a
特点
双通道匹配PNP晶体管
低失调电压： 100 V最大
低噪音： 1内华达州/ √Hz的@ 1 kHz的最大
高增益： 100分钟
高增益带宽： 190 MHz的典型值
紧张的增益匹配： 3 ％最大
出色的对数一致性，R
BE
提供裸片形式
低噪声，匹配
双PNP晶体管
MAT03
引脚连接
TO-78
（H后缀）
0.3
典型值
概述
该MAT03双单片PNP晶体管提供出色的
参数匹配和高频性能。低
噪声特性（ 1内华达州/
√
Hz
最大@ 1 kHz时） ，高带宽
（ 190 MHz的典型值）和低失调电压（ 100
V
最大） ，使
为要求苛刻的前置放大器AP-的MAT03的最佳选择
并发症。紧张的电流增益匹配（ 3 ％最大不匹配）和
高电流增益（100分钟） ，在宽范围的集电极的电流
租金，使MAT03的电流镜的最佳选择。
散装电阻低的值（通常为0.3
)
也使得
对于需要精确的应用MAT03的理想元件
对数一致性。
每个晶体管都是单独测试的数据表规格。
设备的性能得到保障，在25℃和在扩展
工业和军用温度范围。为了确保长期
匹配参数的长期稳定性，内部保护
对面的基 - 射结二极管钳位任何反向基线
发射结的潜力。这防止了基极 - 发射极突破性
向下状态这可导致增益的劣化和
匹配性能，因为过高的故障电流。
版本B
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MAT03–SPECIFICATIONS
电气特性
参数
电流增益
1
符号
h
FE
条件
(@ T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
MAT03A
MAT03E
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
165
150
120
0.5
40
11
11
12
12
0.3
0.3
6
50
0.8
0.7
0.7
0.7
100
90
80
3
100
150
150
50
50
0.75
0.75
35
200
2
1
1
1
165
150
120
0.5
40
11
11
12
12
0.3
0.3
6
50
0.8
0.7
0.7
0.7
0.025 0.1
MAT03F
最小值典型值
最大
80
70
60
3
100
150
150
50
50
0.75
0.75
35
200
165
150
120
0.5
40
11
11
12
12
0.3
0.3
6
50
0.8
0.7
0.7
0.7
0.025 0.1
单位
电流增益匹配
2
失调电压
3
失调电压变化
与集电极电压
失调电压变化
与集电极电流
体积电阻
失调电流
集电极 - 基
漏电流
噪声电压密度
4
Dh
FE
V
OS
DV
OS
/ DV
CB
DV
OS
/ DI
C
r
BE
I
OS
I
CB0
e
N
V
CB
= 0 V, –36 V
100
I
C
= 1毫安
90
I
C
= 100
A
80
I
C
= 10
A
I
C
= 100
μA ，V
CB
= 0 V
V
CB
= 0 V，I
C
= 100
A
I
C
= 100
A
V
CB1
= 0 V
V
CB2
= –36 V
V
CB
= 0 V
I
C1
= 10
A,
I
C2
= 1毫安
V
CB
= 0 V
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
V
CB
= –36 V = V
最大
I
C
= 1毫安， V
CB
= 0
f
O
= 10赫兹
f
O
= 100赫兹
f
O
= 1千赫
f
O
= 10千赫
I
C
= 1毫安，我
B
= 100
A
6
200
200
200
75
75
0.75
0.75
45
400
%
V
V
V
V
V
nA
pA
内华达州/ √赫兹
内华达州/ √赫兹
内华达州/ √赫兹
内华达州/ √赫兹
V
集电极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
0.025 0.1
电气特性
（在-55℃
≤
T
≤
125 ℃，除非另有说明。 ）
A
参数
电流增益
符号
h
FE
条件
V
CB
= 0 V, –36 V
I
C
= 1毫安
I
C
= 100
A
I
C
= 10
A
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
民
70
60
50
MAT03A
典型值
110
100
85
40
0.3
15
54
最大
单位
失调电压
失调电压漂移
5
失调电流
击穿电压
V
OS
TCV
OS
I
OS
BV
首席执行官
150
0.5
85
36
V
μV/°C
nA
V
电气特性
（在-40℃
≤
T
≤
85 ℃，除非另有说明。 ）
A
参数
符号
条件
MAT03E
最小典型最大
MAT03F
最小典型最大
单位
电流增益
h
FE
失调电压
失调电压漂移
5
失调电流
击穿电压
V
OS
TCV
OS
I
OS
BV
首席执行官
V
CB
= 0 V, –36 V
I
C
= 1毫安
I
C
= 100
A
I
C
= 10
A
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
70
60
50
120
105
90
30 135
0.3 0.5
10 85
60
50
40
120
105
90
30 265
0.3 1.0
10 200
36
36
V
μV/°C
nA
V
笔记
1
电流增益集电极 - 基极电压测量（V
CB
）横扫从0到V
最大
在指定的集电极电流。标准被定在V测
CB
= 0 V.
