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MC74VHC595
8位的移位寄存器
-
输出存储寄存器
（三态）
-
该MC74VHC595是一种先进的高速8位的移位寄存器
比特
制作与使用硅栅CMOS输出存储寄存器
技术。
它实现了类似相当于双极高速操作
肖特基TTL ，同时保持CMOS低功耗。
该MC74VHC595包含一个8位
位的静态移位寄存器
饲料的8存储寄存器。
比特
换档操作完成上的正向跳变
移位时钟输入（ SCK ） 。输出寄存器被装入
换挡内容上的积极转变会注册
寄存器时钟输入（ RCK ） 。由于RCK和SCK信号
独立，并行输出可以在换档过程中可以保持稳定
操作。并且，由于并行输出为3-
-state的VHC595可以
可以直接连接到一个8-
位的总线。该寄存器可被用
serial- -parallel转换，数据接收器，等等。
- 到 -
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7V ，允许5V系统的接口
到3V系统。
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
16
9
SOIC-
-16
后缀
CASE 751B
VHC595
AWLYYWW
1
8
16
9
TSSOP-
-16
DT后缀
CASE 948F
VHC
595
AWLYWW
1
8
16
9
高速：F
最大
= 185MHz （典型值），在V
CC
= 5V
低功耗：我
CC
= 4μA （最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2V至5.5V工作电压范围
低噪音： V
OLP
= 1.0V （最大）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000V ;机器型号> 200V
这些器件采用有铅
-free包（多个） 。本文规格
适用于标准和有铅
- 免费设备。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com具体有铅
- 免费订购部件号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
SOIC EIAJ-
-16
M后缀
CASE 966
A
WL
YY
WW
A
WL
Y
WW
VHC595
ALYW
1
8
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
MC74VHC595D
MC74VHC595DR2
MC74VHC595DT
包
SOIC--16
SOIC--16
TSSOP--16
航运
48单位/铁
2500个/卷
96单位/铁
2000个/卷
2500个/卷
50单位/铁
2000个/卷
MC74VHC595DTEL TSSOP - 16
MC74VHC595DTR2 TSSOP - 16
MC74VHC595M
MC74VHC595MEL
SOIC
EIAJ--16
SOIC
EIAJ--16
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月 - 第4版
-
1
出版订单号：
MC74VHC595/D
MC74VHC595
引脚分配
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
QA
SI
OE
RCK
SCK
SCLR
SQH
http://onsemi.com
2
MC74VHC595
逻辑图
串行
数据
输入
14
15
1
2
3
移
注册
存储
注册
4
5
6
7
SCK
SCLR
RCK
OE
11
10
12
13
9
SQH
串行
数据
产量
SI
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
并行
数据
输出
IEC逻辑符号
OE
RSK
SCLR
SCK
SI
13
12
10
11
14
EN3
C2
SRG8
R
C/1
1D
2D
3
15
1
2
3
4
5
6
2D
3
7
9
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
SQH
http://onsemi.com
3
MC74VHC595
膨胀逻辑图
OE
13
RCK
12
SI
14
D
SRA
R
D
SRB
R
D
SRC
R
D
SRD
R
D
SRE
R
D
SRF
R
D
SRG
R
D
Q
D
STRA
Q
15
QA
Q
D
STRB
Q
1
QB
Q
D
STRC
Q
2
QC
Q
D
STRD
Q
3
QD
并行
数据
输出
Q
D
STRE
Q
4
QE
Q
D
STRF
Q
5
QF
Q
D
STRG
Q
6
QG
Q
SRH
D
STRH
Q
7
QH
SCK
11
R
SCLR
10
9
SQH
http://onsemi.com
4
MC74VHC595
功能表
输入
RESET
（ SCLR ）
L
H
H
H
串行
输入
（SI ）
X
D
X
X
移
时钟
（ SCK ）
X
↑
L，H，
↓
L，H，
↓
REG
时钟
（ RCK ）
L，H，
↓
L，H，
↓
X
↑
产量
启用
（ OE）的
L
L
L
L
移
注册
目录
L
→ SR
A
;
SR
N
ΔSr
N+1
U
U
得到的函数
存储
注册
目录
U
U
**
SR
N
STR
N
串行
产量
（ SQH ）
L
SR
G
ΔSr
H
U
*
并行
输出
（ QA - QH ）
-
U
U
**
SR
N
手术
清除移位寄存器
将数据移入移位
注册
注册遗体
不变
发送移位寄存器
内容存储
注册
存储寄存器遗体
不变
启用并行输出
力输出到高
阻抗状态
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L，H，
↓
X
X
L
L
H
↓
=高 - 到 - 低
↑
=低 - 到 - 高
*
*
*
U
**
**
*
*
*
U
启用
Z
SR =移位寄存器的内容
D =数据（ L，H）的逻辑电平
输入
STR =存储寄存器的内容U =不变
* =取决于复位和移位时钟
** =取决于寄存器时钟输入
最大额定值*
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
SOIC封装
TSSOP封装
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
-- 20
±
20
±
25
±
50
500
450
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这个高 - 阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
≤
(V
in
或V
OUT
)
≤
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
*绝对最大额定值连续是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。暴露于这些条件或条件以外的表示可
器件的可靠性产生不利影响。最大的 - - 在绝对功能操作额定
条件是不是暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3V
±0.3V
V
CC
=5.0V
±0.5V
参数
民
2.0
0
0
-- 55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+ 125
100
20
单位
V
V
V
_C
NS / V
http://onsemi.com
5
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M95640-RMN6TG
M27C1024-15C1TR
MSMC-0305DRL
供货商
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