摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM321024 / D
超前信息
MCM321024
引脚分配
顶视图
72 LEAD SIMM - CASE待定
NC
PD3
PD0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W
A14
E1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
NC
PD2
VSS
PD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
A15
E2
1M ×32位
快速静态RAM模块
该MCM321024是一个32M位的静态随机存取存储器模块奥尔加
认列的32位1,048,576字。该模块在线72主打单曲
内存模块（ SIMM ） ，由8个MCM6249快速静态RAM封装
年龄在32引脚SOJ封装和安装在沿着与印刷电路板
16去耦电容。
该MCM6249是快速静态RAM被组织为高性能CMOS
1048576字的4位。静态设计，无需外部时钟
或定时选通，而CMOS电路降低功耗和亲
志愿组织提供更高的可靠性。
该MCM321024配备输出使能（G
)
四个单独的字节
使能（ E1 - E4 ）的投入，从而实现更高的系统灵活性。对G的输入，当
高时，将迫使输出端为高阻抗。恩高会做相同的字节x 。
PD0 - PD3是为密度标识保留。 PD0和PD2连接
到地面。这些引脚能用于识别所述存储器模块的密度。
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
快速访问时间： 20/25 NS
三态输出
完全兼容TTL
JEDEC标准引脚
电源需求：一千四分之一千五百二十mA最大，交流活动
高板密度SIMM套餐
字节操作：四个单独的芯片启用，每个字节（8位）
高品质的六层FR4印刷电路板，具有独立的内在动力与
地平面
结合国家的最先进的摩托罗拉快速静态RAM
E3
A16
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
E4
A17
G
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
VCC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
A18
NC
引脚名称
A0 - A19 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
E1 - E4 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。字节使能
DQ0 - DQ31 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
PD0 - PD3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。封装密度
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
对于该设备的正确操作时，VSS必须连接
到地面。
DQ22
DQ23
VSS
A19
NC
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
REV 1
11/15/96
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉快速SRAM
MCM321024
1
真值表
Ex
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
读
读
写
VCC电流
ISB1和ISB2
ICCA
ICCA
ICCA
产量
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
周期
—
—
读周期
写周期
绝对最大额定值
（电压参考VSS = 0 V）
等级
电源电压
电压相对于VSS
输出电流（每个I / O）
功耗
在偏置温度
工作温度
存储temperatrue
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
30
8.0
- 10至+ 85
0至+ 70
- 25 + 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该模块的器件包含
以保护输入对造成的损害
高静态电压或电场;不过，
它是表示，正常的预防措施，
避免应用任何电压高于
最大额定电压为这些高阻抗
ANCE电路。
这些CMOS存储器电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示，热平衡后
已经建立。该模块是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和横向的空气至少500线性的流
每分钟英尺得以保持。
注：永久性设备损坏，如果绝对最大额定值是EX-可能发生
超过容许。功能操作应仅限于推荐OPERAT-
ING条件。暴露于高于扩展电压推荐
的时间段可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
（电压参考VSS = 0 V）
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
* VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）
** VIL （分钟） = - 3.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.5
2.2
– 0.5**
典型值
5.0
—
—
最大
5.5
VCC + 0.3 *
0.8
单位
V
V
V
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（G ，防爆= VIH时，VOUT = 0 VCC ）
活动交流电源电流（G ，防爆= VIL ， IOUT = 0毫安， MCM321024-20 ： tAVAV = 20纳秒
周期
≥
tAVAV分钟）
MCM321024-25 ： tAVAV = 25纳秒
AC待机电流（防爆= VIH ，循环时间
≥
tAVAV分钟）
CMOS待机电流（防爆
≥
VCC - 0.2 V ，所有输入
≥
VCC - 0.2 V或
≤
0.2 V)
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
注：当地的电源良好的去耦要经常使用。
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
ICCA
ISB1
ISB2
VOL
VOH
民
—
—
—
—
—
—
—
2.4
典型值
—
—
1440
1320
400
80
—
—
最大
±
8
±
8
1520
1400
480
120
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
特征
输入电容
（除DQ0所有引脚 - DQ31 ，W ，G ，和E1 - E4 ）
E1 – E4
W ，G
（ DQ0 - DQ31 ）
符号
CIN
典型值
32
10
40
8
最大
48
14
64
9
单位
pF
输入/输出电容
COUT
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM321024
3
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a除非另有说明
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3纳秒
读周期时序
（见注1和2 ）
MCM321024–20
参数
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
输出使能输出活跃
能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
电时间
关机时间
符号
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
tELICCH
tEHICCL
民
20
—
—
—
5
5
0
0
0
0
—
最大
—
20
20
7
—
—
—
9
9
—
20
MCM321024–25
民
25
—
—
—
5
5
0
0
0
0
—
最大
—
25
25
9
—
—
—
10
10
—
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5,6
4,5,6
4,5,6
4,5,6
笔记
3
注意事项：
1， W为高读周期。
2. E1 - E4是通过电子邮件的这些时序规格为代表， EXS的任意组合，可以断言。
3.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.在任何给定的电压和温度， tEHQZ max小于tELQX分钟， tGHQZ max小于tGLQX分钟，既对于给定的
设备和从设备到设备。
5.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。
6.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
7.设备不断选择（E = VIL ，G = VIL） 。见读周期1 。
时序极限值
+5V
RL = 50
产量
Z0 = 50
VL = 1.5 V
产量
255
5 pF的
480
定时值的表显示任一
最小或最大极限为每个参
安静。输入要求从指定
视外部系统点。因此， AD-
着装设置时间被示为最小
因为系统必须提供至少是
多的时间。另一方面，响应
从存储器被从DE-指定
副观点。因此，访问时间是
示为最大，因为该设备从未
超过该时间后提供的数据。
(a)
(b)
图1.测试负载
MCM321024
4
摩托罗拉快速SRAM
QQ：2881677436 复制
