M54HC125
IEC逻辑符号
输入和输出等效电路
引脚说明
引脚n °
1, 4, 10, 13
2, 5, 9, 12
3, 6, 8, 11
7
14
符号
1G到4G
1A至4A
1Y到4Y
GND
V
CC
名称和功能
输出使能输入
数据输入
数据输出
地（ 0V ）
正电源电压
真值表
A
X
L
H
G
H
L
L
Y
Z
L
H
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出电流
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
420
-65到+150
265
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
I
CC
还是我
GND
DC V
CC
或接地电流
P
D
功耗
T
英镑
T
L
储存温度
焊接温度（ 10秒）
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不暗示
2/9
M54HC125
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
C
L
（PF ）
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
20
6
5
36
9
8
52
13
11
36
9
8
52
13
11
48
12
10
马克斯。
60
12
10
75
15
13
105
21
18
75
15
13
105
21
18
80
16
14
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
75
15
13
95
19
16
130
26
22
95
19
16
130
26
22
100
20
17
-55到125°C
分钟。
马克斯。
90
18
15
110
22
19
160
32
27
110
22
19
160
32
27
120
24
20
ns
单位
t
TLH
t
THL
输出转换
时间
t
PLH
t
PHL
传播延迟
时间
50
50
ns
150
ns
t
PZL
t
PZH
高阻抗
OUTPUT ENABLE
时间
50
R
L
= 1 K
ns
150
R
L
= 1 K
ns
t
PLZ
t
PHZ
高阻抗
输出禁用
时间
50
R
L
= 1 K
ns
电容特性
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
5.0
5.0
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
5
35
马克斯。
10
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
10
-55到125°C
分钟。
马克斯。
10
pF
pF
单位
C
IN
C
PD
输入电容
功耗
电容（注
1)
1) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。 （请参考测试电路） 。平均工作电流可以由下式得到。我
CC （ OPR ）
= C
PD
X V
CC
架F
IN
+ I
CC
/ 4 （每个缓冲区）
4/9
M54HC125
测试电路
TEST
t
PLH
, t
PHL
t
PZL
, t
PLZ
t
PZH
, t
PHZ
C
L
= 50pF的/ 150pF的或同等学历（包括夹具和探头电容）
R
1
= 1KΩ或同等学历
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器（通常为50Ω ） ）
开关
开放
V
CC
GND
波形1 ：传播延迟时间
中（f = 1MHz的50 ％占空比）
5/9
M54/74HCT125
M54/74HCT126
四路总线缓冲器（三态）
.
.
.
.
.
.
.
高速
t
PD
= 12 ns（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗
I
CC
= 4
A
（ MAX 。 ），在25
°C
输出驱动能力
15输入通道负载
平衡传输延迟
t
PLH
= t
PHL
对称的输出阻抗
I
OL
=
I
OH
= 6 MA（ MIN 。 ）
兼容TTL输出
V
IH
= 2V （ MIN 。 ）V
IL
= 0.8V （MAX）
引脚和功能兼容
54 / 74LS125 / 126
B1R
（塑料包装）
F1R
（陶瓷封装）
M1R
（超小型封装）
C1R
（芯片载体）
描述
在M54 / 74HCT125 / 126是高速CMOS
四路总线缓冲器（三态）制作
硅栅
2
MOS技术。他们有
输入通道的相同的高速性能相结合
与真正的CMOS低功耗。这些描述
恶习要求相同的三态控制输入G以
采取高，使输出进入高im-
pedance state.This集成电路具有输入和
输出特性是完全兼容
54/74 LSTTL逻辑系列。 M54 / 74HCT设备
被设计用来直接与HSC
2
MOS系
TEMS与TTL和NMOS组件。他们是
也插上替代LSTTL设备捐赠
减少功率消耗。所有的输入都是
配备了防静电显示保护电路
充电和瞬态过电压。
输入和输出等效电路
订购代码：
M54HCTXXXF1R
M74HCTXXXM1R
M74HCTXXXB1R
M74HCTXXXC1R
引脚连接
（ TOP VIEW ）
HCT125
HCT126
NC =
无内部
连接
1993年10月
1/10
M54/M74HCT125/126
电路图
HCT125
HCT126
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
DC输出源灌电流每路输出引脚
DC V
CC
或接地电流
功耗
储存温度
焊接温度（ 10秒）
参数
价值
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±
20
±
20
±
35
±
70
500 (*)
-65到+150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
o
o
C
C
绝对最大额定值超出这可能会损坏tothe设备的价值。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
（ * ） 500毫瓦：
65
o
C减免300兆瓦为10mW /
o
C: 65
o
C至85
o
C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
V
O
T
op
t
r
, t
f
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度：
M54HC
系列
M74HC
系列
输入上升和下降时间（V
CC
= 4.5 5.5V ）
参数
价值
4.5 5.5
0到V
CC
0到V
CC
-55到+125
-40至+85
0到500
单位
V
V
V
o
o
C
C
ns
3/10
M54/M74HCT125/126
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
to
5.5
4.5
to
5.5
4.5
V
I
= I
O
=-20
A
V
IH
还是我
O
= -6.0毫安
V
IL
V
I
= I
O
= 20
A
V
IH
还是我
O
= 6.0毫安
V
IL
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
IH
或V
IL
V
O
= V
CC
或GND
每个输入引脚
V
I
= 0.5V或
V
I
= 2.4V
其他投入的
V
CC
或GND
I
O
= 0
4.4
4.18
4.5
4.31
0.0
0.17
0.1
0.26
±0.1
4
±0.5
2.0
T
A
= 25
o
C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
2.0
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
2.0
2.0
单位
V
IH
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高层
输出电压
V
V
IL
0.8
0.8
0.8
V
V
OH
4.4
4.13
0.1
0.33
±1
40
±5
2.9
4.4
4.10
0.1
V
0.4
±1
80
±10
3.0
A
A
A
mA
V
V
OL
低电平输出
电压
4.5
I
I
I
CC
I
OZ
I
CC
输入漏
当前
静态电源
当前
3态输出
关态电流
其他最差
供应情况
当前
5.5
5.5
6.0
5.5
AC电气特性
（输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
测试条件
符号
参数
V
CC
(V)
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
C
L
（PF ）
50
50
150
50
150
50
T
A
= 25 C
54HC和74HC
分钟。典型值。马克斯。
7
12
13
17
15
19
17
5
56
21
27
24
30
24
10
o
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
C
IN
C
PD
(*)
输出转换
时间
传播
延迟时间
3态输出
启用时间
3态输出
禁止时间
输入电容
功耗
电容
价值
-40到85
o
C - 55至125
o
C
74HC
54HC
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
15
18
26
34
30
38
30
10
32
41
36
45
36
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
R
L
= 1 K
R
L
= 1 K
R
L
= 1 K
(*) C
PD
被定义为IC的内部等效电容被从操作的电流消耗来计算无负载的值。
（请参考测试电路） 。平均operting电流可以由下式得到。我
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
4/10
QQ：2880707522 复制
