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摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MCM67D709 / D

128K ×9位同步

双I / O快速静态RAM

该MCM67D709是1179648位同步静态随机存取

内存组织成9位131,072的话，使用摩托罗拉的制造

高性能硅栅BiCMOS技术。该器件集成了一个

128K ×9 SRAM核心，先进的外围电路，包括地址

寄存器，两组输入数据寄存器和两组输出锁存器。这

设备具有多个电源引脚，支持提高输出驱动能力。

异步输入包括所述处理器的输出使能（POE ）和

系统的输出使能（SOE）。

的地址输入（ A 0 - A16）是同步的，并且登记在

时钟的下降沿（ K）。写使能（W ），处理器，输入使能（ PIE ）和

系统的输入使能（SIE）被登记在时钟的上升沿（K）。写

到RAM中的自定时。

所有的数据输入/输出， PDQ0 - PDQ7 ， SDQ0 - SDQ7 ， PDQP和SDQP

有通过在时钟的上升沿触发的输入数据寄存器中。这些引脚也

具有三态输出锁存器这期间，高透明

时钟的电平，并在时钟的低电平被锁存。

该器件具有一个特殊的功能，它允许数据通过传递

在任一方向的系统和处理器端口之间的RAM。此流

通过从一个端口和异步输出在数据锁存完成

使其他端口。另外，也可以写入到RAM中，而流。

该MCM67D709的双I / O可以在X9使用独立的I / O应用。

常见的I / O PDQ0 - 7 ， PDQP和SDQ0 - 7 ， SDQP可以为任何处理

输入（ D）或输出（ Q）取决于控制引脚的状态。为了

奉献PDQ0 - 7 ， PDQP作为数据（D）输入端和SDQ0 - 7 ， SDQP为输出

（Q ），搭配SIE和POE高。国有企业变为异步G用于输出。

PIE将需要跟踪W代表适当的读/写操作。

此设备是非常适合用于管线系统和系统具有多个

数据总线和多处理系统，其中，本地处理器具有总线

分离自一个公共系统总线。

采用5 V单

5 ％的电源

八万八千四百一分之八万八千一百一十兼容性： -16/60兆赫， -20/50兆赫

自定时写周期

时钟控制输出锁存器

地址和数据输入寄存器

常见的数据输入和数据输出

双I / O进行单独的处理器和内存总线

单独的输出使能控制三态输出

3.3 V的I / O兼容

高板密度52引脚PLCC封装

可作为独立的I / O SRAM X9

MCM67D709

FN包装

塑料

CASE 778-02

引脚分配

SIE

PIE

国有企业

POE

VCC

VSS

A16

A15

PDQ7

SDQ7

VSS

PDQ5

SDQ5

VCC

PDQ3

SDQ3

VSS

PDQ1

SDQ1

7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47

21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33

A14

A13

A12

A11

A10

VSS

VCC

PDQP

SDQP

VSS

PDQ6

SDQ6

VCC

PDQ4

SDQ4

PDQ2

SDQ2

VSS

PDQ0

SDQ0

引脚名称

A0 - A16 。。。。。。。。。。。。。。。地址输入

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。时钟输入

W的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。写使能

PIE 。。。。。。。。。。。。。处理器输入使能

SIE 。。。。。。。。。。。。。。。系统的输入使能

POE 。。。。。。。。。。处理器输出使能

国有企业。。。。。。。。。。。。。系统输出使能

PDQ0 - PDQ7 。。。。。。。处理器的数据I / O

PDQP 。。。。。。。。。。。处理器，数据校验

SDQ0 - SDQ7 。。。。。。。。。系统的数据I / O

SDQP 。。。。。。。。。。。。。系统数据校验

VCC 。。。。。。。。。。。。。。。 + 5 V电源

VSS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。地

NC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无连接

所有电源和地引脚都必须

连接为正确操作

装置。

REV2

5/95

摩托罗拉公司1994年

摩托罗拉快速SRAM

MCM67D709

框图

PDQ0 - PDQ7 ， PDQP

POE

数据

A0 – A16

128K ×9阵列

写

司机

数据

LATCH

控制

数据

国有企业

SDQ0 - SDQ7 ，

SDQP输出

高-Z

数据输出

高-Z

DATA IN

流数据

DATA IN

流数据

DATA IN

高-Z

流

高-Z

DATA IN

2, 4

2, 5

2, 6

2, 7

SENSE

扩音器

数据

LATCH

PIE

SIE

SDQ0 - SDQ7 ， SDQP

功能真值表

（见注1和2 ）

PIE

SIE

POE

国有企业

模式

读

不适用

写

不适用

内存子系统

周期

处理器读

复制回

双总线读

NOP

处理器写命中

分配

通过写

分配随着流

高速缓存写入禁止

高速缓存禁止阅读

NOP

无效

PDQ0 - PDQ7 ，

PDQP输出

数据输出

高-Z

数据输出

高-Z

DATA IN

高-Z

DATA IN

流数据

DATA IN

流数据

高-Z

DATA IN

流

高-Z

笔记

注意事项：

1. “0”表示输入电压

≤

VIL和一个“1”表示输入电压

≥

VIH 。所有输入必须满足规定的建立和保持时间

对于K的上升沿或下降沿在这个真值表有些条目表示锁存值。控制输入没有其他可能的组合

包括在本注释，或上面的表格不支持，不指定RAM的行为。

2.如果两个IE信号进行采样，低时钟的上升沿，相应的OE是一个不小心，和相应的输出

高阻抗。

3，一种读取周期被定义为一个周期，其中数据是通过在RAM驱动内部数据总线上。

4.不进行内存周期。

5.一个写周期定义为一个周期，其中数据通过一个数据I / O端口（ PDQ0的驱动到内部数据总线 - PDQ7和

PDQP或SDQ0 - SDQ7和SPDQ ），并写入到RAM中。

