【MC74VHC00四2输入与非门该MC74VHC00是一种先进的高速CMOS 2输入与非门制造与硅栅】,IC型号MC74VHC00DR2G,MC74VHC00DR2G PDF资料,MC74VHC00DR2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MC74VHC00

四2输入与非门

该MC74VHC00是一种先进的高速CMOS 2输入

与非门制造与硅栅CMOS技术。它

实现类似相当于双极肖特基高速运转

TTL ，同时保持CMOS低功耗。

内部电路由三个阶段，包括一个缓冲

输出，提供高抗噪性和稳定的输出。该

输入耐受电压高达7 V ，允许5 V接口

系统3 V系统。

特点

http://onsemi.com

记号

图表

14

SO14

后缀

CASE 751A

VHC00G

AWLYWW

1

高速：吨

PD

= 3.7纳秒（典型值），在V

CC

= 5 V

低功耗：我

CC

= 2

mA

（最大）在T

A

= 25°C

高抗干扰性： V

美国国立卫生研究院

= V

NIL

= 28% V

CC

掉电保护的输入端

平衡传输延迟

专为2 V至5.5 V工作范围

低噪音： V

OLP

= 0.8 V（最大值）

引脚和功能兼容其他标准逻辑系列

闭锁性能超过300毫安

ESD性能： HBM > 2000伏;机器型号> 200 V

芯片的复杂性： 32场效应管或8个等效门

无铅包可用

V

CC

14

B4

13

A4

12

Y4

11

B3

10

A3

9

Y3

8

14

VHC

00

ALYW

G

1

TSSOP14

DT后缀

CASE 948G

14

EIAJ SO- 14

M后缀

CASE 965

1

A

L， WL

Y

W, WW

G,

G

74VHC00

ALYWG

1

A1

2

B1

3

Y1

4

A2

5

B2

6

Y2

7

GND

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

=无铅器件

图1.引脚： 14引脚封装

（ TOP VIEW ）

功能表

输入

A

L

H

B

L

H

L

H

产量

Y

H

L

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第4页。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年1月 - 修订版5

出版订单号：

MC74VHC00/D

MC74VHC00

A1

B1

A2

B2

A3

B3

A4

B4

1

2

4

5

9

10

12

13

3

Y1

6

Y2

Y = AB

8

Y3

11

Y4

图2.逻辑图

最大额定值

符号

V

CC

V

IN

V

OUT

I

IK

I

OK

I

OUT

I

CC

P

D

T

英镑

V

ESD

正直流电源电压

数字输入电压

直流输出电压

输入二极管电流

输出二极管电流

直流输出电流，每个引脚

直流电源电流，V

CC

和GND引脚

在静止空气中的功耗

存储温度范围

ESD耐压

人体模型（注1 ）

机器模型（注2 ）

带电器件模型（注3 ）

上述V

CC

及以下GND在125 ° C（注4 ）

SOIC封装

TSSOP

SOIC封装

TSSOP

参数

价值

-0.5到+7.0

-0.5到V

CC

+0.5

20

$20

$25

$75

200

180

-65到+150

>2000

>200

不适用

$300

143

164

单位

V

mA

mW

°C

V

I

LATCH -UP

q

JA

闭锁性能

mA

° C / W

热阻，结到环境

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限

值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，

可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。

1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A

2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A

3.经测试JESD22 - C101 -A

4.经测试EIA / JESD78

推荐工作条件

符号

V

CC

V

IN

V

OUT

T

A

t

r

, t

f

直流电源电压

直流输入电压

直流输出电压

工作温度范围，所有封装类型

输入信号上升和下降时间

V

CC

= 3.3 V + 0.3 V

V

CC

= 5.0 V + 0.5 V

特征

民

2.0

0

55

0

最大

5.5

V

CC

125

100

20

单位

V

°C

NS / V

http://onsemi.com

2

5. C

PD

是德音响定义为这是从操作的电流消耗来计算无负载的内部等效电容的值。

平均工作电流可以由下式得到：我

CC （ OPR

)

= C

PD

V

CC

f

in

+ I

CC

/ 4 （每门）。

PD

被用于确定所述

无负载的动态功耗; P

D

= C

PD

V

CC2

f

in

+ I

CC

V

CC

.

