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摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MCM64AF32 / D

产品预览

MCM64AF32

160–LEAD

卡边

CASE TBD *

顶视图

256K二级异步

高速缓存模块奔腾

该MCM64AF32旨在提供的异步L2高速缓存256K为

奔腾微处理器在英特尔的的Triton芯片组配合使用。该MOD-

乌莱被配置为32K ×64位在一个160引脚的卡缘连接器。该模块

使用八个摩托罗拉3.3伏32K ×8 FSRAMs为高速缓冲存储器， 1摩托罗拉

5伏32K ×8 FSRAM的标记RAM，以及一个上序地址锁存器中。

八写使能提供字节写控制。

PD0 - PD4确定密度和功能。

这个高速缓存模块插头和销与其他成员兼容

摩托罗拉的Triton芯片组模块系列， MCM72JG32SG66 （一个256K字节

流水线BurstRAM模块）和MCM72JG64SG66 （一个512K字节流水线

BurstRAM模块）。

低成本异步解决方案的Triton芯片组

所有缓存数据输入和输出是LVTTL （ 3.3 VI / O）兼容

所有标签I / O是TTL兼容

字节写能力

快速SRAM访问时间： 15 ns的数据RAM和内存标签

去耦电容为每个快速静态RAM和逻辑器件

高品质多层FR4电路板，带独立电源和接地

飞机

160针卡边缘模块

伯恩迪连接器，产品型号： CELP2X80SC3Z48

*请参阅后页进行初步

*请参阅第9章的导言

情况概要。

BurstRAM是摩托罗拉公司的商标。

Pentium是英特尔公司的商标。

本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。

5/95

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉快速SRAM

MCM64AF32

引脚分配

160 - LEAD CARD EDGE模块

顶视图

设备检测表

缓存大小

和

的功能

异步256KB

异步512KB

256K突发

256K管

BURST

512K突发

512K管

BURST

512K 2银行

BURST

模块

MCM64AF32

—

MCM72JG32

—

MCM72JG64

—

PD4

VSS

PD3

VSS

PD2

VSS

PD1

VSS

PD0

VSS

TIO1

TIO7

TIO5

TIO3

（ RSVD ） NC

VCC5

（ RSVD ） NC

（ CADV ） CAA4

VSS

COE

CWE5

CWE7

CWE1

VCC5

CWE3

CAB3

CALE

VSS

（ RSVD ） NC

（A4）的数控

A10

VCC5

A17

VSS

A14

A15

（ RSVD ） NC

PD0

PD2

PD4

VSS

（ CLK0 ） NC

VSS

DQ63

VCC5

DQ61

DQ59

DQ57

VSS

DQ55

DQ53

DQ51

DQ49

VSS

DQ47

DQ45

DQ43

VCC5

DQ41

DQ39

DQ37

VSS

DQ35

DQ33

DQ31

VCC5

DQ29

DQ27

DQ25

VSS

DQ23

DQ21

DQ19

VCC5

DQ17

DQ15

DQ13

VSS

DQ11

DQ9

DQ7

VCC5

DQ5

DQ3

DQ1

VSS

100

101

102

103

104

105

106

107

108

109

110

111

112

113

114

115

116

117

118

119

120

121

122

123

124

125

126

127

128

129

130

131

132

133

134

135

136

137

138

139

140

141

142

143

144

145

146

147

148

149

150

151

152

153

154

155

156

157

158

159

160

VSS

TIO0

TIO2

TIO6

TIO4

NC （ RSVD ）

VCC3

TWE

CAA3 （ CADS ）

VSS

CWE4

CWE6

CWE0

CWE2

VCC3

CAB4 （ CCS）的

NC （ GWE ）

NC （ BWE ）

VSS

数控（A3）的

A11

A16

VCC3

NC （ A18 ）

VSS

A12

A13

NC （ ADSP ）

NC （ CS / ECS1 ）

NC （ ECS2 ）

PD1

PD3

VSS

NC （ CLK1 ）

VSS

DQ62

VCC3

DQ60

DQ58

DQ56

VSS

DQ54

DQ52

DQ50

DQ48

VSS

DQ46

DQ44

DQ42

VCC3

DQ40

DQ38

DQ36

VSS

DQ34

DQ32

DQ30

VCC3

DQ28

