MCP6021/1R/2/3/4
轨至轨输入/输出， 10 MHz的运算放大器
特点
轨到轨输入/输出
宽带宽： 10 MHz（典型值）。
低噪声： 8.7纳伏/ √Hz的，在10 kHz （ TYP。）
低失调电压：
- 工业级温度： ± 500 μV （最大值）。
- 扩展级温度： ± 250 μV （最大值）。
中秋节供应V
REF
： MCP6021和MCP6023
低电源电流为1mA （典型值）。
总谐波失真： 0.00053 ％ （典型值，G = 1 ）。
单位增益稳定
电源电压范围： 2.5V至5.5V
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
描述
在MCP6021 ， MCP6021R ， MCP6022 ， MCP6023及
MCP6024 Microchip的公司是轨到
轨输入和输出运算放大器，具有较高的性能。
主要规格包括：高带宽（ 10 MHz）的，
低噪声（ 8.7纳伏/ √Hz的） ，低输入失调电压和低
失真（ 0.00053 ％ THD + N） 。该MCP6023还
提供片选引脚（ CS） ，让省电
当该部分未在使用中。
单MCP6021和MCP6021R都可用
SOT- 23-5 。单MCP6021 ， MCP6023单和
双MCP6022采用8引脚PDIP ， SOIC和
TSSOP封装。在扩展级温度MCP6021单
在8引脚MSOP封装。四MCP6024是
14引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。
在MCP6021 / 1R / 2/ 3/4系列是工业用
和扩展温度范围。它有一个电源
电源电压范围为2.5V至5.5V 。
典型应用
汽车
驱动A / D转换器
多极有源滤波器
条码扫描器
音频处理
通讯
DAC缓冲器
测试设备
医疗器械
封装类型
MCP6021
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
MCP6022
PDIP SOIC ， TSSOP
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
5 V
DD
V
OUTA
1
V
INA
– 2
4 V
IN
– V
INA
+ 3
V
SS
4
MCP6021R
SOT-23-5
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+ 3
5 V
SS
4 V
IN
–
MCP6023
PDIP SOIC ， TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 V
REF
可用工具
SPICE宏模型（从www.microchip.com ）
FilterLab设
软件（从www.microchip.com ）
典型用途
PHOTO
探测器
5.6 pF的
100 kΩ
100 pF的
MCP6021
V
DD
/2
跨阻放大器器
MCP6021
PDIP SOIC ，
MSOP ， TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
V
OUTA
1
6 V
OUT
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
5 V
REF
MCP6024
PDIP SOIC ， TSSOP
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
2006年Microchip的科技公司
DS21685C第1页
MCP6021/1R/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
所有输入和输出.................... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流..................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
结温................................................ .. + 150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
................ ≥
2千伏; 200V
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2
和R
L
= 10 kΩ到V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压：
工业级温度部件
扩展部分的温度
扩展部分的温度
输入失调电压温度漂移
电源抑制比
输入电流和阻抗
输入偏置电流
工业级温度部件
扩展部分的温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
参考电压（ MCP6021和MCP6023只）
V
REF
准确度（V
REF
– V
DD
/2)
V
REF
温度漂移
开环增益
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
V
S
I
Q
2.5
0.5
—
1.0
5.5
1.35
V
mA
I
O
= 0
V
OL
, V
OH
I
SC
I
SC
V
SS
+15
—
—
—
±30
±22
V
DD
-20
—
—
mV
mA
mA
0.5V输出过载
V
DD
= 2.5V
V
DD
= 5.5V
A
OL
90
110
—
dB
V
CM
= 0V,
V
OUT
= V
SS
+ 0.3V至V
DD
-0.3V
V
REF_ACC
ΔV
REF
/ΔT
A
-50
—
—
±100
+50
—
mV
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
SS
-0.3
74
70
74
—
90
85
90
V
DD
+0.3
—
—
—
V
dB
dB
dB
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 3.0V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至3.0V
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
—
—
—
—
—
—
1
30
640
±1
10 ||6
10
13
||3
13
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
OS
V
OS
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
-500
-250
-2.5
—
74
—
—
—
±3.5
90
+500
+250
+2.5
—
—
—
150
5,000
—
—
—
V
V
mV
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V, V
DD
= 5.0V
V
CM
= 0V, V
DD
= 5.0V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
CM
= 0V
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
DS21685C第2页
2006年Microchip的科技公司
MCP6021/1R/2/3/4
AC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度为单位增益
建立时间， 0.2 ％
压摆率
F = 1 kHz时， G = + 1V / V
F = 1 kHz时， G = + 1V / V ，R
L
= 600Ω
F = 1 kHz时， G = + 1V / V
