摩托罗拉
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通过MCM6706BR / D
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MCM6706BR
32K ×8位的静态随机
存取存储器
该MCM6706BR是组织为262,144位静态随机存取存储器
32768字的8位。静态设计，无需外部时钟或
定时选通。
输出使能（ G）是一种特殊的控制功能，提供更高的系统
灵活性和消除了总线争用问题。
该MCM6706BR符合JEDEC标准，并提供了革命性的
引出线300万， 32引脚表面贴装封装SOJ 。
单一5.0 V
±
10 ％的电力供应
全静态 - 无时钟或定时选通必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
快速访问时间： MCM6706BR - 6 = 6纳秒
MCM6706BR - 7 = 7纳秒
MCM6706BR - 8 = 8纳秒
中心电源和I / O引脚的降低了噪音
框图
A
A
A
A
A
A
A
A
A
ROW
解码器
内存
矩阵
512行×64 ×8
柱
VCC
VSS
套餐
300万SOJ
CASE 857-02
引脚分配
A
A
A
A
E
DQ
DQ
VCC
VSS
DQ
DQ
W
A
A
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
NC
A
A
A
G
DQ
DQ
VSS
VCC
DQ
DQ
A
A
A
A
NC
引脚名称
D0
输入
数据
控制
DQ
A
列I / O
列解码器
一。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
DQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
A
A
A
A
A
E
W
G
本文件包含有关正在开发的新产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
REV 1
10/9/96
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉快速SRAM
MCM6706BR
1
真值表
E
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
读
读
写
I / O引脚
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
周期
—
—
读周期
写周期
绝对最大额定值
（见注）
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何引脚
除了VCC
输出电流
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度 - 塑料
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
30
2.0
- 10至+ 85
0至+ 70
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
采取正常的预防措施，以避免应用程序
任何电压的阳离子比最大高
额定电压为这个高阻抗电路。
该内存的BiCMOS电路已经DE-
签署，以满足DC和AC规格
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
TSTG
- 55至+ 125
°C
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.5
2.2
– 0.5
**
典型值
5.0
—
—
最大
5.5
VCC + 0.3
*
0.8
单位
V
V
V
* VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）或I
≤
30.0毫安。
** VIL （分） = - 0.5 V直流@ 30.0毫安; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）或I
≤
30.0毫安。
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（ E = VIH或G = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOH
VOL
民
—
—
2.4
—
最大
±
1.0
±
1.0
—
0.4
单位
A
A
V
V
电源电流
参数
活动交流电源电流（IOUT = 0 mA时， VCC =最大， F = f最大）
AC待机电流（E = VIH ， VCC =最大， F = FMAX ）
CMOS待机电流（ VCC =最大， F = 0兆赫，
E
≥
VCC - 0.2 V ，输入电压
≤
VSS ，或
≥
VCC - 0.2 V ）
符号
ICCA
ISB1
ISB2
–6
215
95
20
–7
205
85
20
–8
195
75
20
单位
mA
mA
mA
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
注意事项：
1.参考交流工作条件和特点进行输入和定时（ VIH / VIL ， TR / TF ，脉冲电平0 3.0V， VIH = 3.0 V） 。
2.所有的地址转换同时低（LSB） ，然后在高（MSB）。
3.数据状态都为零。
MCM6706BR
2
摩托罗拉快速SRAM
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
参数
地址输入电容
控制引脚输入电容（E ，G ， W）
I / O容量
符号
CIN
CIN
COUT
最大
5
6
6
单位
pF
pF
pF
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a
读周期
（见注1和2 ）
6706BR–6
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能低到输出有效
芯片使能高到输出高阻
输出使能低到输出有效
输出使能高到输出高阻
符号
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TEHQZ
TGLQX
TGHQZ
民
6
—
—
—
3
3
—
0
—
最大
—
6
6
4
—
—
3
—
3
6706BR–7
民
7
—
—
—
3
3
—
0
—
最大
—
7
7
4
—
—
3.5
—
3.5
6706BR–8
民
8
—
—
—
3
3
—
0
—
最大
—
8
8
4
—
—
3.5
—
3.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4 ,5, 6
4, 5, 6
4, 5, 6
4, 5, 6
笔记
3
注意事项：
1， W为高读周期。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线
在读写周期竞争的条件。
3.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.在任何给定的电压和温度， tEHQZ最大值< tELQX分钟， tGHQZ最大值< tGLQX分钟，既对于给定的设备和从
设备到设备。
5.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
6.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
7.设备不断选择（E = VIL ，G = VIL） 。
8.地址有效之前或重合为E变低。
时序极限值
+5 V
产量
Z0 = 50
RL = 50
VL = 1.5 V
产量
255
5 pF的
480
定时值的表显示任一
最小或最大极限为每个参
安静。输入要求从指定
视外部系统点。因此， AD-
着装设置时间被示为最小
因为系统必须提供至少是
多的时间。另一方面，响应
从存储器被从DE-指定
副观点。因此，访问时间是
示为最大，因为该设备从未
超过该时间后提供的数据。
(a)
(b)
图1. AC测试负载
摩托罗拉快速SRAM
MCM6706BR
3
写周期1
（W控制，见注1和2 ）
6706BR–6
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写低到数据高阻
写高到输出
活跃
写恢复时间
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tWLWH ，
TWLEH
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tWHAX ALE低
民
6
0
6
6
3
0
—
3
0
最大
—
—
—
—
—
—
3.5
—
—
6706BR–7
民
7
0
7
7
3.5
0
—
3
0
最大
—
—
—
—
—
—
3.5
—
—
6706BR–8
民
8
0
8
8
3.5
0
—
3
0
最大
—
—
—
—
—
—
3.5
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5, 6
4, 5, 6
笔记
3
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线
在读写周期竞争的条件。
3.所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
5.参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.在任何给定的电压和温度， tWLQZ max是< tWHQX分钟都对于给定的设备和从设备到设备。
写周期1
tAVAV
A（地址）
tAVWH
E（ CHIP ENABLE ）
TWLEH
tWLWH
W（写使能）
tAVWL
tWHAX ALE低
tDVWH
数据有效
tWHDX
D（ DATA IN ）
TWLQZ
Q（ DATA OUT ）
高-Z
高-Z
TWHQX
摩托罗拉快速SRAM
MCM6706BR
5
QQ：2881677436 复制