DQ26

DQ24

VSS

DQ22

DQ20

DQ18

VCC3

DQ16

DQ14

DQ12

VSS

DQ10

DQ8

DQ6

VCC3

DQ4

DQ2

DQ0

VSS

引脚名称

TIO0 - TIO7 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。标签内存I / O

TWE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。标签写使能

CALE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。地址锁存使能

A5 - A17 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。地址输入

CWE0 - CWE7 。。。。。。。。。。。缓存的写使能

CAA3 -CAA4 。。。。。。。。。。。。。。。。缓存地址

CAB3 - CAB4 。。。。。。。。。。。。。。。缓存地址B

COE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。缓存输出使能

DQ0 - DQ63 。。。。。。。。。。。。。。。。数据输入/输出

PD0 - PD4 。。。。。。。。。。。。。。。。。。设备检测

VCC3 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 3.3 V电源供电

VCC5 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 5.0 V电源

VSS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。地

NC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无连接

对于该设备的正确操作， VSS必须是

连接到地。

注：括号中的信号指示引脚的名称

海卫芯片组模块家族破裂的成员。

MCM64AF32

摩托罗拉快速SRAM

MCM64AF32模块框图

32K ×8

DQ0 - DQ7

A0 – A12

A13 – A14

32K ×8

3.3 V

A0 – A1

A2 – A14

DQ0 - DQ7

32K ×8

3.3 V

A0 – A1

A2 – A14

DQ0 - DQ7

32K ×8

3.3 V

A0 – A1

A2 – A14

DQ0 - DQ7

32K ×8

3.3 V

A0 – A1

A2 – A14

DQ0 - DQ7

32K ×8

3.3 V

A0 – A1

A2 – A14

DQ0 - DQ7

32K ×8

3.3 V

A0 – A1

A2 – A14

DQ0 - DQ7

32K ×8

3.3 V

A0 – A1

A2 – A14

DQ0 - DQ7

32K ×8

3.3 V

A0 – A1

A2 – A14

DQ0 - DQ7

TIO0 - TIO7

CALE

A5 – A17

CAA3 - CAA4

’373

TWE

COE

A18 - 数控

CWE0

DQ0 - DQ7

CWE1

DQ8 - DQ15

CWE2

DQ16 - DQ23

CWE3

DQ24 - DQ31

CAB3 - CAB4

CWE4

DQ32 - DQ39

CWE5

DQ40 - DQ47

PD0 - 数控

PD1

PD2

PD3 - 数控

PD4

CWE6

DQ48 - DQ55

CWE7

DQ56 - DQ63

摩托罗拉快速SRAM

MCM64AF32

引脚说明

160引脚卡边针脚位置

21, 22, 23, 24, 28, 29,

102, 103, 104, 106, 108, 109, 110

9, 89

16, 97

11, 12, 13, 14, 92, 93, 94, 96

—

38, 40, 41, 42, 44, 45, 46, 47, 49, 50, 51,

53, 54, 55, 57, 58, 59, 61, 62, 63, 65, 66,

67, 69, 70, 71, 73, 74, 75, 77, 78, 79,

118, 120, 121, 122, 124, 125, 126, 127,

129, 130, 131, 133, 134, 135, 137, 138,

139, 141, 142, 143, 145, 146, 147, 149,

150, 151, 153, 154, 155, 157, 158, 159

2, 3, 4, 5, 82, 83, 84, 85

符号

A5 – A17

TYPE

输入

描述

地址输入：这些输入锁存到数据RAM和必须的

满足建立和保持时间。标签内存地址不会被锁存。

（见框图）。

缓存地址：低位地址输入，用于爆破。不锁存。

高速缓存地址B：低位地址输入，用于爆破。不锁存。

地址锁存使能：低电平信号锁存A5 - A17 。

缓存数据写入启动：数据RAM的低电平有效写信号。

标签写使能：对于标签的RAM低电平有效写信号。

芯片选择：低有效芯片使能标记和数据RAM中。未使用。

