摩托罗拉
半导体技术资料
双向可控硅
硅双向晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如调光器的设计，
马达控制，加热控制和电源;或是其他地方，全波硅
需要栅极控制的固态器件。三端双向可控硅晶闸管型从切换
堵为导通状态用于施加阳极电压与正的任一极性
或负门极触发。
阻断电压为800伏特
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数均匀性
和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermowatt建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
门极触发保证在三种模式下（ MAC210系列）或四种模式
（ MAC210A系列）
MAC210
系列
MAC210A
系列
双向可控硅
10安培RMS
200通800伏
MT2
G
MT1
CASE 221A -04
(TO-220AB)
方式4
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = -40至+ 125°C ，
1/2正弦波50到60赫兹，门打开）
符号
VDRM
MAC210-4 ， MAC210A4
MAC210-6 ， MAC210A6
MAC210-8 ， MAC210A8
MAC210-10 ， MAC210A10
IT （ RMS ）
ITSM
200
400
600
800
10
100
安培
安培
价值
单位
伏
通态电流有效值（ TC = + 70 ° C）
完整周期的正弦波50到60赫兹
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹， TC = + 70 ° C）
前面和后面的额定电流
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（ TC = + 70 ° C，脉冲宽度= 10
s)
平均栅极电源（ TC = + 70 ° C，T = 8.3毫秒）
栅极峰值电流
（ TC = + 70 ° C，脉冲宽度= 10
s)
工作结温范围
存储温度范围
I2t
PGM
PG （AV）
IGM
TJ
TSTG
40
20
0.35
2
-40到+125
-40到+125
A2s
瓦
瓦
安培
°C
°C
（1）在VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
器件的电压额定值被超过。
摩托罗拉晶闸管设备数据
3–75
MAC210系列MAC210A系列
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.2
单位
° C / W
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
峰值电流阻断
（ VD =额定VDRM ，门打开）
TJ = 25°C
TJ = + 125°C
符号
IDRM
—
—
—
—
1.2
10
2
1.65
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
mA
—
—
—
—
VGT
—
—
—
—
0.9
0.9
1.1
1.4
2
2
2
2.5
12
12
20
35
50
50
50
75
伏
峰值通态电压（任意方向）
（ ITM = 14 A峰值，脉冲宽度为1至2毫秒，占空比
门极触发电流（连续直流）
（主候机楼电压= 12 VDC， RL = 100欧姆）
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ） ，G （ + ） “A ”后缀ONLY
门极触发电压（连续直流）
（主候机楼电压= 12 VDC， RL = 100欧姆）
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ） ，G （ + ） “A ”后缀ONLY
（主候机楼电压=额定VDRM ，RL = 10千欧，
TJ = + 125°C ）
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ - ）中，G （ - ） ; MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ） ，G （ + ） “A ”后缀ONLY
保持电流（任意方向）
（主候机楼电压= 12 VDC，门打开，
启动电流为500 mA时， TC = + 25 ° C）
开启时间
（额定VDRM ， ITM = 14 A）
（ IGT = 120 mA时，上升时间= 0.1
s,
脉冲宽度= 2
s)
p
2%)
VTM
IGT
—
0.2
0.2
IH
—
—
—
6
—
—
50
mA
TGT
—
1.5
—
s
换相电压临界上升率
（ VD =额定VDRM ， ITM = 14 A，整流的di / dt = 5.0 A / MS ，
门未激励， TC = 70 ° C）
断态电压临界上升率
（ VD =额定VDRM ，指数电压上升，
门打开， TC = + 70 ° C）
dv / dt的（C ）
—
5
—
V / μs的
dv / dt的
—
100
—
V / μs的
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摩托罗拉晶闸管设备数据
MAC210系列MAC210A系列
图1 - 电流降额
P（ AV ） ，平均功耗
130
导通角= 360 °
TC ，最大允许外壳
温度（
°
C)
120
110
100
90
80
70
60
0
1.0
3.0
4.0
5.0 6.0 7.0
8.0
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（安培）
2.0
9.0
10.0
14.0
导通角= 360 °
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
4.0
5.0 6.0 7.0
8.0
2.0 3.0
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（安培）
9.0
10.0
图2 - 功耗
图3 - 最大通态特性
100
IT，瞬时通态电流（ AMPS ）
50
图4 - 最大非重复浪涌电流
100
ITSM ，峰值浪涌电流（ AMP ）
80
20
10
5.0
TJ = 25°C
TJ = 125°C
60
40
周期
TC = 70℃
F = 60赫兹
激增的前面和后面的额定电流
2.0
3.0
周期数
5.0
7.0
10
20
2.0
1.0
0.5
0.2
0
1.0
图5 - 典型栅极触发电压
0.1
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4
室速，瞬时导通电压（伏）
VGT ，门极触发电压（标准化）
2.0
断态电压= 12伏直流
所有模式
1.6
1.2
0.8
0.4
0
–60
–40
–20
20
0
40
TC ，外壳温度（ ° C）
60
80
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