MC10H646 , MC100H646
PECL / TTL - TTL 1 : 8的时钟
分布芯片
描述
该MC10H / 100H646是单电源供电,低偏移翻译1 : 8
时钟驱动器。在安森美半导体H646翻译系列设备
采用28引脚PLCC最佳功率穿针,信号流
通过和电气性能。它采用单电源H646相似
到H643 ,这是一种双电源1:8的版本的功能相同的。
在H646是专门为驱动系列终止
传输线。特殊的技术被用来匹配的高
和低输出阻抗约7.0
W.
这简化了
选择终端电阻的一系列应用程序终止。对
匹配的高,低输出阻抗,因此有必要
除去标准I
OS
限流电阻。其结果是,用户应该
小心防止输出短路到地的部分将是
永久损坏。
在H646设备满足所有的需求驱动
60 MHz和66 MHz的英特尔奔腾微处理器。该装置具有
没有PLL元件,这极大地简化了其实施成
数字化设计。八个拷贝时钟允许
点至点的时钟分配,以简化电路板布局和
优化的信号完整性。
在H646提供差分PECL输入,拿起LOW
从背板倾斜PECL时钟,并将其分配给TTL负载
在子板。当在结合使用
MC10 / 100E111 ,极低歪斜,很宽的时钟树可以
设计的。此外,一个TTL电平的时钟输入被提供用于
灵活性。请注意,只有一个输入可以在一个用来
芯片。对于正确的操作,未使用的输入引脚应悬空。
输出使能引脚强制输出为高阻抗
当逻辑0施加状态。
在H646的输出缓冲器可驱动两个串联端接,
50
W
传输线的每个。这种能力使得H646驱动
多达16个不同的点对点时钟负载。参阅
在这方面更详细的讨论的应用程序部分。
该10H版本与MECL 10H ECL逻辑电平兼容。
在100H的版本是100K电平兼容。
特点
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PLCC28
FN后缀
CASE 776
标记图*
1
MCxxxH646G
AWLYYWW
xxx
A
WL
YY
WW
G
= 10或100
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
*有关其他标识信息,请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
热门ECLinPS E111 PECL / TTL , TTL版
低偏移
保证歪斜规格
三态启用
差分内部设计
V
BB
产量
单电源
额外的TTL和ECL电源/接地引脚
匹配的高和低输出阻抗
符合规范需要驱动
英特尔奔腾微处理器
无铅包可用*
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年11月
启5
1
出版订单号:
MC10H646/D
MC10H646 , MC100H646
OGND
OGND
OVT
Q4
Q5
Q6
Q7
表1.引脚说明
针
EN
IVT
IGND
V
CCE
V
CCE
V
BB
ECLK
OGND
OVT
IGND
IVT
V
EE
V
CCE
ECLK , ECLK
V
BB
Q0Q7
EN
功能
TTL输出地(0V )
TTL输出V
CC
(+5.0 V)
内置TTL GND ( 0 V )
内置TTL V
CC
(+5.0 V)
ECL V
EE
(0 V)
ECL地( 5.0 V )
差分信号输入
( PECL )
V
BB
参考输出
信号输出( TTL )
三态使能输入( TTL )
25
Q3
OGND
Q2
OVT
Q1
OGND
Q0
26
27
28
1
2
3
4
5
TCLK
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
6
IVT
7
IGND
8
VEE
9
VEE
10
VEE
11
ECLK
Q0
Q1
图1.引脚: PLCC -28
( TOP VIEW )
EN
表2.真值表
Q2
TCLK
ECLK
ECLK
Q4
TCLK
GND
GND
H
L
X
ECLK
L
H
GND
GND
X
ECLK
H
L
GND
GND
X
EN
H
H
H
H
L
Q
L
H
H
L
Z
Q3
L =低电压水平; H =高电压电平; Z =三态
Q5
Q6
Q7
图2.逻辑图
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2
MC10H646 , MC100H646
700
内部TTL电
IVT01
OVT01
电源,MW
600
500
400
300
100pF
200
OGND0
内部TTL地面
IGND01
100
0
0
20
40
60
频率, MHz的
80
100
120
50pF
空载
200pF
功率与每比特频率
P
动态
= C
L
V
摇摆
V
CC
P
总
= P
STATIC
+ P
动态
300pF
Q0A
图3.输出结构
图4.功率与频率
(典型值)
表3. 10H PECL DC特性
( IVT = OVT = V
CCE
= 5.0 V
±
5%)
0°C
符号
I
INH
I
IL
V
IH
V
IL
V
BB
特征
输入高电流
输入低电平电流
输入高电压
输入低电压
输出参考
电压
IVT = = IVO
V
CCE
= 5.0 V (注1 )
IVT = = IVO
V
CCE
= 5.0 V (注1 )
IVT = = IVO
V
CCE
= 5.0 V (注1 )
0.5
3.83
3.05
3.62
4.16
3.52
3.73
条件
民
典型值
最大
255
0.5
3.87
3.05
3.65
4.19
3.52
3.75
民
25°C
典型值
最大
175
0.5
3.94
3.05
3.69
4.28
3.555
3.81
民
85°C
典型值
最大
175
单位
mA
mA
V
V
V
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
1. ECL V
IH
, V
IL
和V
BB
是参考V
CCE
与将变化为1:1的电源。示出的水平是IVT = IVO = V
CCE
= 5.0 V
表4. 100H PECL DC特性
( IVT = OVT = V
CCE
= 5.0 V
±
5%)
0°C
符号
I
INH
I
IL
V
IH
V
IL
V
BB
特征
输入高电流
输入低电平电流
输入高电压
输入低电压
输出参考
