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MCP1403/4/5
4.5A双高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流: 4.5A ( TYP。)
低直通/交叉传导电流的
输出级
宽输入电源电压工作范围:
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力:
- 2200 pF的15纳秒
- 5600 pF的34纳秒
短延迟时间: 40 ns(典型值)。
低电源电流:
- 对于逻辑“1”输入 - (典型值) 1.0毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 150 μA (典型值)。
闭锁保护:可承受1.5A的反向
当前
逻辑输入可承受负电压
高达5V
封装: 8引脚SOIC , PDIP , 8引脚6x5 DFN ,
和16引脚SOIC
概述
在MCP1403 / 4/5是一个家庭的双反相,双
非反相或免费的输出驱动器。他们
可先货高峰值电流4.5A的典型成
的容性负载。这些器件还具有低的拍摄开启
通过电流,匹配的上升/下降时间和
传播延迟。
在MCP1403 / 4/5司机从4.5V至18V工作
单电源,并且可以很容易地进行充电和
在15纳秒放电2200 pF的栅极电容
(典型值) 。它们提供了足够低的阻抗在两个
开和关状态,以确保预期的MOSFET的
国家将不会受到影响,即使是大的瞬变。该
输入到MCP1403 / 4/5 ,可以直接驱动
TTL或CMOS ( 3V至18V ) 。
在MCP1403 / 4/5双输出4.5A驱动器系列
在表面贴装和引脚通孔提供
用-40包
o
C至+ 125
o
C的温度额定值。
的耐热增强型的低热阻
DFN封装允许更大的功率耗散
用于驱动较重的电容或电阻能力
负载。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时,最多噪声的5V
扣球(任一极性)发生在接地引脚。所有
终端完全防止静电
放电(ESD )高达4 kV的。
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
马达和螺线管驱动
封装类型
MCP1404
8-Pin
MCP1405
MCP1403
PDIP / SOIC
NC
IN A
GND
IN B
1
2
3
4
8
7
6
5
16引脚SOIC
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
MCP1404
MCP1403
MCP1405
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
8引脚DFN
(2)
NC
1
IN A
2
GND
3
IN B
4
8
7
6
5
MCP1404
MCP1403
MCP1405
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
注1 :
重复的引脚必须都有连接,
正确的操作。
2:
DFN封装的裸露焊盘电
孤立的。
2007 Microchip的技术公司
DS22022B_CN第1页
MCP1403/4/5
功能框图
(1)
反相
730 A
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 20 pF的
(每个输入)
GND
4.7V
非反相
MCP1403双反相
MCP1404双非反相
MCP1405反相/非反相
注1 :
未使用的输入应接地。
DS22022B_CN第2页
2007 Microchip的技术公司
MCP1403/4/5
1.0
电动
特征
注意:
注意,超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ................ + 20V
输入电压........................ (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5V )
输入电流(V
IN
& GT ; V
DD
) ................................................ 50毫安
直流特性(注2 )
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,T
A
= + 25 ℃, 4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
峰值输出电流
闭锁保护承受
的反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电压
电源电流
注1 :
2:
V
DD
I
S
I
S
4.5
1.0
0.15
18.0
2.0
0.25
V
mA
mA
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
t
R
t
F
t
D1
t
D2
15
18
40
40
28
28
48
48
ns
ns
ns
ns
图4-1 ,图4-2
C
L
= 2200 pF的
图4-1 ,图4-2
C
L
= 2200 pF的
图4-1 ,图4-2
图4-1 ,图4-2
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
V
DD
– 0.025
2.2
2.8
4.5
>1.5
0.025
3.0
3.5
V
V
Ω
Ω
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
V
DD
=
18V
(注2 )
占空比
2%, t
300微秒。
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
–1
-5
1.5
1.3
0.8
1
V
DD
+0.3
V
V
A
V
0V
V
IN
V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试,未经生产测试。
2007 Microchip的技术公司
DS22022B_CN第3页
MCP1403/4/5
直流特性(在整个工作温度范围内)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,工作温度范围在4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
开关时间(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 :
2:
I
S
2.0
0.2
3.0
0.3
mA
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
t
R
t
F
t
D1
t
D2
25
25
50
50
40
40
65
65
ns
ns
ns
ns
图4-1 ,图4-2
C
L
= 2200 pF的
图4-1 ,图4-2
C
L
= 2200 pF的
图4-1 ,图4-2
图4-1 ,图4-2
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
V
DD
– 0.025
3.1
3.7
0.025
6.0
7
V
V
Ω
Ω
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
–10
0.8
+10
V
V
A
0V
V
IN
V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试,未经生产测试。
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于4.5V
V
DD
18V.
参数
温度范围
特定网络版温度范围
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻,8引脚6x5 DFN
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻, 16L - SOIC
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
33.2
125
155
155
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
4层JC51-7标准
板,自然对流
典型的四层板
过孔接地层
T
A
T
J
T
A
–40
–65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
DS22022B_CN第4页
2007 Microchip的技术公司
MCP1403/4/5
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ℃, 4.5V
V
DD
18V.
100
90
80
上升时间(纳秒)
70
60
50
40
30
20
10
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压( V)
1800 pF的
6800 pF的
100
90
下降时间(纳秒)
4700 pF的
2200 pF的
6800 pF的
4700 pF的
2200 pF的
80
70
60
50
40
30
20
10
4
6
1800 pF的
8
10
12
14
16
18
电源电压( V)
图2-1:
电压。
80
70
上升时间(纳秒)
上升时间与供应
图2-4:
电压。
100
90
80
下降时间(纳秒)
下降时间与供应
60
50
40
30
20
10
1000
容性负载(PF )
18V
12V
5V
70
60
50
40
30
20
18V
5V
12V
10000
10
1000
容性负载(PF )
10000
图2-2:
负载。
24
22
时间(纳秒)
20
18
16
14
12
-40 -25 -10
5
t
上升
t
秋天
上升时间与电容
图2-5:
负载。
160
传播延迟( NS )
135
110
85
60
t
D2
下降时间 - 容性
C
负载
= 1800 pF的
V
DD
= 12V
C
负载
= 1800 pF的
t
D1
35
20 35 50 65 80 95 110 125
温度(℃)
o
2
3
4
5
6
7
8
9
10
输入幅值( V)
图2-3:
温度。
上升和下降时间与
图2-6:
幅度。
传输延迟与输入
2007 Microchip的技术公司
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