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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1652页 > MC74VHCXXXXDT
ON Semiconductort
四路模拟开关/
复用器/解复用器
MC74VHC4066
高性能硅栅CMOS
该MC74VHC4066利用硅栅CMOS技术
实现快速的传播延迟,低导通电阻和低
F F
c
H A N N 左
泄漏
电流。
双边
开关/多路复用器/多路分用器控制模拟和数字电压
在整个电源电压范围可能有所不同(从V
CC
到GND) 。
该VHC4066是相同的引出线与金属栅CMOS
MC14066和高速CMOS HC4066A 。每个器件有四个
独立开关。该设备已被设计成使得所述开
电阻(R
ON
)更为线性的输入电压除R
ON
的金属栅CMOS模拟开关。
的ON / OFF控制输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻,它们与LSTTL兼容
输出。对于模拟开关与电压电平转换器,请参阅
VHC4316.
快速交换和传播速度
高ON / OFF输出电压比
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
宽电源电压范围(V
CC
GND )= 2.0至12.0伏
模拟输入电压范围(V
CC
GND )= 2.0至12.0伏
改进的线性度和低导通电阻比输入电压
比MC14016或MC14066
低噪音
芯片的复杂性: 44场效应管或11个等效门
后缀
14引脚SOIC封装
CASE 751A -03
DT后缀
14引脚TSSOP封装
CASE 948G -01
订购信息
MC74VHCXXXXD
MC74VHCXXXXDT
SOIC
TSSOP
引脚分配
X
A
Y
A
Y
B
X
B
B ON / OFF
控制
C ON / OFF
控制
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
A ON / OFF
控制
D ON / OFF
控制
X
D
Y
D
Y
C
X
C
w
这些器件采用无铅封装( S)提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站:
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号,或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
功能表
对/ O FF控制
输入
L
H
态的
模拟开关
关闭
On
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月,
启5
1
出版订单号:
MC74VHC4066/D
X
A
A ON / OFF控制
X
B
B ON / OFF控制
X
C
C ON / OFF控制
X
D
D ON / OFF控制
1
13
4
5
8
6
11
12
2
Y
A
3
Y
B
类似物
输出/输入
9
Y
C
10
Y
D
模拟输入/输出= X
A
, X
B
, X
C
, X
D
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
符号
V
CC
V
IS
V
in
I
P
D
参数
价值
单位
V
V
V
正直流电源电压(参考GND)
模拟输入电压(参考GND)
数字输入电压(参考GND)
直流电流流入或流出的任何引脚
功率消耗在静止空气中,
储存温度
- 0.5 + 14.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±
25
500
450
mA
SOIC封装
TSSOP封装
mW
_C
_C
T
英镑
- 65至+ 150
T
L
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
260
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装:
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
图1.逻辑图
最大额定值*
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
in
T
A
参数
2.0
最大
V
CC
V
CC
1.2
单位
V
V
V
V
正直流电源电压(参考GND)
模拟输入电压(参考GND)
数字输入电压(参考GND)
在开关的静态或动态电压
12.0
GND
GND
– 55
V
IO
*
t
r
, t
f
工作温度,所有封装类型
+ 125
_C
输入上升和下降时间,ON / OFF控制
ns
输入端(图14)
V
CC
= 2.0 V
0
1000
V
CC
= 3.0 V
0
600
V
CC
= 4.5 V
0
500
V
CC
= 9.0 V
0
400
0
250
V
CC
= 12.0 V
*对于两端的电压,交换机将丢弃大于1.2 V(开关) ,过度V
CC
电流可能
绘制;即,电流从开关可同时含有V
CC
和切换输入
组件。该设备的可靠性将受到影响,除非最大额定值是
超标。
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2
在电源电压(V
CC
)上的开关电阻接近3V的模拟变得极为非线性的。因此,对于低电压
操作中,建议这些设备只被用于控制数字信号。
DC电气特性
模拟部分(电压参考GND)
DC电气特性
数字部分(电压参考GND)
符号
符号
ΔR
on
R
on
V
IH
I
CC
V
IL
I
on
I
关闭
I
in
最大导通通道
泄漏
当前,任何一个频道
最大断通道
泄漏
当前,任何一个频道
在“ON”的最大区别
任意两点间的电阻
通道在同一个包
最大“开”电阻
最大静态电源
电流(每包)
最大输入漏
当前
ON / OFF控制输入
最大低电平电压
ON / OFF控制输入
最小高电平电压
ON / OFF控制输入
参数
参数
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND
(图)( TAG )
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
或GND (端点)
I
S
v
2.0毫安
(图2至图7)
V
in
= V
IH
V
IS
= V
CC
到GND
I
S
v
2.0毫安
(图2至图7)
V
in
= V
IL
V
IO
= V
CC
