
V
SS
+ 100
—
—
—
—
—
—
7
17
V
DD
– 20
V
DD
– 60
V
DD
– 50
V
DD
– 100
—
—
mV
mV
mV
mV
mA
mA
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
0.5V输出过载
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
0.5V输出过载
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
105分贝
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
百分贝
V
DD
= 2.5V
V
DD
= 5.5V
A
OL
A
OL
105
100
121
118
—
—
dB
dB
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
= 50 mV至V
DD
= 50毫伏
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
– 0.1V
V
CMR
CMRR
V
SS
– 0.3
75
91
V
DD
– 1.1
—
V
dB
CMRR
≥
75分贝
V
DD
= 5V,
V
CM
= -0.3V至3.9V
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
—
—
—
—
—
1
—
1
10
13
||6
10 ||6
13
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
-250
—
80
—
±1.8
93
+250
—
—
—
80
—
—
—
V
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 85°C
dB
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
DS11177D第2页
2005年Microchip的科技公司
MCP606/7/8/9
AC特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
—
—
—
2.8
38
3
—
—
—
V
P-P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
—
—
—
155
62
0.08
—
—
—
千赫
°
V / μs的
G = +1
G=1
符号
民
典型值
最大
单位
条件
MCP608芯片选择（ CS ）特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高电平，接地电流
放大器输出泄漏， CS高
CS动态规范
CS低电平到放大器输出开启时间
CS高到放大器输出高阻
CS迟滞
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
9
0.1
0.6
100
—
—
s
s
V
CS = 0.2V
DD
到V
OUT
= 0.9(V
DD
/2),
G = + 1V / V ，R
L
= 1 kΩ到V
SS
CS = 0.8V
DD
到V
OUT
= 0.1(V
DD
/2),
G = + 1V / V ，R
L
= 1 kΩ到V
SS
V
DD
= 5.0V
V
IH
I
CSH
I
SS
I
O（泄漏）
0.8 V
DD
—
-2
—
—
0.01
-0.05
10
V
DD
0.1
—
—
V
A
A
nA
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
V
IL
I
CSL
V
SS
-0.1
—
0.01
0.2 V
DD
—
V
A
CS = 0.2V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
CS
t
ON
V
OUT
高阻
V
IL
V
IH
t
关闭
高阻
-50 NA（典型值）。
-50 NA（典型值）。
I
SS
-50 NA（典型值） -18.7 μA （典型值）。
I
CS
-50 NA（典型值）。
图1-1：
时序图的CS
引脚上的MCP608 。
2005年Microchip的科技公司
DS11177D第3页
MCP606/7/8/9
温度特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - TSSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
256
85
163
124
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
注1
符号
民
典型值
最大
单位
条件
该MCP606 / 7 /8/9可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何情况下，该
结温（T
J
）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
DS11177D第4页
2005年Microchip的科技公司
MCP606/7/8/9
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-50
0
50
100
150
200
-250
-200
-150
-100
250
1200年样本
V
DD
= 5.5V
匹配的字符串的百分比
25%
20%
15%
10%
5%
0%
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
9
输入失调电压漂移幅度（ μV / ° C）
10
100
10
匹配的字符串的百分比
1200年样本
V
DD
= 5.5V
输入失调电压（ μV ）
图2-1：
V
DD
= 5.5V.
匹配的字符串的百分比
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-250
-200
-150
输入失调电压为
图2-4：
输入失调电压漂移
幅度在V
DD
= 5.5V.
25%
匹配的字符串的百分比
20%
15%
10%
5%
0%
0
1
2
3
4
5
6
7
50
输入失调电压漂移幅度（ μV / ° C）
8
75
1200年样本
V
DD
= 2.5V
1200年样本
V
DD
= 2.5V
-100
-50
0
50
100
150
200
输入失调电压（ μV ）
图2-2：
V
DD
= 2.5V.
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
输入失调电压为
250
图2-5：
输入失调电压漂移
幅度在V
DD
= 2.5V.
24
静态电流
每个放大器（ μA ）
22
20
18
16
14
12
V
DD
= 2.5V
V
DD
= 5.5V
静态电流
每个放大器（ μA ）
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压（V）的
-50
-25
0
25
环境温度（ ℃）
图2-3：
静态电流 -
电源电压。
图2-6：
静态电流 -
环境温度。
2005年Microchip的科技公司
DS11177D第5页
QQ：2880707522 复制
