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飞思卡尔半导体公司
半导体技术资料
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通过MCM63R836 / D
8M晚写HSTL
该MCM63R836 / 918是一个8M位同步后期写的快速静态RAM
旨在提供高性能的二级高速缓存和ATM交换机，
电信和其他高速内存的应用程序。该MCM63R918
（由18位组织为512K字）和MCM63R836 （组织为256K
字由36位）被制造在摩托罗拉的高性能硅栅
CMOS技术。
差分时钟（CK）的输入控制的读/写操作的时序
RAM中。在CK的上升沿;所有的地址，写使能和同步
选择注册。内部缓冲区和特殊的逻辑使内存
接受写数据CK的上升沿，一个周期的地址和控制后
信号。读出的数据也被驱动上CK的上升沿。
该内存采用HSTL输入和输出。可调整的输入跳变点（VREF ）
和输出电压（ V DDQ ）给出了在系统设计具有更大的灵活性
优化系统性能。
同步写入和字节使能允许写入单个字节或
整个单词。
输出缓冲器的阻抗是可编程的，允许输出到
匹配的电路走线可以减少信号反射的阻抗。
字节写控制
2.5 V - 5 ％至3.3 V + 10 ％工作
HSTL - I / O （ JEDEC标准JESD8-6 I级兼容）
HSTL - 用户可选的输入跳变点
HSTL - 兼容可编程阻抗输出驱动器
注册登记同步操作
边界扫描（ JTAG ） IEEE 1149.1兼容
差分时钟输入
可选的X18或X36组织
MCM63R836 / 918-3.0 = 3.0纳秒
MCM63R836 / 918-3.3 = 3.3纳秒
MCM63R836 / 918-3.7 = 3.7纳秒
MCM63R836 / 918-4.0 = 4.0纳秒
休眠模式下的操作（ ZZ引脚）
119焊球， 50密耳（1.27 MM）间距14毫米× 22毫米翻转芯片塑料
球栅阵列（ PBGA ）
MCM63R836
MCM63R918
FC封装
PBGA
CASE 999D -01
飞思卡尔半导体公司...
REV 1
10/12/00
摩托罗拉公司2000
摩托罗拉快速SRAM
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MCM63R836MCM63R918
1
飞思卡尔半导体公司
MCM63R836引脚说明
引脚位置
4K
4L
（一） 6K ， 7K ， 6L ， 7L ， 6M ， 6N ， 7N ， 6P ， 7P
（二） 6D ，7D， 6E ，7E， 6F ，6G ， 7G ，6H ，7H
（三） 1D， 2D ， 1E ， 2E ， 2F ， 1G ， 2G ， 1H ， 2H
（四） 1K，2K ， 1L，2L ，2M， 1N ，2N ， 1P ，2P
4F
图2A ，3A， 5A，6A ，3B， 5B ，6B， 2C ，3C，
图5C ，6C， 4N， 4P ，2R， 6R， 3T，4T， 5T
5L ，5G ，3G， 3L
（一） ， （二） ， （三） ， （四）
4E
4M
4U
3U
5U
2U
4D
7T
如图4C所示， 2J ， 4J ， 6J ，4R，5R
1A ，7A ， 1F ， 7F ， 1J ， 7J ， 1M ， 7M ， 1U ， 7U
3J, 5J
3D ，5D， 3E ，5E ，3F ， 5F ，3H，5H ，
3K ， 5K ， 3M ， 5M ， 3N ， 5N ， 3P ， 5P ， 3R
图4A ，图1B， 2B ，4B ，7B， 1C ，7C
4G ，4H， 1R ，7R， 1T ，2T， 6T， 6U
符号
CK
CK
DQX
TYPE
输入
输入
I / O
描述
地址，数据和控制输入寄存器时钟。高电平有效。
地址，数据和控制输入寄存器时钟。低电平有效。
同步数据的I / O 。
G
SA
SBX
输入
输入
输入
不支持输出使能功能。必须连接到VSS或
驱动
≤
VIL最大值。
同步地址输入：注册在时钟的上升沿。
同步字节写使能：允许写入字节x在
与SW输入一起使用。对读周期没有影响，活性
低。
同步芯片使能：公司注册在时钟的上升沿，
低电平有效。
同步写：注册在时钟的上升沿，低电平有效。
将所有启用的字节。
测试时钟（ JTAG） 。
测试数据（ JTAG ） 。
测试数据输出（ JTAG ） 。
测试模式选择（ JTAG ） 。
可编程输出阻抗：编程引脚。
启用休眠模式，高电平有效。
核心供电。
输出电源：提供工作电源的输出缓冲器。
输入参考：提供参考电压输入缓冲器。
地面上。
无连接：有芯片的连接。
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SS
SW
TCK
TDI
TDO
TMS
ZQ
ZZ
VDD
VDDQ
VREF
VSS
NC
输入
输入
输入
输入
产量
输入
输入
输入
供应
供应
供应
供应
—
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MCM63R836MCM63R918
3
飞思卡尔半导体公司
MCM63R918引脚说明
引脚位置
4K
4L
（一） 6D ， 7E ， 6F ， 7G ， 6H ， 7K ， 6L ， 6N ， 7P
（二） 1D ，2E， 2G， 1H， 2K， 1L ，2M， 1N ，2P
4F
图2A ，3A， 5A，6A ，3B ，5B， 6B ，2C， 3C ，5C，
如图6C所示， 4N， 4P ，2R， 6R， 2T，3T， 5T， 6T
5L ， 3G
（一） ， （二）
4E
符号
CK
CK
DQX
G
SA
SBX
TYPE
输入
输入
I / O
输入
输入
输入
描述