F = 1 kHz时， G = + 10V / V
F = 1 kHz时， G = 100 V / V
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
—
—
—
2.9
8.7
3
—
—
—
μVp -P
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
内华达州/ √Hz的F = 10千赫
增益带宽积
PM
t
SETTLE
SR
THD + N
THD + N
THD + N
THD + N
THD + N
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
65
250
7.0
0.00053
0.00064
0.0014
0.0009
0.005
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
°
ns
V / μs的
%
%
%
%
%
V
OUT
= 0.25V至3.25V （ 1.75V ± 1.50V
PK
),
V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
V
OUT
= 0.25V至3.25V （ 1.75V ± 1.50V
PK
),
V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
V
OUT
= 4V
P-P
, V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
V
OUT
= 4V
P-P
, V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
V
OUT
= 4V
P-P
, V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
G = +1
G = 1 ，V
OUT
= 100 mV的
p-p
符号
民
典型值
最大
单位
条件
总谐波失真加噪声
MCP6023芯片选择（ CS ）电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
GND电流
放大器输出泄漏
CS动态规范
CS低电平到放大器输出开启时间
CS高电平到放大器输出高阻时间
迟滞
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
2
0.01
0.6
10
—
—
s
s
V
G = 1 ，V
IN
= V
SS
,
CS = 0.2V
DD
到V
OUT
= 0.45V
DD
时间
G = 1 ，V
IN
= V
SS
,
CS = 0.8V
DD
到V
OUT
= 0.05V
DD
时间
V
DD
= 5.0V ，内置开关
V
IH
I
CSH
I
SS
I
O（泄漏）
0.8 V
DD
—
-2
—
—
0.01
-0.05
0.01
V
DD
2.0
—
—
V
A
A
A
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
V
IL
I
CSL
V
SS
-1.0
—
0.01
0.2 V
DD
—
V
A
CS = V
SS
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2006年Microchip的科技公司
DS21685C第3页
MCP6021/1R/2/3/4
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工业温度范围
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - TSSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
85
163
206
124
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
注1
符号
民
典型值
最大
单位
条件
工业级温度器件可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何
情况下，内部结点温度（T
J
）不得超过150 ℃，绝对最高规格。
CS
t
ON
V
OUT
高-Z
扩增fi er上
t
关闭
高-Z
I
SS
-50 NA（典型值）。
I
CS
10 NA（典型值）。
-1 mA（典型值）
-50 NA（典型值）。
10 NA（典型值）。
10 NA（典型值）。
图1-1：
时序图的CS
引脚上的MCP6023 。
DS21685C第4页
2006年Microchip的科技公司
MCP6021/1R/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2,
R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
16%
匹配的字符串的百分比
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-500
-400
-300
-200
-100
100
200
300
400
500
0
工业级温度
零件
1192样品
V
CM
= 0V
T
A
= +25°C
24%
22%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
工业级温度
零件
1192样品
V
CM
= 0V
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
匹配的字符串的百分比
0
4
8
12
16
16
5.5
-20
-16
输入失调电压（ μV ）
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
图2-1：
输入偏移电压，
（工业级温度部件） 。
24%
22%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
E-温度
零件
438样本
V
DD
= 5.0V
V
CM
= 0V
T
A
= +25°C
图2-4：
输入失调电压漂移，
（工业级温度部件） 。
24%
22%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
E-温度
零件
438样本
V
CM
= 0V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
匹配的字符串的百分比
0
40
-240
-200
-160
-120
80
120
160
200
240
-80
-40
匹配的字符串的百分比
-12
-8
-4
0
4
8
12
-20
-16
输入失调电压（ μV ）
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
图2-2：
输入偏移电压，
（扩展温度零件） 。
500
400 V
DD
= 2.5V
300
200
100
0
-100
-200
-300
-400
-500
-0.5
0.0
0.5
图2-5：
输入失调电压漂移，
（扩展温度零件） 。
500
400
300
200
100
0
-100
-200
-300
-400
-500
-40°C
+25°C
+85°C
+125°C
输入失调电压（ μV ）
-40°C
+25°C
+85°C
+125°C
输入失调电压（ μV ）
V
DD
= 5.5V
-0.5
0.0
0.5
1.0
-12
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
共模输入电压（ V）
共模输入电压（ V）
图2-3：
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 2.5V.
