摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMBR941LT1 / D
射频线
NPN硅
低噪声，高频
晶体管
设计用于高增益，低噪声小信号放大器。本系列
具有优良的宽带线性度和提供各种封装形式。
完全植入基极和发射结构
9手指， 1.25微米几何与金色金属顶
黄金烧结背面金属
可在磁带和卷轴包装选项：
T1后缀= 3000单位每卷
T3后缀= 10,000单位每卷
IC = 50毫安
低噪音
高频率
晶体管
MMBR941
MRF947
MRF9411
系列
CASE 318-08 ，风格6
SOT–23
低调
MMBR941LT1 ，T3 MMBR941BLT1
CASE 419-02 ，花柱3
MRF947AT1 ， MRF947BT1 ，
MRF947T1 ， T3
CASE 318A -05 ，风格1
SOT–143
低调
MRF9411LT1
第9版
摩托罗拉RF
摩托罗拉1997年公司
设备数据
MMBR941 MRF947 MRF9411系列
2–1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
功率耗散（ 1 ） TC = 75℃
线性降额以上温度上限= 75℃ @
连续集电极电流 - （ 2 ）
最高结温
储存温度
热阻，
结到外壳
符号
VCEO
VCBO
VEBO
PDMAX
IC
TJMAX
TSTG
R
θJC
MMBR941LT1 ， T3
10
20
1.5
0.25
3.33
50
150
- 55 + 150
300
MRF9411LT1
10
20
1.5
0.25
3.33
50
150
- 55 + 150
300
MRF947系列
10
20
1.5
0.188
2.5
50
150
- 55 + 150
400
单位
VDC
VDC
VDC
瓦
毫瓦/°C的
mA
°C
°C
° C / W
器件标识
MMBR941LT1 = 7Y
MRF9411LT1 = 10
MMBR941BLT1 = 7N
MRF947AT1 = G
MRF947T1 ， T3 = A
MRF947BT1 = H
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
(3)
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 0.1 mA时， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（IC = 0.1毫安，IE = 0）
发射Cuto FF电流
（VEB = 1.0 V时， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 10V ， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
所有
V（ BR ） CBO
所有
IEBO
所有
ICBO
所有
—
—
0.1
μAdc
—
—
0.1
μAdc
20
23
—
VDC
10
12
—
VDC
基本特征
(3)
直流电流增益
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA）的（ MMBR941LT1 ， MRF9411LT1 ）
(MMBR941BLT1)
直流电流增益（ VCE = 1.0 V， IC = 500
A)
直流电流增益
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA）的
MRF947T1 ， MRF947BT1
MRF947T1 ， T3
MRF947AT1
MRF947BT1
的hFE
50
100
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
50
50
75
100
—
—
—
—
—
—
200
200
—
—
150
200
—
—
—
动态特性
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
电流增益 - 带宽积
（ VCE = 6.0 V， IC = 15 mA时， F = 1.0千兆赫）
建行
所有
fT
所有
—
8.0
—
GHz的
—
0.35
—
pF
注意：
1.为了计算结温TJ使用= PD个R
θJC
+ TCASE 。情况下测量的集电极引线紧邻
车身套件。
2. IC - 连续（ MTBF
≈
10年）。
3.脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2％的脉冲。
MMBR941 MRF947 MRF9411系列
2–2
摩托罗拉RF设备数据
性能特点
条件
插入增益
（ VCE = 6.0 V， IC = 15 mA时， F = 1.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 15 mA时， F = 2.0千兆赫）
最大单向增益（ 1 ）
（ VCE = 6.0 V， IC = 15 mA时， F = 1.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 15 mA时， F = 2.0千兆赫）
噪声系数 - 最小（图9 ）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 1.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 2.0千兆赫）
在最小的NF相关增益（图9）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 1.0千兆赫）
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 2.0千兆赫）
噪声系数 - 50欧姆源
（ VCE = 6.0 V， IC = 5.0 mA时， F = 1.0千兆赫）
注意：
1.最大单向增益是GUmax =
符号
|S21|2
—
—
GU最大
—
—
NFmin
—
—
GNF
—
—
NF50
|S21|2
(1
–
|S11|2)(1
–
|S22|2)
—
15
9.5
1.9
—
—
2.8
—
—
—
14
8.5
1.9
—
—
2.8
—
—
—
14
10
1.9
—
—
2.8
dB
1.5
2.1
—
—
—
—
1.5
2.1
—
—
—
—
1.5
2.1
—
—
dB
18
12
—
—
—
—
16
10
—
—
—
—
14.8
11.6
—
—
dB
16
10
—
—
—
—
14
8.0
—
—
—
—
14
10.8
—
—
dB
MRF9411LT1
民
典型值
最大
MMBR941LT1 ， T3
民
典型值
最大
MRF947系列
民
典型值
最大
单位
dB
典型特征
MMBR941LT1 ， T3 ; MMBR941BLT1 ; MRF9411LT1 ; MRF9411BLT1
1
0.7
建行，电容（pF ）
的hFE ， DC电流增益
0.5
300
200
100
70
50
30
20
10
1
2
3
5
7 10
20 30
IC ，集电极电流（毫安）
50 70
100
VCE = 6 V
0.3
F = 1 MHz的
0.2
0.1
1
2
3
5
VCB ，反向电压（V ）
7
10
图1.集电极 - 基极电容
与电压
12
F T ，增益带宽积（千兆赫）
10
8
6
4
2
0
VCE = 6 V
F = 1 GHz的
1
2
3
5
7
10
20
30
50 70
100
24
20
16
图2.直流电流增益随
集电极电流
| S 21 | 2 ，插入增益（dB ）
MRF9411LT1
12
8
4
0
VCE = 6 V
F = 1 GHz的
1
2
3
5
7
10
20
30
50 70
100
MMBR941LT1 ， T3
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图3.增益带宽积与
集电极电流
图4.插入增益与集电极电流
摩托罗拉RF设备数据
MMBR941 MRF947 MRF9411系列
2–3
QQ：2881677436 复制