或GND
开关关闭(图)( TAG )
V
in
= V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
GND )
I
S
v
2.0毫安
V
in
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
V
in
= V
CC
或GND
R
on
=每规格
R
on
=每规格
测试条件
测试条件
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2.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
6.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
12.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
12.0
V
CC
V
V
CC
V
- 55
25_C
- 55
25_C
±
0.1
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
120
70
70
0.1
0.1
20
15
15
70
50
30
2
4
保证限额
保证限额
v
85_C
v
85_C
±
1.0
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
160
85
85
0.5
0.5
20
40
25
20
20
85
60
60
v
125_C
v
125_C
±
1.0
0.5
0.9
1.35
2.7
3.6
1.5
2.1
3.15
6.3
8.4
100
80
80
200
100
100
40
160
1.0
1.0
30
25
25
单位
单位
μA
μA
μA
μA
Ω
Ω
V
V
3
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的,ON / OFF控制输入:吨
r
= t
f
= 6纳秒)
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
PZL
,
t
PZH
t
PLZ
,
t
PHZ
C
PD
C
功率耗散电容(每开关) (图17) *
最大电容
最大传输延迟,ON / OFF控制到模拟输出
(图14和15)的
最大传输延迟,ON / OFF控制到模拟输出
(图14和15)的
最大传输延迟,模拟输入到模拟输出
(图18和图13)
参数
ON / OFF控制输入
控制输入= GND
模拟量I / O
穿心
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
2.0
3.0
4.5
9.0
12.0
V
CC
V
- 55
25_C
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
35
1.0
10
80
45
20
20
20
80
60
20
20
20
40
30
5
5
5
保证限额
v
85_C
35
1.0
10
90
50
25
25
25
90
70
25
25
25
50
40
7
7
7
15
v
125_C
100
60
30
30
30
110
80
35
35
35
35
1.0
10
60
50
8
8
8
单位
pF
pF
ns
ns
ns
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
.
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4
额外的应用特性
(电压参考GND除非另有说明)
RON @ 2 V
符号
BW
参数
测试条件
V
CC
V
限制*
25_C
74HC
150
160
160
单位
最大导通通道带宽或
最低频率响应
(图)( TAG )
f
in
= 1 MHz的正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
OS
增加F
in
频率,直到分贝仪读取
- 3分贝
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 10 pF的
f
in

正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫,R
L
= 600
Ω,
C
L
= 50 pF的
f
in
= 1.0兆赫,R
L
= 50
Ω,
C
L
= 10 pF的
4.5
9.0
12.0
兆赫
关通道穿心隔离
(图)( TAG )
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
4.5
9.0
12.0
50
50
50
40
40
40
60
130
200
30
65
100
dB
穿心噪声,以控制
开关
(图)( TAG )
V
in
v
1 MHz的方波(T
r
= t
f
= 6纳秒)
调整R
L
在安装程序,这样我
S
= 0 A
R
L
= 600
Ω,
C
L
= 50 pF的
R
L
= 10 kΩ的,C
L
= 10 pF的
mV
PP
任意两点间的串扰
开关
(图16)
f
in

正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫,R
L
= 600
Ω,
C
L
= 50 pF的
f
in
= 1.0兆赫,R
L
= 50
Ω,
C
L
= 10 pF的
– 70
– 70
– 70
– 80
– 80
– 80
dB
f
in
= 1千赫,R
L
= 10 kΩ的,C
L
= 50 pF的
总谐波失真THD =
THD
来源
V
IS
= 4.0 V
PP
正弦波
V
IS
= 8.0 V
PP
正弦波
V
IS
= 11.0 V
PP
正弦波
*未经测试,保证极限。由设计决定,并经资格验证。
THD
总谐波失真
(图20)
%
4.5
9.0
12.0
0.10
0.06
0.04
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
+25
_C
+125_C
55_C
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
V
is
,输入电压(伏) ,以地为参考
图2.典型导通电阻,V
CC
= 2.0 V
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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