摩托罗拉
半导体技术资料
四2输入与门
该MC74VHCT08A是一种先进的高速CMOS 2输入与门
制造与硅栅CMOS技术。它实现了高速
操作类似相当于双极肖特基TTL ，同时保持
CMOS的低功耗。
该VHCT输入与TTL电平兼容。这个装置可以用于
作为电平转换器，用于连接3.3V至5.0V ，由于它具有完整的5V CMOS
电平输出摆幅。
该VHCT08A输入结构时提供保护之间的电压
0V和5.5V被施加，而与电源电压无关。输出
结构也提供了保护，当VCC = 0V 。这些输入和输出
结构有助于防止因电源电压装置的破坏 -
输入/输出电压不匹配，电池备份，热插入，等等。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出
它提供了高抗噪性和稳定的输出。输入容忍
电压高达7V ，允许5V系统的接口， 3V的系统。
高速： tPD的= 4.3ns （典型值） ，在VCC = 5V
低功耗： ICC = 2μA （最大值）在TA = 25℃
TTL兼容的输入： VIL = 0.8V ; VIH = 2.0V
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： VOLP = 0.8V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
芯片的复杂性： 24场效应管或6个等效门
逻辑图
A1
B1
A2
B2
A3
B3
A4
B4
1
3
2
4
6
5
9
8
10
12
11
13
Y4
Y3
Y2
Y = AB
Y1
MC74VHCT08A
后缀
14引脚SOIC封装
CASE 751A -03
DT后缀
14引脚TSSOP封装
CASE 948G -01
M后缀
14引脚SOIC封装EIAJ
CASE 965-01
订购信息
MC74VHCTXXAD
MC74VHCTXXADT
MC74VHCTXXAM
SOIC
TSSOP
EIAJ SOIC
功能表
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
L
L
H
引脚说明： 14引脚封装
（ TOP VIEW ）
VCC
14
B4
13
A4
12
Y4
11
B3
10
A3
9
Y3
8
1
A1
2
B1
3
Y1
4
A2
5
B2
6
Y2
7
GND
4/99
摩托罗拉1999年公司
1
REV 0
*绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
MC74VHCT08A
最大额定值*
符号
VCC
VOUT
TSTG
ICC
IOK
IOUT
VIN
PD
IIK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流， VCC和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 VCC + 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
– 20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
DC电气特性
推荐工作条件
摩托罗拉
符号
S B升
符号
ICCT
IOPD
VOH
VOL
ICC
VIH
VCC
VOUT
VIL
IIN
TR ， TF
VIN
TA
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源
当前
最大输入漏
当前
最底层
输出电压
VIN = VIH或VIL
最小高级别
输出电压
VIN = VIH或VIL
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
P
参数
VIN = VIH或VIL
IOH = - 50μA
VIN = VIH或VIL
IOH = - 4毫安
IOH = - 8毫安
VIN = VIH或VIL
IOL = 50μA
VIN = VIH或VIL
IOL = 4毫安
IOL = 8毫安
VOUT = 5.5V
输入： VIN = 3.4V
VIN = VCC或GND
VIN = 5.5 V或GND
试验C迪我
T
条件
VCC = 5.0V
±0.5V
0至5.5
VCC
(V)
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
2
– 40
民
4.5
0
0
0
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
VCC
+ 85
最大
5.5
5.5
20
TA = 25°C
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_
C
_
C
V
V
V
V
V
V
±
0.1
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
0.5
2.0
0.1
0.1
2.48
3.80
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V CC） 。
未使用的输出必须悬空。
TA
≤
85°C
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
±
1.0
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
20
5.0
v
2.34
3.66
民
TA
≤
125°C
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
±
1.0
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
40
10
v
单位
U I
mA
A
A
V
V
V
V
A
MC74VHCT08A
AC电气特性
（输入TR = TF = 3.0ns ）
符号
S B升
tPLH的，
的TPH1
参数
P
TA = 25°C
典型值
6.2
8.7
4.3
5.8
4
TA
≤
85°C
TA
≤
125°C
试验C迪我
T
条件
民
最大
民
最大
最大
最大
单位
U I
ns
最大传播
延迟，
输入A或B与Y
VCC - 3.0
±
0.3V
VCC - 5.0
±
0.5V
CL = 15pF的
CL = 50pF的
8.8
12.3
5.9
7.9
10
10.5
14.0
7.0
9.0
10
14.0
17.5
9.0
11.0
10
CL = 15pF的
CL = 50pF的
CIN
最大输入电容
pF
典型的25°C ， VCC = 5.0V
20
CPD
电力迪我I C
P
耗散电容（N
i
（注1 ）
1.)
pF
F
1. CPD被定义为从所述工作电流消耗计算出无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到： ICC （OPR
)
= CPD
VCC
散热片+ ICC / 4 （每门） 。 CPD用于确定空载
动态功耗; PD = CPD
VCC2
散热片+ ICC
VCC 。
噪声特性
（输入TR = TF = 3.0纳秒， CL = 50pF的， VCC = 5.0 V）
TA = 25°C
符号
S B升
VOLP
VOLV
VIHD
VILD
特征
Ch
i i
安静输出最大动力VOL
安静的输出最低动态VOL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
典型值
0.3
– 0.3
最大
0.8
– 0.8
3.5
1.5
TEST
点
产量
GND
TPLH
的TPH1
VOH
Y
1.5V
VOL
*包括所有探测和夹具电容
设备
下
TEST
CL *
单位
U I
V
V
V
V
3.0V
A或B
1.5V
图1.开关波形
图2.测试电路
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
3
摩托罗拉
MC74VHCT08A
外形尺寸
后缀
塑料SOIC封装
CASE 751A -03
本期
–A–
14
8
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
–B–
1
7
P
7 PL
0.25 (0.010)
M
B
M
G
C
R
X 45°
F
座位
飞机
D
14 PL
K
M
M
B
S
J
0.25 (0.010)
T
A
S
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
MILLIMETERS
民
最大
8.75
8.55
4.00
3.80
1.75
1.35
0.49
0.35
1.25
0.40
1.27 BSC
0.25
0.19
0.25
0.10
7°
0°
5.80
6.20
0.25
0.50
英寸
民
最大
0.337 0.344
0.150 0.157
0.054 0.068
0.014 0.019
0.016 0.049
0.050 BSC
0.008 0.009
0.004 0.009
7°
0°
0.228 0.244
0.010 0.019
摩托罗拉
4
VHC数据 - 高级CMOS逻辑器件
DL203 - 版本1
QQ：2881677436 复制