缓存输出使能：异步低电平有效输出使能数据

的RAM 。

数据I / O

CAA3,

CAA4

CAB3,

CAB4

CALE

CWE0 -

CWE7

TWE

COE

DQ0

DQ63

输入

I / O

TIO0 -

TIO7

PD0 -

PD4

VCC3

VCC5

VSS

I / O

标签内存I / O ：

驱动器的数据进行标记时比较周期。

将数据存储到标签中写周期标记RAM 。

设备检测：见设备检测表。

33, 34, 112, 113, 114

7, 15, 25, 39, 52, 60, 68, 76

87, 95, 105, 119, 132, 140, 148, 156

1, 10, 19, 27, 35, 37, 43, 48, 56, 64,

72, 80, 81, 90, 99, 107, 115, 117,

123, 128, 136, 144, 152, 160

6, 17, 18, 20, 26, 30, 31, 32, 36,

86, 88, 100, 101, 111, 116

供应

电源： 3.3 V

5%.

电源： 5.0 V

5%.

地

—

无连接：有到模块的连接。

MCM64AF32

摩托罗拉快速SRAM

真值表标签和数据的RAM

（ X =无关）

COE

CWE

模式

输出禁用

读

写

VCC电流

ICCA

产量

高-Z

DOUT

高-Z

周期

—

读周期

写周期

绝对最大额定值

等级

电源电压

电压相对于VSS

输出电流（每个I / O）

在偏置温度

工作温度

储存温度 - 塑料

对于标签

对于数据

符号

VCC5

VCC3

VIN，VOUT

IOUT

Tbias

TSTG

价值

- 0.5 + 7.0

- 0.5 + 5.0

- 0.5至VCC

+ 0.5*

- 10至+ 85

0至+ 70

- 55至+ 125

单位

°C

该器件包含电路保护

输入不受损坏，由于高静电压

年龄或电场;然而，建议

正常的预防措施，以避免

施加任何电压的比马克西更高

妈妈的额定电压，以这种高阻抗

电路。

该CMOS存储器电路已经DE-

签署，以满足DC和AC规格

表中所示，热平衡后

已经建立。该电路是在一个测试

插座或安装在印刷电路板

和横向的空气至少500线性的流

每分钟英尺得以保持。

*对于数据的RAM ， VCC + 2.0 V交流到VSS - 2.0 V AC（脉冲宽度

20纳秒）。

注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备

超标。功能操作应仅限于推荐能操作

阿婷条件。曝光为前高于推荐电压

时间段往往会影响器件的可靠性。

DC操作条件和特点

（ VCC3 = 3.3 V

5 ％， VCC5 = 5.0 V

5 ％， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）

推荐工作条件

（电压参考VSS = 0 V）

参数

电源电压（工作电压范围）

输入高电压

输入低电压

TAG RAM

数据RAM和锁存器

符号

VCC

VIH

VIL

民

4.75

3.135

2.2

– 0.5

典型值

5.0

3.3

—

0.0

最大

5.25

3.465

VCC + 0.3

0.8

单位

*对于标签， VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2.0 V AC（脉冲宽度

≤

20纳秒）。

对于数据， VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2.0 V AC（脉冲宽度

≤

10％ tAVAV （分钟））。

**对于标签， VIL （分） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度

≤

20纳秒）。

对于数据， VIL （分） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度

≤

10％ tAVAV （分钟））。

DC特性

参数

输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）

输出漏电流（ COE = VIH时，VOUT = 0 VCC ）

TTL输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）

TTL输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）

CMOS输出低电压（ IOL = 100

CMOS输出高电压（ IOH = - 100

注：注：当地的电源良好的去耦要经常使用。

符号

ILKG （I）的

ILKG （ O）

VOL

VOH

VOL2

VOH2

民

—

2.4

—

VCC - 0.1

最大

0.4

—

0.1

—

单位

电源电流

参数

活动交流电源电流（IOUT = 0 mA时， VCC =最大， F = f最大）

符号

ICCA

最大

780

单位

摩托罗拉快速SRAM

MCM64AF32