MC74VHC373
八D型锁存器
具有三态输出
该MC74VHC373是一种先进的高速CMOS八进制锁存器
具有三态输出的制造与硅栅CMOS技术。它
实现类似相当于双极肖特基高速运转
TTL ，同时保持CMOS低功耗。
这8位D型锁存器由一个锁存使能控制输入端和一个
输出使能输入。当输出使能输入为高时， 8
输出处于高阻抗状态。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲
输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该
输入耐受电压高达7.0 V，允许5.0 V接口
系统以3.0 V系统。
特点
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记号
图表
20
20
1
SOIC- 20宽
DW后缀
CASE 751D
1
VHC373
AWLYYWW
高速：吨
PD
= 5.0纳秒（典型值），在V
CC
= 5.0 V
低功耗：我
CC
= 4.0
mA
（最大）在T
A
= 25°C
高抗干扰性： V
美国国立卫生研究院
= V
NIL
= 28% V
CC
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
专为2.0 V至5.5 V工作范围
低噪音： V
OLP
= 0.9 V（最大值）
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
闭锁性能超过300毫安
ESD性能： HBM > 2000伏;机器型号> 200 V
芯片的复杂性： 186场效应管或46.5等效门
无铅包可用*
20
TSSOP20
DT后缀
CASE 948E
1
20
20
1
20
1
VHC
373
ALYW
SOEIAJ20
M后缀
CASE 967
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
74VHC373
AWLYYWW
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚分配
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
LE
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年1月 - 修订版6
出版订单号：
MC74VHC373/D
MC74VHC373
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
3
4
7
8
13
14
17
18
2
5
6
9
12
15
16
19
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
功能表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
LE
OE
11
1
图1.逻辑图
最大额定值
符号
V
CC
V
in
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
SOIC封装
TSSOP封装
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
20
±
20
±
25
±
75
500
450
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
_C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。最大额定值
施加到器件上的个别应力限值（未正常工作条件下），并且
同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
V
OUT
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 5.0 V
参数
民
2.0
0
0
40
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+ 85
100
20
单位
V
V
V
_C
NS / V
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2
MC74VHC373
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ）
T
A
= 25°C
符号
C
in
C
OUT
参数
最大输入电容
最大三态输出
电容（在输出
高阻态）
测试条件
民
典型值
4
6
最大
10
T
A
= - 4085 ℃下
民
最大
10
单位
pF
pF
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（注2 ）
27
pF
1.参数设计保证。吨
OSLH
= |t
PLHm
t
PLHn
|, t
OSHL
= |t
PHLm
t
PHLn
|.
2. C
PD
是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。
平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR
)
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
/ 8 （每锁存器） 。
PD
被用于确定所述
无负载的动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
噪声特性
（输入吨
r
= t
f
= 3.0ns ，C
L
= 50 pF的，V
CC
= 5.0V)
T
A
= 25°C
符号
V
OLP
V
OLV
V
IHD
V
ILD
静默输出最大动态V
OL
安静的输出最低动态V
OL
最小高级别动态输入电压
最大低电平动态输入电压
参数
典型值
0.6
0.6
最大
0.9
0.9
3.5
1.5
单位
V
V
V
V
时序要求
（输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒）
T
A
= 25°C
符号
t
瓦特（H）的
t
su
t
h
参数
最小脉冲宽度， LE
最小建立时间，D为LE
最小保持时间，D为LE
测试条件
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±0.5
V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
典型值
极限
5.0
5.0
4.0
4.0
1.0
1.0
T
A
= 40
至85℃
极限
5.0
5.0
4.0
4.0
1.0
1.0
单位
ns
ns
ns
订购信息
设备
MC74VHC373DWR2
MC74VHC373DWR2G
MC74VHC373DTR2
MC74VHC373MEL
MC74VHC373MELG
包
SOIC20
SOIC20
（无铅）
TSSOP20*
SOEIAJ20
SOEIAJ20
（无铅）
航运
1000磁带和放大器;卷轴
1000磁带和放大器;卷轴
2500磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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4
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