2
当前
3
OFFSET
增益匹配（△H
FE
）是德网络定义为：
h
FE =
100 (
I
B
)
h
FE
（分钟）
I
C
.
KT
q
In
电压被定义为：V
OS
= V
BE1
– V
BE2
其中V
OS
的差分电压为我
C1
= I
C2
: V
OS
= V
BE1
– V
BE2
=
4
样品测试。噪声测试和指定为等效输入电压的每个晶体管。
5
用V保证
OS
TEST
（ TCV
OS
=
V
OS
/T
为
V
OS
V
BE
)
其中T
= 298
°
K表示牛逼
A
= 25°C.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
I
C1
I
.
C2
–2–
版本B
MAT03
晶圆测试极限
（在25℃ ，除非另有说明。 ）
参数
符号
条件
MAT03N
范围
单位
击穿电压
失调电压
电流增益
电流增益匹配
偏移电压随V
CB
失调电压变化
与集电极电流
体积电阻
集电极饱和电压
BV
首席执行官
V
OS
h
FE
h
FE
V
OS
/V
CB
V
OS
/I
C
r
BE
V
CE （SAT）
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
I
C
= 1毫安， V
CB
= 0 V, –36 V
I
C
= 10
A,
V
CB
= 0 V, –36 V
I
C
= 100
A,
V
CB
= 0 V
V
CB1
= 0 V，I
C
= 100
A
V
CB2
= –36 V
V
CB
= 0
I
C1
= 10
A,
I
C2
= 1毫安
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
I
C
= 1毫安，我
B
= 100
A
36
200
200
80
60
6
200
200
75
75
0.75
0.1
V分钟
V
最大
V
最大
民
民
％最大
V
最大
V
最大
V
最大
V
最大
最大
V最大
注意：
电气测试在晶片探针进行到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常产量损失，包装后产率，不能保证
对于标准产品的骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资质洽谈规格。
DICE特性
1.收集器（ 1 ）
2.基（1）
3.辐射源（1）
4.收集器（ 2 ）
5.基（2）
6.辐射源（2）
衬底可以是
连接到V形或
浮动
绝对最大额定值
1
订购指南
1
模型
MAT03AH
MAT03EH
MAT03FH
2
V
OS
最大
温度
(T
A
= + 25℃ ）范围
100
V
100
V
200
V
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
选项
TO-78
TO-78
TO-78
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
集电极 - 发射极电压（ BV
首席执行官
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
集电极集电极电压（ BV
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
发射极 - 发射极电压（ BV
EE
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36 V
集电极电流（I
C
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
发射极电流（I
E
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
总功耗
环境温度
≤
70°C
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
工作温度范围
MAT03A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
MAT03E / F。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装设备。
2
等级适用于TO- 78不使用散热片，和LCC ;设备中唯一的自由空气。为
TO- 78 ，线性降额在6.3毫瓦/°C， 70°C以上的环境温度;为LCC ，
减免7.8毫瓦/ ℃。
笔记
1
老化可在工业温度范围内的部分。
2
为完全符合处理设备符合MIL -STD- 883 ，部分后添加/ 883
号。咨询工厂的883数据表。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然MAT03具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–3–
QQ：2881677436 复制