图2-6：
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 5.5V.
2006年Microchip的科技公司
DS21685C第5页
6.0
20
20
-8
-4
MCP6021/1R/2/3/4
轨至轨输入/输出， 10 MHz的运算放大器
特点
轨到轨输入/输出
宽带宽： 10兆赫（典型值）
低噪声： 8.7纳伏/ √Hz的，在10 kHz （典型值）
低失调电压：
- 工业级温度： ± 500 μV （最大值）
- 扩展级温度： ± 250 μV （最大值）
中秋节供应V
REF
： MCP6021和MCP6023
低电源电流为1mA （典型值）
总谐波失真：
- 0.00053 ％ （典型值，G = 1 V / V）
单位增益稳定
电源电压范围： 2.5V至5.5V
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
描述
在MCP6021 ， MCP6021R ， MCP6022 ， MCP6023及
MCP6024 Microchip的公司是轨到
轨输入和输出运算放大器，具有较高的性能。
主要规格包括：高带宽（ 10 MHz）的，
低噪声（ 8.7纳伏/ √Hz的） ，低输入失调电压和低
失真（ 0.00053 ％ THD + N） 。该MCP6023还
提供片选引脚（ CS） ，让省电
当该部分未在使用中。
单MCP6021和MCP6021R都可用
SOT- 23-5 。单MCP6021 ， MCP6023单和
双MCP6022采用8引脚PDIP ， SOIC和
TSSOP封装。在扩展级温度MCP6021单
在8引脚MSOP封装。四MCP6024是
14引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。
在MCP6021 / 1R / 2/ 3/4系列是工业用
和扩展温度范围。它有一个电源
电源电压范围为2.5V至5.5V 。
应用
汽车
多极有源滤波器
音频处理
DAC缓冲器
测试设备
医疗器械
封装类型
MCP6021
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
–
5 V
DD
MCP6022
PDIP SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
模拟演示和评估板
应用笔记
MCP6021R
SOT-23-5
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
–
5 V
SS
MCP6023
PDIP SOIC ， TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 V
REF
MCP6021
PDIP SOIC ，
MSOP ， TSSOP
典型用途
PHOTO
探测器
5.6 pF的
100 kΩ
100 pF的
MCP6021
V
DD
/2
跨阻放大器器
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
MCP6024
PDIP SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
V
INA
– 2
6 V
OUT
V
INA
+ 3
5 V
REF
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
2009年Microchip的科技公司
DS21685D第1页
MCP6021/1R/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“
输入电压和电流限制“ 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在模拟输入引脚电流（V
IN
+, V
IN
- ） ..................... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+, V
IN
–) ........ V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
)........................ .+150° C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
.............. ≥
2千伏; 200V
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/ 2和R
L
= 10 kΩ到V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压：
工业级温度部件
扩展部分的温度
扩展部分的温度
输入失调电压温度漂移
电源抑制比
输入电流和阻抗
输入偏置电流
工业级温度部件
扩展部分的温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
参考电压（ MCP6021和MCP6023只）
V
REF
准确度（V
REF
– V
DD
/2)
V
REF
温度漂移
开环增益
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
V
OL
, V
OH
I
SC
I
SC
V
SS
+15
—
—
—
±30
±22
V
DD
-20
—
—
mV
mA
mA
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 2.5V
V
DD
= 5.5V
A
OL
90
110
—
dB
V
CM
= 0V,
V
OUT
= V
SS
+ 0.3V至V
DD
-0.3V
V
REF_ACC
ΔV
REF
/ΔT
A
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
OS
V
OS
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
-500
-250
-2.5
—
74
—
—
—
—
—
—
V
SS
-0.3
74
70
74
-50
—
—
—
—
±3.5
90
1
30
640
±1
10
13
||6
10
13
||3
—
90
85
90
—
±100
+500
+250
+2.5
—
—
—
150
5,000
—
—
—
V
DD
+0.3
—
—
—
+50
—
V
V
mV
V
CM
= 0V
V
CM
= 0V, V
DD
= 5.0V
V
CM
= 0V, V
DD
= 5.0V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
CM
= 0V