地址，数据和控制输入寄存器时钟。高电平有效。
地址，数据和控制输入寄存器时钟。低电平有效。
同步数据的I / O 。
不支持输出使能功能。必须连接到VSS或
驱动
≤
VIL最大值。
同步地址输入：注册在时钟的上升沿。
同步字节写使能：允许写入字节x在
与SW输入一起使用。对读周期没有影响，活性
低。
同步芯片使能：公司注册在时钟的上升沿，
低电平有效。
同步写：注册在时钟的上升沿，低电平有效。
将所有启用的字节。
测试时钟（ JTAG） 。
测试数据（ JTAG ） 。
测试数据输出（ JTAG ） 。
测试模式选择（ JTAG ） 。
可编程输出阻抗：编程引脚。
启用休眠模式，高电平有效。
核心供电。
输出电源：提供工作电源的输出缓冲器。
输入参考：提供参考电压输入缓冲器。
地面上。
无连接：有芯片的连接。
SS
SW
TCK
TDI
TDO
TMS
ZQ
ZZ
VDD
VDDQ
VREF
VSS
NC
输入
输入
输入
输入
产量
输入
输入
输入
供应
供应
供应
供应
—
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4M
4U
3U
5U
2U
4D
7T
如图4C所示， 2J ， 4J ， 6J ，4R，5R
1A ，7A ， 1F ， 7F ， 1J ， 7J ， 1M ， 7M ， 1U ， 7U
3J, 5J
3D ，5D， 3E ，5E ，3F ， 5F ，5G， 3H， 5H，
3K ， 5K ， 3L ， 3M ， 5M ， 3N ， 5N ， 3P ， 5P ， 3R
图4A ，图1B， 2B ，4B ，7B， 1C ，7C
2D ，7D， 1E，6E ，2F ，1G ，4G， 6G，
2H， 4H， 7H， 1K ，6K， 2L， 7L ，6M， 2N，
7N ， 1P ， 6P ，1R ，7R ，1T， 4T， 6U
MCM63R836MCM63R918
4
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绝对最大额定值
（参考VSS电压，见注）
等级
核心供电电压
输出电源电压
任一引脚电压以外的JTAG
电压的任何引脚JTAG
输入电流（每个I / O）
输出电流（每个I / O）
工作温度
在偏置温度
储存温度
符号
VDD
VDDQ
VIN
VJTAG
IIN
IOUT
TA
Tbias
TSTG
价值
-0.5到3.9
-0.5 2.5
-0.5 2.5
-0.5到3.9
±50
±25
0到70
-10到85
-55至125
单位
V
V
V
V
mA
mA
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，它是表示
要采取正常的预防措施，以避免应用
超过最大额定更高的任何电压和灰
电压为这个高阻抗电路。
该CMOS存储器电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示，热平衡后
已经建立。
此装置包含电路，该电路将保证
所述输出设备是在高Z在加电时。
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注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
PBGA封装热特性
等级
结到环境（静止空气中）
结到环境（为200英尺/分钟）
结到环境（为200英尺/分钟）
结对板（下）
结到外壳（顶部）
单层板
四层板
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJB
R
θJC
最大
50
39
27
23
1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1, 2
1, 2
3
4
5
注意事项：
1.结温是在芯片功耗的功能，封装热阻，安装位置（板）温度，环境
温度，空气流量，其他部件的电路板上功耗和电路板的热阻。
2.每SEMI G38-87 。
3.用一个四层测试板具有两个内部平面测量。
4.表示模具和印刷电路板之间的平均热电阻作为由环冷板的方法测定。
5.指示如通过冷板的方法（MIL SPEC- 883测得的模头和壳体顶面之间的平均热电阻
方法1012.1 ） 。
时钟真值表
K
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
X
ZZ
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
SS
L
L
L
L
L
L
L
H
H
X
SW
H
L
L
L
L
L
L
H
L
X
SBA
X
L
H
H
H
L
H
X
X
X
SBB
X
H
L
H
H
L
H
X
X
X
SBC
X
H
H
L
H
L
H
X
X
X
SBD
X
H
H
H
L
L
H
X
X
X
DQ （N ）
X
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
X
高-Z
高-Z
DQ的第（n + 1）
DOUT 0 - 35
嚣0 - 8
嚣9 - 17
嚣18 - 26
嚣27 - 35
嚣0 - 35
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
模式
读周期的所有字节
写周期第1个字节
写周期第2字节
写周期第3个字节
写周期第4个字节
写周期的所有字节
中止写周期
取消选择周期
取消选择周期
睡眠模式
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MCM63R836MCM63R918
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