6.数据驱动内部数据总线上的一个I / O端口，通过它的数据输入寄存器和锁存到其它的数据输出锁存器

I / O端口。

会发生7.数据争用。

MCM67D709

摩托罗拉快速SRAM

绝对最大额定值

（电压参考VSS = 0 V）

等级

电源

电压相对于VSS的任何引脚

除了VCC

输出电流（每个I / O）

功耗

在偏置温度

工作温度

储存温度

符号

VCC

VIN，VOUT

IOUT

Tbias

价值

- 0.5 + 7.0

- 0.5 VCC + 0.5

2.0

- 10至+ 85

0至+70

单位

°C

该器件包含电路保护

输入不受损坏，由于高静电压

年龄或电场;然而，建议

正常的预防措施，以避免

施加任何电压的比马克西更高

妈妈的额定电压，以这种高阻抗

电路。

TSTG

- 55至+ 125

°C

注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备

超标。功能操作应限制推荐

操作条件。暴露于高于推荐电压

长时间可能会影响器件的可靠性。

DC操作条件和特点

（ VCC = 5.0 V

5 ％， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）

推荐工作条件电源电流

（电压参考VSS = 0 V）

参数

电源电压（工作电压范围）

输入高电压

输入低电压

输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）

输出漏电流（ POE ， SOE = VIH ）

交流电源电流（所有输入= VIL或VIH ， VIL = 0.0 V和VIH

≥

3.0 V,

IOUT = 0 mA时，周期时间

≥

tKHKH分钟）

MCM67D709-16 ： tKHKH = 16 ns的

MCM67D709-20 ： tKHKH = 20 ns的

输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）

输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）

符号

VCC

VIH

VIL

ILKG （I）的

ILKG （ O）

ICCA

—

VOL

VOH

—

2.4

280

260

0.4

3.3

民

4.75

2.2

– 0.5*

—

最大

5.25

VCC + 0.3 **

0.8

1.0

单位

* VIL （分钟） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度

≤

20纳秒）为我

≤

20.0毫安。

** VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2.0 V AC（脉冲宽度

≤

20纳秒）为我

≤

20.0毫安。

电容

（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）

参数

输入电容（所有引脚除外的I / O ）

输入/输出电容（ PDQ0 - PDQ7 ， SDQ0 - SDQ7 ， PDQP ， SDQP ）

符号

CIN

COUT

典型值

最大

单位

摩托罗拉快速SRAM

MCM67D709

交流工作条件和特点

（ VCC = 5.0 V

5 ％， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）

输入定时测量参考电平。。。。。。。。。。。。。。。 1.5 V

输入脉冲电平。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 3.0 V

输入上升/下降时间。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3纳秒

输出测量时序水平。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1.5 V

输出负载。。。。。。。。。。。。参见图1A除非另有说明

读周期

（见注1 ）

处理器频率

60兆赫

MCM67D709–16

参数

读周期时钟高到时钟高

时钟低脉冲宽度

时钟高电平脉冲宽度

时钟高到输出有效

时钟（ K）高到输出低Z写入后

从时钟高电平输出保持

建立时间：

PIE

SIE

PIE

SIE

符号

TKHKH

TKLKH

TKHKL

TKHQV

tKHQX1

tKHQX2

tAVKL

tWHKH

tPIEHKH

tSIEHKH

tKLAX

TKHWX

tKHPIEX

tKHSIEX

tPOEHQZ

tSOEHQZ

tPOEHQX

tSOEHQX

tPOELQX

tSOELQX

tPOELQV

tSOELQV

民

—

最大

—

50兆赫

MCM67D709–20

民

—

最大

—

7.5

—

单位

3, 4

笔记

1, 2

保持时间：

—

输出使能高到Q高阻

从输出输出使能保持高

输出使能低到Q活动

输出使能低到输出有效

—

注意事项：

1.读取由W的高定义的建立和保持时间。

2.所有读周期定时从K，国有企业，或POE引用。

3. 必须是在一个较高的水平，输出进行转换。

4.转换测量

500毫伏的稳态电压与图1B的输出负载。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

在任何给定的电压和温度， tPOEHQZ小于tPOELQX对于给定的设备，而tSOEHQZ小于tSOELQX为

给定的设备。

AC SPEC载荷

+5V

RL = 50

产量

Z0 = 50

VL = 1.5 V

产量

255

5 pF的

480

图1A

图1b

MCM67D709

摩托罗拉快速SRAM

读周期

（见注）

TKHKH

TKLKH

tKLAX

tAVKL

A0 – A16

tKHPIEX

tPIEHKH

PIE

tKHSIEX

tSIEHKH

一个+ 1

一个+ 2

TKHKL

SIE

TKHWX

tWHKH

POE

tPOELQV

tPOELQX

国有企业

tPOEHQZ

tPOEHQX

tSOELQV

PDQ0 - PDQ7 ， PDQP

TKHQV

SDQ0 - SDQ7 ， SDQP

tKHQX2

QN + 1

tKHQX1

摩托罗拉快速SRAM

MCM67D709