AC电气特性

（输入吨

r

= t

f

= 3.0纳秒）

DC电气特性

符号

t

PLH

,

t

PHL

V

OH

V

OL

V

IH

I

CC

C

in

V

IL

I

in

输入

电容

传播

延迟， A或B与Y

静态电源

当前

输入漏

当前

低级别

输出电压

高层

输出电压

低电平输入

电压

高电平输入

电压

参数

V

CC

= 5.0

±

0.5 V

V

CC

= 3.3

±

0.3 V

V

in

= V

CC

或GND

V

in

= 5.5 V或GND

V

in

= V

IH

或V

IL

I

OL

= 4毫安

I

OL

= 8毫安

V

in

= V

IH

或V

IL

I

OL

= 50

mA

V

in

= V

IH

或V

IL

I

OH

= - 4毫安

I

OH

= - 8毫安

V

in

= V

IH

或V

IL

I

OH

= 50

mA

测试条件

C

L

= 15 pF的

C

L

= 50 pF的

C

L

= 15 pF的

C

L

= 50 pF的

0至5.5

噪声特性

（输入吨

r

= t

f

= 3.0纳秒，C

L

= 50 pF的，V

CC

= 5.0 V ，测量SOIC封装）

符号

C

PD

V

OLP

V

OLV

V

IHD

V

ILD

功率耗散电容（注5 ）

最大低电平动态输入电压

最小高级别动态输入电压

安静的输出最低动态V

OL

静默输出最大动态V

OL

特征

http://onsemi.com

MC74VHC00

2.0

3.0以

5.5

2.0

3.0以

5.5

V

CC

V

5.5

3.0

4.5

2.0

3.0

4.5

3.0

4.5

2.0

3.0

4.5

3

1.50

V

CC

x

0.7

2.58

3.94

民

1.9

2.9

4.4

民

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

典型值

4.0

3.7

5.2

5.5

8.0

0.0

2.0

3.0

4.5

0.50

V

CC

x

0.3

$0.1

最大

0.36

最大

7.9

11.4

5.5

7.5

2.0

0.1

10

典型的25°C ，V

CC

= 5.0 V

1.50

V

CC

x

0.7

2.48

3.80

民

T

A

= -40

85°C

T

A

= -40

85°C

1.0

1.9

2.9

4.4

0.50

V

CC

x

0.3

$1.0

9.5

13.0

最大

0.44

最大

典型值

0.3

6.5

8.5

0.1

10

20

19

T

A

= 25°C

1.50

V

CC

x

0.7

2.40

3.70

民

T

A

= -55

+125°C

T

A

= -55

+125°C

1.0

1.9

2.9

4.4

0.8

最大

1.5

3.5

0.8

0.50

V

CC

x

0.3

$2.0

最大

0.55

最大

10

14.5

7.0

9.5

0.1

10

40

单位

pF

V

mA

pF

ns

V

MC74VHC00

测试点

A或B

50%

t

PLH

Y

50% V

CC

*包括所有探测和夹具电容

t

PHL

V

CC

GND

设备

下

TEST

产量

C

L

*

图3.开关波形

图4.测试电路

输入

图5.输入等效电路

订购信息

设备

MC74VHC00DR2

MC74VHC00DR2G

MC74VHC00DT

MC74VHC00DTG

MC74VHC00DTR2

MC74VHC00DTR2G

MC74VHC00MEL

MC74VHC00MELG

包

SOIC14

（无铅）

TSSOP14*

（无铅）

TSSOP14*

（无铅）

SOEIAJ14

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

96单位/铁

2500 /磁带&卷轴

2000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

*这个包本身是无铅。

http://onsemi.com

4

MC74VHC00

包装尺寸

SOIC14

CASE 751A -03

ISSUE摹

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.尺寸A和B不包括

模具的突起。

4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）

每边。

5.尺寸D不包括

dambar突出。 ALLOWABLE

DAMBAR突出BE 0.127

（ 0.005 ）总计超过的D

DIMENSION最大材料

条件。

MILLIMETERS

民

最大

8.55

8.75

3.80

4.00

1.35

1.75

0.35

0.49

0.40

1.25

1.27 BSC

0.19

0.25

0.10

0.25

0

_

7

_

5.80

6.20

0.25

0.50

英寸

民

最大

0.337 0.344

0.150 0.157

0.054 0.068

0.014 0.019

0.016 0.049

0.050 BSC

0.008 0.009

0.004 0.009

0

_

7

_

0.228 0.244

0.010 0.019

A

14

8

B

P

7 PL

0.25 (0.010)

M

B

M

1

7

G

C

R

X 45

_

F

T

座位

飞机

D

14 PL

0.25 (0.010)

M

K

T B

S

M

A

S

J

暗淡

A

B

C

D

F

G

J

K

M

P

R

TSSOP14

DT后缀

CASE 948G -01

发出

14X

K

REF

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3，维A不包括模型

FLASH中，突出或毛刺。

塑模的毛边或毛刺SHALL NOT

超过0.15 （ 0.006 ），每边。

4.尺寸b不包括

间的薄膜或凸出部分。

间的薄膜或突出应该

不超过0.25 （ 0.010 ），每边。

5.尺寸k不包括

dambar突出。 ALLOWABLE

DAMBAR突出为0.08

（ 0.003 ）总计超过K型

DIMENSION最大材料

条件。

6.端子数列

仅供参考。

7，维A和B是被

DETERMINED AT基准面-W- 。

MILLIMETERS

民

最大

4.90

5.10

4.30

4.50

1.20

0.05

0.15

0.50

0.75

0.65 BSC

0.50

0.60

0.09

0.20

0.09

0.16

0.19

0.30

0.19

0.25

6.40 BSC

0

_

8

_

英寸

最小最大

0.193 0.200

0.169 0.177

0.047

0.002 0.006

0.020 0.030

0.026 BSC

0.020 0.024

0.004 0.008

0.004 0.006

0.007 0.012

0.007 0.010

0.252 BSC

0

_

8

_

0.10 (0.004)

0.15 （ 0.006 ）T ü

S

M

ü

S

V

S

N

2X

L/2

14

8

0.25 (0.010)

M

L

销1

IDENT 。

1

7

B

U

N

F

DETAIL ê

K

K1

J J1

0.15 （ 0.006 ）T ü

S

第N-N

W

C

0.10 (0.004)

T

座位

飞机

D

G

H

DETAIL ê

http://onsemi.com

5

A

V

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

J1

K

K1

L

M