电压
IVT = = IVO
V
CCE
= 5.0 V (注2 )
IVT = = IVO
V
CCE
= 5.0 V (注2 )
IVT = = IVO
V
CCE
= 5.0 V (注2 )
0.5
3.835
3.19
3.62
4.12
3.525
3.74
条件
民
典型值
最大
255
0.5
3.835
3.19
3.62
4.12
3.525
3.74
民
25°C
典型值
最大
175
0.5
3.835
3.19
3.62
3.835
3.525
3.74
民
85°C
典型值
最大
175
单位
mA
mA
V
V
V
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
2. ECL V
IH
, V
IL
和V
BB
是参考V
CCE
与将变化为1:1的电源。示出的水平是IVT = IVO = V
CCE
= 5.0 V
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3
MC10H646 , MC100H646
表5. DC特性
( IVT = OVT = V
CCE
= 5.0 V
±
5%)
0°C
符号
V
OH
V
OL
IOS
特征
输出高电压
输出低电压
输出短路电流
条件
I
OH
= 24毫安
I
OL
= 48毫安
(注3)
民
2.6
最大
0.5
25°C
民
2.6
最大
0.5
85°C
民
2.6
最大
0.5
单位
V
V
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
3.输出不能短路到地,因为这将导致器件的永久性损坏。该器件的高驱动输出
不包括限制性IOS的电阻。
表6. TTL直流特性
(V
T
= V
E
= 5.0 V
±
5%)
0°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
V
IK
特征
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
输入钳位电压
V
IN
= 2.7 V
V
IN
= 7.0 V
V
IN
= 0.5 V
I
OH
=
3.0
mA
I
OH
=
24
mA
I
OL
= 24毫安
I
IN
=
18
mA
2.5
2.0
0.5
1.2
条件
民
2.0
最大
0.8
20
100
0.6
2.5
2.0
0.5
1.2
25°C
民
2.0
最大
0.8
20
100
0.6
2.5
2.0
0.5
1.2
85°C
民
2.0
最大
0.8
20
100
0.6
单位
V
mA
mA
V
V
V
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
表7.直流特性
( IVT = OVT = V
CCE
= 5.0 V
±
5%)
0°C
符号
I
CCL
I
CCH
I
CCZ
特征
电源电流
条件
总计所有OVT , IVT ,
和V
CCE
引脚
民
最大
185
175
210
民
25°C
典型值
166
154
最大
185
175
210
85°C
民
最大
185
175
210
单位
mA
mA
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
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4
MC10H646 , MC100H646
表8. AC特性
( IVT = OVT = V
CCE
= 5.0 V
±5%)
0°C
符号
t
PLH
t
PHL
t
SK ( O)
特征
传播延迟
传播延迟
输出偏斜
ECLK到Q
TCLK到Q
ECLK到Q
TCLK到Q
Q0, Q3, Q4, Q7
Q1, Q2, Q5
Q0Q7
ECLK到Q
TCLK到Q
Dt
PLH
t
PHL
0.3
66兆赫@ 2.0 V
66兆赫@ 0.8 V
60兆赫@ 2.0 V
60兆赫@ 0.8 V
(注6,9 )
5.5
5.5
6.0
6.0
$75
80
(注4,9 )
条件
民
4.8
5.1
4.4
4.7
最大
5.8
6.4
5.4
6.0
350
350
500
1.0
1.3
1.0
1.5
0.3
5.5
5.5
6.0
6.0
$75
80
25°C
民
5.0
5.3
4.4
4.8
最大
6.0
6.4
5.4
5.9
350
350
500
1.0
1.1
1.0
1.5
0.3
5.5
5.5
6.0
6.0
$75
80
85°C
民
5.6
5.7
4.8
5.2
最大
6.6
7.0
5.8
6.5
350
350
500
1.0
1.3
1.0
1.5
单位
ns
ns
ps
t
SK ( PR )
t
SK (p)的
t
r
, t
f
t
PW
过程歪斜
脉冲偏差
上升/下降时间
输出脉冲宽度
(注5,9 )
ns
ns
ns
ns
t
稳定性
F
最大
时钟稳定性
最大输入频率
(注7,9)
(注8,9)
ps
兆赫
注:设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格
限值正常工作条件下单独应用和不同时有效。
对于相同的输出转换定义4.输出偏斜。
5.过程歪斜的有效期为V
CC
= 5.0 V
±
5%.
6.保证参数为t
SK (p)的
和T
r
, t
f
技术指标。
7.时钟稳定性是两个连续上升沿之间的时间偏差。
8.对于一系列的终止线。参见F款应用
最大
增强技术。
9.所有的交流规范驾驶测试50
W
系列端接传输线路频率为80 MHz 。
订购信息
设备
MC10H646FN
MC10H646FNG
MC10H646FNR2
MC10H646FNR2G
MC100H646FN
MC100H646FNG
MC100H646FNR2
MC100H646FNR2G
包
PLCC28
PLCC28
(无铅)
PLCC28
PLCC28
(无铅)
PLCC28
PLCC28
(无铅)
PLCC28
PLCC28
(无铅)
航运
37单位/铁
37单位/铁
500 /磁带&卷轴
500 /磁带&卷轴
37单位/铁
37单位/铁
500 /磁带&卷轴
500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5