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
mV
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 3.0V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至3.0V
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
2009年Microchip的科技公司
DS21685D第3页
MCP6021/1R/2/3/4
AC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
交流响应
增益带宽积
相位裕度
建立时间， 0.2 ％
压摆率
F = 1 kHz时， G = + 1V / V
F = 1 kHz时， G = + 1V / V ，R
L
= 600Ω
F = 1 kHz时， G = + 1V / V
F = 1 kHz时， G = + 10V / V
F = 1 kHz时， G = 100 V / V
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
—
—
—
2.9
8.7
3
—
—
—
μVp -P
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
内华达州/ √Hz的F = 10千赫
增益带宽积
PM
t
SETTLE
SR
THD + N
THD + N
THD + N
THD + N
THD + N
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
65
250
7.0
0.00053
0.00064
0.0014
0.0009
0.005
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
°
ns
V / μs的
%
%
%
%
%
V
OUT
= 0.25V至3.25V （ 1.75V ± 1.50V
PK
),
V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
V
OUT
= 0.25V至3.25V （ 1.75V ± 1.50V
PK
),
V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
V
OUT
= 4V
P-P
, V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
V
OUT
= 4V
P-P
, V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
V
OUT
= 4V
P-P
, V
DD
= 5.0V ， BW = 22 kHz的
G = + 1V / V
G = + 1V / V ，V
OUT
= 100 mV的
p-p
V
DD
I
Q
2.5
0.5
—
1.0
5.5
1.35
V
mA
I
O
= 0
符号
民
典型值
最大
单位
条件
总谐波失真加噪声
MCP6023芯片选择（ CS ）电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
GND电流
放大器输出泄漏
CS动态规范
CS低电平到放大器输出开启时间
CS高电平到放大器输出高阻时间
迟滞
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
2
0.01
0.6
10
—
—
s
s
V
G = 1 ，V
IN
= V
SS
,
CS = 0.2V
DD
到V
OUT
= 0.45V
DD
时间
G = 1 ，V
IN
= V
SS
,
CS = 0.8V
DD
到V
OUT
= 0.05V
DD
时间
V
DD
= 5.0V ，内置开关
V
IH
I
CSH
I
SS
I
O（泄漏）
0.8 V
DD
—
-2
—
—
0.01
-0.05
0.01
V
DD
2.0
—
—
V
A
A
A
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
V
IL
I
CSL
V
SS
-1.0
—
0.01
0.2 V
DD
—
V
A
CS = V
SS
符号
民
典型值
最大
单位
条件
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MCP6021/1R/2/3/4
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工业温度范围
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - TSSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
85
163
206
124
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
注1
符号
民
典型值
最大
单位
条件
工业级温度器件可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何
情况下，内部结点温度（T
J
）不得超过150 ℃，绝对最高规格。
1.1
CS
t
ON
V
OUT
I
SS
I
CS
高-Z
扩增fi er上
-1毫安
（典型值）
t
关闭
高-Z
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-3 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.7节“电源旁路” 。
V
DD
0.1 F 1 F
C
B1
C
B2
MCP6021
R
F
2 kΩ
C
L
60 pF的
V
L
V
OUT
R
L
10 kΩ
-50 nA的
（典型值）
10 nA的
（典型值）
-50 nA的
（典型值）
10 nA的
（典型值）
V
IN
R
N
1 kΩ
10 nA的
（典型值）
图1-1：
时序图的CS
引脚上的MCP6023 。
V
DD
/2 R
G
2 kΩ
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
0.1 F 1 F
C
B1
C
B2
MCP6021
R
F
2 kΩ
C
L
60 pF的
V
OUT
R
L
10 kΩ
V
L
V
DD
/2 R
N
1 kΩ
V
IN
R
G
2 kΩ
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
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